Q1：朱老师，构建异质结，我分别选择A和B两种材料，A放着下面3层，B放着上面3层，我进行结构优化的时候，固定下面3层，这样可以吗？
A：不可以，A 只有3层还全固定，等于基底完全不能响应界面作用，界面键长/电荷转移会被硬性限制，容易得到不真实的界面结构与能量；
构建模型的时候需要将基底A做厚，然后再固定A的最多一半原子层进行计算，固定离界面最远的几层，界面附近必须放开;
Q2：朱老师，计算SOC的时候，可以使用primitive cell吗，对于CeFe2，conventional cell 是primitive cell原子数量的四倍？
A：可以，用 primitive cell 做SOC计算完全没问题，很多情况下还更推荐；
只要你的物理问题在原胞里就能表达，就可以用原胞：
铁磁/简单反铁磁/非磁：原胞通常够用
复杂磁序、缺陷、表面：往往需要超胞
CeFe2：conventional = 4× primitive正常。
Q3：朱老师，我用vaspsol算界面吸附Cl-，计算吸附能时，关于Cl-能量如何计算？
Q4：朱老师，COHP作图的时候取平均吗，还是将自旋向上和自旋向下的横坐标直接相加？
A：如果想要一个总的成键/反键结论，把 up 和 down 的 COHP 在同一能量轴上相加；
当要强调自旋分裂/磁性导致的成键差异时，
需要分别画 up / down，而不是求和。
Q5：朱老师，我在做用过渡金属对二氧化铈进行掺杂，并对Ce和其它过渡金属使用了参考文献中的U值进行DFT+U计算。我想问您一下，在这种情况下，如何对U值进行敏感性分析？
A：做 DFT+U 的敏感性分析，本质上就是把 U 当作一个超参数，系统地扰动它，然后看关键结论是否会翻转；
首先挑选体系中最关键的物理量，比如掺杂形成能、氧空位形成能、吸附能等等；
然后通过改变U值，设置一定范围内的梯度变化，做U值与关键物理量的函数即可。
