测试表征技术

说明：本文华算科技主要介绍循环伏安曲线上电流峰的宽度由什么决定，表面吸附、欠电位沉积和金属剥离为什么本身就给出窄而高的峰，以及钝化膜局部击穿、参比电极泄漏产生的纳米颗粒、气泡、接触…

说明：本文华算科技主要介绍 AFM、SEM、TEM、STM 四种显微镜分别用什么探针、记录什么信号，它们各自把“表面”呈现为形貌、高度、晶格投影还是电子态，样品导电性、环境和制样怎…

一条循环伏安曲线看上去只是电流随电位弯折、起峰和回落，真正有价值的却不是把峰位记成材料的“指纹”。它记录的是工作电极在一段电位程序中，电子转移、双层充电、扩散、吸附与后续化学反应如…

做同步辐射或散射测试时，SAXS、WAXS 往往被并排写在机时申请、数据文件和论文方法里。最常见的解释是“小角看大尺度，广角看小尺度”，方向没错，却远远不够：SAXS 并不自动等于…

说明：本文华算科技主要介绍FT-IR谱图的测量对象、振动模式归属、分子与晶体计算的差别，以及峰位变化转化为结构判断时所需的证据。 一张FT-IR谱图常被当作官能团清单：找到峰位，查…

《电化学测试技术》由张鉴清等学者编著，是系统学习电极过程、测试方法与数据分析的基础！ 华算科技这197页PPT，提炼书中核心内容，涵盖稳态极化、恒电位、恒电流、CV、LSV、计时安…

说明：本文华算科技主要介绍 Operando 表征的实验难点，不是简单比较两种名称。不同领域对 in situ 与 operando 的用法并不完全统一；这里把 operando …

拿到一组 XANES 曲线，最容易犯的错误，是看见谱线整体右移就写“价态升高”，看见白线变高就写“电子减少”，看见预边增强就写“缺陷增多”。这些判断有时方向正确，却都不是无条件成立…

“结构决定性能”经常出现在论文结尾，但单独一张电镜图、一条XANES曲线或一次性能测试都托不起这句话。有说服力的研究，会让结构变量和性能变量经历同一次受控改变，再检查二者能否同步出…

说明：本文华算科技主要介绍比表面积在什么条件下能够转化为有效界面，以及孔道可达性、单位面积位点性质、传输过程和评价口径为什么会改变性能排序。 比表面积为什么不等于有效面积？   比…

说明：本文华算科技主要介绍微分容量曲线 dQ/dV 怎样从充放电曲线求导得到，曲线上的尖峰、肩和平台分别对应两相共存反应、被主峰遮住的相邻转变以及单相固溶与电容型储荷，以及电流、温…

说明：本文华算科技主要介绍缺陷数量与催化活性的计量方式、缺陷间相互作用对单个位点反应的影响、DFT 超胞中的缺陷浓度含义，以及确定工作态缺陷区间所需的计算和实验信号。 缺陷数量与活…

说明：本文华算科技主要介绍 EXAFS 傅里叶变换峰的数学含义，散射相位怎样改变表观峰位，多条路径与有限 k 区间怎样牵动峰顶，以及相位校正和 FEFF 拟合怎样得到可报告的原子间…

EIS是研究电极界面过程、反应动力学及传质行为的重要工具，但Nyquist图、Bode图和等效电路往往让人难以下手… 这份118页EIS课件从阻抗基础讲起，系统涵盖： …

说明：本文华算科技主要介绍 SAXS 与 WAXS 的散射角和结构尺度，并区分颗粒尺寸、颗粒间距、晶面间距与晶畴尺寸。 SAXS/WAXS小角广角何定义？ SAXS 是小角 X 射…

说明：本文主要介绍同步辐射硬X射线吸收谱中的常见高能吸收边。这里的“高能元素”不是元素周期表中的正式分类，而是指选定吸收边落在较高光子能量实验窗口内的元素；文章以15—35 keV…

说明：本文华算科技主要介绍 EDS、XRF、ICP-OES 和 XPS 四种元素含量测定方法各自测量什么信号、把样品的哪一部分算进“含量”、从谱线强度换算成数值时偏差在哪一步进入，…

说明：本文主要介绍金属—氧与金属—氮配位在同步辐射谱学中的相似与差异，以及多种谱学信号如何帮助确定配位结构。 金属—氧/金属—氮配位为何易混淆？金属—氧（M–O）和金属—氮（M–N…

说明：本文华算科技主要介绍同步辐射测量晶格应变的基本原理，以及晶粒和单颗粒尺度的应变解析方法。 同步辐射怎样测到晶格应变？同步辐射装置利用高速电子的偏转产生辐射，其中的X射线可用于…

说明：本文华算科技主要介绍 XAFS 中 k、R、q 三种坐标的含义，光电子振荡与近邻距离的联系，以及傅里叶变换、反变换和滤波怎样改变谱图的表达。 k/R/q各给XAFS信号标上何…