VASP中初始结构不做频率计算，Gaussian中每一步都做频率计算，所以Gaussian计算的初始结构比VASP多一个自由能校正值，这也导致了VASP计算出来的吸附过程是吸热的，而Gaussian算出来是放热的
原因1：对于周期性体系固体表面吸附的自由能计算来讲，近似认为固体表面能量受温度影响较小，不做频率矫正。
原因2：孤立分子体系的自由能用高斯计算更为准确，需要每一个结构都计算频率，因此用VASP和Gaussian进行对比并不合适。
Q3：朱老师，差分电荷密度盒子角上出现这种应该是通过哪个命令调高计算精度？
检查角上有没有原子，如果没有的话可以进行如下调整；
首先检查每个计算是否收敛，没有收敛的话重新计算至收敛;
其次检查电荷密度差的减法，需要为AB-A-B。
Q4：朱老师，得消除层间的相互作用才能导出正确的电子密度吗？
Q：老师，因为我的体系中含有Br，初始结构优化的时候层间的Br像是成键了，直接导出的电子密度是错误的，所以得消除层间的相互作用才能导出正确的电子密度吧
结构优化会将对应原子弛豫到能量的稳定状态，不论结构优化之后原子之间是否靠近成键，需要通过结构是否散架来判断收敛的合理性而非通过想象的，所以，以优化后的结果为准。
Q5：朱老师麻烦您帮我看看，这个有问题吗，不知道什么时候收敛？
如果需要使用nebef.pl脚本并且读取结构受力，必须先编译VTST到对应VASP程序里面：
搜索VTST进入官网，下载对应脚本文件上传服务器并解压使用；
将VTST算法在安装VASP的时候编译进去，可让超算工作人员处理；
过渡态计算本身时间较久难以收敛，可通过多次手动调整结构加快收敛速度。
Q6：朱老师，衡量OOH与基底的成键强度的时候，可不可以用这三个金属-氧键的icohp的加和呢？
Q：老师您好，请问如果我的OOH*与催化剂基底上的两个Pt，Ni都形成了金属-氧键，那么我在衡量这个OOH与基底的成键强度的时候，可不可以用这三个金属-氧键的icohp的加和呢
COHP计算只能衡量单个化学键的键强，如果小分子共同吸附在3个原子上面，需要一个一个化学键进行计算，然而如果需要衡量这个OOH与基底的成键强度的时候…
对，所有的ICOHP数值加起来。
Q7：朱老师，对于晶胞边界有金属的情况，是不是会对磁矩的计算有影响呢？
在这里，需要先强调一点，在VASP计算中，结构都是周期性的，所以计算只取一个单胞内的原子进行计算，其他的做边界近似处理，因此：
关注单胞内原子的位置是否位于单胞中心其实没有必要；
在VASP计算中，所有的原子都是包含在内的，在保持晶胞参数不变的情况下，完全可以拖动整体结构将边角的金属原子放在中心；
所以，它位于边角并不会对磁矩计算有任何影响。
Q8：朱老师您好，想问下这个错误怎么解决，电子步运行了几步停了？
调节AMIX参数，增大和减小；
更换ALGO算法，建议用Fast;
关闭磁性，ISPIN=1。
Q9：左边的Fe3O4上有很多的原子上有电荷密度，而右边的Ni2P上的原子却没有电荷？
Q：老师，我在求Ru单原子的差分电荷密度时，发现左边的Fe3O4上有很多的原子上有电荷密度，而右边的Ni2P上的原子却没有电荷，这样的结果是不是有问题，为什么会导致这个结果呢，我要如何调整呢。计算方法也是Ru=Ru/Ni2P/Fe3O4减去Ru再减去Ni2P/Fe3O4）
出现这个问题是因为磁矩在去掉Ru后发生变化，就会有电荷云；
计算时可以复制结构优化出来fe的磁矩，写到magmom里面;
INCAR加lorbit，outcar最后有每个原子磁矩。
Q10：没有出现reached required accuracy，是不是表示跑完了100步还是没有收敛？
在这里，需要先强调一点，在VASP计算中，所有结构优化的计算，正常收敛之后都会出现“reached required accuracy”：
INCAR参数里面NSW设置了每个结构优化计算的最大步长；
在VASP计算中，收敛完成计算即会结束，并出现“reached required accuracy”，通常不会达到最大步长；
所以，这个是没有收敛的。
