透射电子显微镜（TEM）

说明：本文华算科技主要介绍缺陷数量与催化活性的计量方式、缺陷间相互作用对单个位点反应的影响、DFT 超胞中的缺陷浓度含义，以及确定工作态缺陷区间所需的计算和实验信号。 缺陷数量与活…

说明：本文华算科技主要介绍 EDS、XRF、ICP-OES 和 XPS 四种元素含量测定方法各自测量什么信号、把样品的哪一部分算进“含量”、从谱线强度换算成数值时偏差在哪一步进入，…

说明：本文主要介绍 EBSD 分析晶粒取向和织构时用到的基本量、样品与扫描条件的设置方法、织构组分与纤维的计算过程，以及取向和织构结果与力学各向异性、再结晶行为之间的对应关系。 晶…

说明：本文华算科技主要介绍 SEM 扫描成像、二次电子与背散射电子对比、EDS 元素分析、EBSD 晶体取向测量及其适用条件。 同一块抛光试样换用二次电子、背散射电子、EDS 或 …

说明：本文华算科技主要介绍 EDS 与元素 Mapping 的信号含义，辨认均匀、颗粒偏析和界面富集在二维图上的特征，并梳理计数波动、谱峰重叠、X 射线作用体积、样品厚度、漂移和表…

说明：本文华算科技主要介绍TEM晶格条纹暂时不可见与晶体真实失序的区别，以及利用倾转、焦距、剂量和同区复测判断原因的方法。 看不见晶格条纹于晶体消失？ HRTEM里的明暗周期来自透…

说明：本文华算科技主要介绍常规材料测试中 XRD、SEM、TEM、XPS 的常见送样量、实际上机量和样品状态，并区分普通粉末、块体、薄膜、少量样品与空气敏感样品。 对常见、稳定的无…

说明：本文华算科技主要介绍SEM样品制备：样品要满足的真空、导电和表面条件，喷金、喷碳等导电处理，含水样品的固定、脱水与干燥，以及粉末、块体和截面样品各自的制备流程。 SEM样品需…

说明：本文华算科技主要介绍HRTEM晶格条纹的成像来源，以及间距、夹角、连续长度、弯曲和中断所对应的结构信息。 HRTEM为什么会形成晶格条纹？ 晶格条纹来自透射波与衍射波的相位干…

说明：本文华算科技主要介绍 SEM、TEM、ESEM、EDS 与 EBSD 的信号来源、成像对象、样品要求和测试选择。 基本概念：五个名称属于同一类测试吗？ SEM、TEM 和 E…

说明：本文华算科技主要介绍位错在 EBSD、TEM 和 XRD 中对应的信号来源，三种方法各自把哪一部分位错计入密度结果，空间分辨率、采样体积和可测密度区间怎样限定各自数值，以及同…

说明：本文华算科技主要介绍位错、层错与孪晶各自对应的晶体结构对象，伯格斯矢量、堆垛序列和取向关系怎样标记三类缺陷，以及HRTEM、STEM、弱束暗场、SAED、FFT和EBSD分别…

很多文章会用一张SEM图来说明水凝胶“具有多孔网络”，但要注意：SEM看到的往往是冻干、断面或喷金处理后的干态形貌，不一定等于原本含水状态下的真实孔结构。 也正因为这个问题特别容易…

每次做完电镜，面对一堆衍射图谱不知道怎么标定？手动算晶面间距算到眼睛疼？今天给大家按头安利一款晶体学硬核工具——CrysTBox。 🎯 它能帮你做什么？ 单晶图谱：全自动标定晶带轴…

救命！最近在做材料表征，导师扔过来一堆同步辐射数据让我分析，EXAFS和XANES傻傻分不清，查文献看得头晕眼花…… 直到师兄甩给我这份【中科院高能所125页PPT】，看完直接打通…

说明：本文介绍了选区电子衍射（SAD/SAED）的信号来源、选区含义、相机常数与 d 间距关系，以及斑点、圆环、晶带轴和弱反射花样标定的主要依据。 SAD/SAED 是什么？ 选区…

说明：本文华算科技主要介绍扫描电子显微镜是什么，电子束和样品相互作用后会产生哪些信号，二次电子、背散射电子和特征 X 射线分别反映什么信息，SEM 图像应该怎样读，以及在材料形貌、…

说明：本文华算科技主要介绍压电材料中的电信号是什么，压力如何改变晶体内的电荷分布，哪些结构条件决定材料是否具有压电效应以及信号强弱，以及实验里怎样判断测到的确实是压电响应。 压电材…

说明：本文华算科技主要介绍缺陷为什么能提升催化活性，重点讨论氧空位、硫空位和边缘位点如何改变电子结构、吸附强度、导电路径与稳定性边界。 缺陷的本质 催化材料中的缺陷不是简单的“损伤…

说明：本文华算科技主要介绍 TEM 电子衍射是什么，电子衍射图中半径、角度、斑点、圆环和弥散晕环分别对应什么结构信息，以及在单晶、多晶、非晶样品中怎样读 SAED、FFT 和 XR…