测试表征技术专区

一、硅负极？ 核心特点： 1.极高的理论比容量 硅基于其合金化反应机制（Li₂₂Si₅），理论比容量高达约4200 mAh/g，这约是当前商用石墨负极（~372 mAh/g，基于插…

说明：本文华算科技主要介绍了光学显微镜与扫描电镜的成像原理及性能对比，详细阐述了扫描电镜的工作原理，包括电子束的产生与聚焦、电子束扫描与信号激发、信号检测与成像等步骤，并说明其在材…

二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）技术凭借其超高灵敏度和精准分析能力，广泛应用于半导体、材料科学及生物医疗等领域。其核心是是通…

TEM高分辨像（HRTEM，High-Resolution TEM Image）是利用电子束的相位衬度成像，能直接呈现材料原子级微观结构的TEM核心表征技术。其凭借原子级的分辨率，…

聚集离子束（Focus Ion Beam，FIB）技术利用纳米级的加工精度、成像、刻蚀、沉积和样品制备等多功能集成优势，广泛应用于材料科学工程、半导体等领域。其核心工作原理是：将离…

非晶自相关（Auto-Correlation Function，ACF）是分析非晶材料原子排列有序性的核心工具，它通过数学计算揭示原子在空间中的统计分布规律，而非像晶体那样呈现长程…

1931年，德国科学家马克斯与恩斯特成功研制出视界第一台电子显微镜，其分辨率为50 nm。随着技术的不断发展，电子显微镜的分辨率不断提升，2004年美国FEI公司将球差校正器搭载到…

  面分布图 面分布图作为展示EBSD数据最常用的手段，EBSD技术通过扫描样品，采集晶体学数据，其呈现形式为面分布图，除了上篇推文提到的晶粒面分布图和织构组分面分布图以外，还包含…

电子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction，EBSD）技术是解析材料微观结构与宏观性能的关键表征技术，其能提供材料微观尺度下的晶体结构、取向、…

扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）与透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）因具有…

电子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction，EBSD）技术提供样品表面的晶体学信息。然而，在研究晶粒结构、三维晶粒尺寸与界面特性，往往还需要从…

电子衍射作为透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）中的核心功能之一，其利用电子的波动性，通过衍射图案分析材料的晶体结构、取向和缺…

  技术原理 与SAED技术采用近似平行的电子束照射样品不同，CBED通过将电子束会聚成一个直径很小的照明束入射试样，会聚束中的不同角度的电子分别满足不同晶面的布拉格条件，在物镜后…

X射线衍射（XRD） 是揭示物质晶体结构最核心、最不可或缺的表征技术。它不仅能进行物相鉴定，还能通过谱图精修获取晶粒尺寸、晶格应变、结晶度等关键结构参数。 更重要的是，XRD可以与…

说明：本文华算科技主要讲解晶体生长的目标、本质及调控思路，理清外部条件对晶体性能的影响逻辑，包含了溶剂、过饱/过冷、添加剂、物理场（超声、磁场等）四大核心策略及实验案例，可以掌握通…

说明：本文聚焦XPS技术，将概述其定义与光电子效应原理，以及其在电催化材料研究中确认表面元素组成、分析化学价态、解析电子相互作用及验证表面稳定性的核心价值。读者可通过本文了解到样品…

本示例详细展示了Athena处理后的Fe数据在Artemis中拟合的过程，请注意Artemis拟合时，所有参数均为非固定值，具体问题具体分析，对于不同样品灵活调整。 到这里你更想问…

说明：本文华算科技介绍了包括SEM、AFM、TEM、XRD、比表面积分析、XPS、电化学性能表征如CV、GCD、EIS以及原位XRD/SEM/TEM/Raman/FTIR。这些技术…

说明：本文华算科技主要介绍了XRD峰位偏移的定义、原因、量化方法及其影响因素。峰位偏移源于晶格应变、成分变化、晶体缺陷、外部因素等。通过sin²ψ方法可测定残余应力，Vegard&…

说明：本文华算科技主要通过XPS的工作原理、什么是XPS以及电荷转移、元素价态变化、环境电子影响等机制，详细解释了XPS峰左移与右移的原因。详读本文后读者对于XPS峰位置分析会有一…