缺陷
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氮化铝(AlN)半导体性质
氮化铝(Aluminum Nitride,简称AlN)是一种典型的宽禁带半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在光电子器件、功率器件、深紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。 本文将…
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什么是电催化火山图、d带中心、界面工程、缺陷与掺杂效应?
说明:密度泛函理论(DFT)通过吸附自由能火山图(如ΔG*H≈0 eV优化HER活性)、d带中心理论(ε_d偏移调控中间体吸附强度)及界面电荷工程(Bader电荷定量转移)指导电催…