缺陷

本文华算科技系统阐述了钙钛矿材料的基本定义、钝化技术的核心机理与应用价值，并对现阶段主流钝化剂开展系统性归类与解析。 首先，为您能更高效地开展研究，这套“钙钛矿20本电子书+顶级综…

说明：本文华算科技介绍了材料缺陷的定义、分类与主要检测方法，涵盖裂纹、孔洞、夹杂物等常见缺陷类型，并详细解析了超声波、射线、磁粉、渗透及涡流五种主流无损检测技术的原理与应用特点。 …

说明：本文华算科技介绍了氧空位的概念、作用、引入方法、重要性。氧空位可调控材料的电子结构、增强表面活性、构建离子迁移通道，并影响多物理性能。文中详细阐述了热处理、还原气氛、掺杂、溶…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：2020年PRL研究通过前线轨道分析单原子催化剂活性，发现金单原子负载于缺陷碳氮载体时，其前线轨道（DXZ或DZ²）的空间取向与…

说明：本文华算科技介绍了负载与掺杂的概念、作用原理及核心区别。负载是将功能性物质附着于载体表面或孔道内，通过界面作用调控表面性能；掺杂是将异质元素融入基体晶格，改变本征性能。二者在…

说明：本文华算科技介绍了缺陷的定义、分类及其对材料性能的提升机制。缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。缺陷可引入新的能级、改变费米能级、提供迁移通道、降低迁移能垒，从而提升材料…

说明：本文华算科技介绍了拉曼光谱的原理、拉曼峰的类型及其强度变化的意义。文中解释了基本峰、倍频峰、合频峰和缺陷诱导峰的形成机制。拉曼峰强度的变化可用于分析物质浓度、材料结构、应力、…

说明：本文华算科技介绍了晶格常数的概念及其变化的原因。晶格常数变大可能由热膨胀、元素掺杂、拉应力或相变导致。而晶格常数变小可能源于原子堆积致密化、成分变化、压应力、温度降低、结构相…

说明：本文华算科技通过介绍缺陷与掺杂的定义、影响、表征与构建方法以及应用领域，系统性的介绍了什么是缺陷、什么是掺杂，明确介绍了两者的差异。通过本文将好地理解材料修饰方法中缺陷与掺杂…

说明：本文华算科技介绍了晶体缺陷的概念、对材料性能的影响，还讨论了XRD分析晶体缺陷的基本原理，包括衍射峰宽化和位移的影响因素，并介绍了几种定量分析方法，如谢乐公式、威廉姆森-霍尔…

我们将针对晶格畸变表征常用的手段进行系列总结，包括XRD、TEM、Raman、NMR、AFM、XAFS、DFT，本文为Raman篇。 本文华算科技主要讲解拉曼光谱分析晶格畸变的相关…

说明：本文华算科技介绍了晶相工程的概念、作用、晶体相控制合成策略以及应用。通过阅读这篇文章，读者可以深入了解晶相工程如何通过调控材料的晶体结构来优化其催化性能，以及不同合成策略在实…

说明：本文华算科技详细介绍了材料表面缺陷的分类及其形成原因和影响，重点阐述了多种检测技术，包括宏观光学显微镜、白光干涉仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子…

说明：本文华算科技系统阐述了如何通过透射电子显微镜选区电子衍射（SAED）技术深度解析晶体材料的微观结构信息，探讨了SAED在晶体对称性判定、晶格参数定量、相鉴定、缺陷分析及应变表…

说明：这篇文章华算科技详细介绍了电子结构调控的策略、优势及其在材料科学中的应用。通过元素掺杂、缺陷工程、界面工程等手段，可以精准调控材料的电子结构。结合具体案例，展示了这些策略的实…

表征氧空位，本质是探测“缺失”。XPS局限表面缺失结构信息，EPR难定量缺少化学环境细节。 这些仅是间接推测 ，氧空位的 “铁证”是什么？  同步辐射XAS仅从配位数降低、吸收边左…

说明：这篇文章华算科技系统讲解了晶格氧的定义、作用及其在催化中的关键机制，重点阐述了抑制晶格氧逸出的五大策略：提高氧空位形成能、阻断氧迁移路径、调控电子结构、稳定表面结构、控制反应…

精准表征是揭示缺陷类型、浓度、分布及其与性能构效关系的核心。本文详细介绍了缺陷的10种表征方法（HR-TEM、HAADF-STEM、STM、AFM、Raman、XPS、XAS、EP…

说明：本文华算科技介绍了电催化活性位点，包括其定义、表现形式、量化方法及作用。活性位点是催化剂中促进反应的关键区域，其形式多样，如单原子位点、纳米颗粒特定位点、缺陷和界面位点等。通…

说明：本文华算科技详细介绍了氧空位的概念、形成机制、作用。对比总结了氧空位的表征方法，如XPS、EPR、TEM、HRTEM、STEM、化学滴定法、拉曼、同步辐射、PALS等，同时还…