说明：本文华算科技主要介绍反应能垒与主导路径的区别，以及前驱体覆盖度、位点占用和稳态反应网络对产物通量的影响。 反应能垒与主导路径的基本概念 一个吸附中间体转化成另一个中间体时，静…

说明：本文华算科技主要介绍同步辐射EXAFS配位数的计数对象、表面与结构混合及无序造成的变化，以及特定晶格模型中金属—氧配位数与氧空位分数的定量关系。 EXAFS配位数数的是哪些近…

说明：本文华算科技主要介绍 d 带中心与吸附成键的联系，以及自旋、反应步骤和工作态结构对催化活性解释的限制。 d 带中心与催化活性的基本定义 DFT 给出的电子本征态按能量统计后形…

说明：本文华算科技主要介绍烧结中晶粒生长的物理对象、固相晶界迁移及其限制、液相物质交换与并合，以及正常和异常长大的形成条件。 烧结时，晶粒生长改变了什么？ 粉末压坯受热后，颗粒之间…

说明：本文华算科技主要介绍异质结晶格失配率的定义、失配引起的应变与结构松弛，以及它们对第一性原理界面计算的影响。 晶格失配率，比较的是哪两个周期？ 两种半导体接触形成异质结时，接触…

说明：本文华算科技主要介绍能带理论中的绝热近似、单电子近似和周期场近似，以及它们在第一性原理电子结构计算中的含义与适用条件。 三大近似的基本含义是什么？     固体物理教材在建立…

说明：本文华算科技主要介绍 Tafel 曲线的定义、电位改变反应速率的物理过程，以及利用曲线和独立实验响应分析电化学反应机理的方法。 Tafel曲线的基本定义和坐标是什么？ 电极反…

说明：本文华算科技主要介绍催化与电化学中局部微环境的空间范围、形成过程，以及局部浓度、离子和水结构怎样影响反应与表面沉积。 微环境中的“局部”指哪里？ 催化反应发生在活性位点上，反…

整理了一套《化学键与分子间相互作用》学习资料，共177页，建议化学、材料专业人手一份！ 扫码发送“237”，免费领取全部！ ✅ 成键原理与分子结构：共价键、离子键、金属键与配位成键…

整理了159页声子性质课件，分享给材料、物理及计算方向的同学！ 涵盖声子基础、声子计算、振动模、虚频、热力学与热输运等内容，帮助大家夯实声子基础，理清计算思路！ 扫码回复“339”…

理解晶体缺陷，是解释材料性能变化与功能调控的重要基础！ 华算科技这192页PPT，涵盖缺陷类型与第一性原理模型，形成能、缺陷能级、热力学、迁移机制，带你掌握缺陷分析方法，提升计算分…

做材料计算，固体物理和量子力学底子薄怎么办？ 这141页PPT，一次说清量子模型 + 晶体缺陷 + 力学弹性常数 + 能带介电 + 声子谱实例！省下啃厚教材的时间，让你建模不踩坑、…

说明：本文华算科技主要介绍 MD 模拟时长与目标物理量收敛的关系，以及初始弛豫、时间相关、有效样本数和稀有事件对统计结果的影响。 MD模拟时长与统计收敛的基本含义 分子动力学按照粒…

说明：本文华算科技主要介绍微孔、介孔和大孔的孔宽分类，解释孔壁作用、吸附填充与物质传输的差别，以及不同实验能够分辨的孔隙信息。 微孔、介孔和大孔按什么划分？ 固体骨架内部或颗粒之间…

测得出数据不会分析？135页CV+EIS保姆级PPT整理好了！纯干货无废话，组会汇报、发SCI直接抄作业！ 🔋CV篇：原理实操、曲线解析（判断可逆性/扫速规律）、EC/CE/ECE…

说明：本文华算科技主要介绍 E–k 图与 E–x 能带图的自变量、计算来源、斜率和曲率的物理含义，以及带隙、费米能级和局域电子态的使用条件。 E–k图和E–x图的基本定义？ 周期晶…

说明：本文华算科技主要介绍界面水取向的几何定义、倾角分布的归一化、不同水组分的取向统计，以及分子模拟与和频光谱之间的联系。 界面水取向由哪些基本几何量定义？ 水分子靠近固体、薄膜或…

同一份粉末，在实验室测到几条宽峰，送到同步辐射后却出现肩峰、弱峰，采集时间还缩短了。变化来自材料，还是测量条件？判断之前，要把光源、波长、仪器分辨率和取样范围拆开看。本文华算科技主…

说明：本文华算科技主要介绍掺杂引起的局域电子态与配位变化，以及这些变化怎样影响载流子利用、表面反应和工作中的结构保持。 掺杂位置和工况为何改变性能？ 在晶体中引入少量异质原子，使其…

说明：本文华算科技主要介绍溶剂化的分子图像、它与溶解及离子配对的区别，以及材料计算中的溶剂描述。 溶剂化的定义与分子排布 离子或分子与溶剂接触时，会通过静电作用、氢键和色散作用等与…