跟朱老师学VASP

引言 反应路径图最容易画得很漂亮，也最容易画错。很多图把中间体自由能、过渡态能垒、电位修正、pH 修正和气相参照都放在同一条线上，却没有说明每一段到底是什么量。结果看起来像完整机理…

引言 MoS₂ 做 HER 时，常见说法是边缘位和缺陷位更活跃。但 1T/2H-MoS₂ 的相边界问题更细：一侧是半导体 2H 相，一侧是金属性 1T 相，中间还有原子滑移形成的边…

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引言 应变效应听起来很直观：把晶格拉长或压短，再算吸附能变化。但真正做起来，问题会马上出现：到底固定面内晶格还是让原子完全弛豫？吸附前后是否用同一个应变基准？应变改变的是电子结构，…

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引言 OER 机理判断最容易混在一起的地方，是把所有含氧中间体都放进 *OH、*O、*OOH 三步自由能里，然后默认它就是吸附质演化机制。对于含氧化物、羟基氧化物和高价过渡金属位点…

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引言 热催化反应和电化学自由能图最大的差别，是温度、压力和气相分子熵不能被随意略去。VASP 给出的总能通常接近 0 K 电子能，不能直接当作目标温度下的 Gibbs 自由能。热催…

引言 很多吸附计算先在真空 slab 上比较 *COOH 或 *OOH，然后发现加一两个 H2O 后自由能顺序变了。这个变化不一定说明原来的位点算错了，而是说明这两个中间体本来就很…

从搭建输入文件到提取计算结果，华算科技这份《VASP中文手册-使用入门指南》带你速通！ ✅ 围绕结构、电子性质及表面体系等常见计算任务，梳理操作要点，随学随查！ 扫码回复“355”…

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引言 NiFe 合金做 NRR 时，很多人会先问 N₂ 吸附能和 *NNH 形成自由能。但如果要解释为什么某个 Ni-rich、Fe-rich 或 Ni-Fe 邻位更容易活化 N₂…

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引言 二维电极里常见 Li、Na、K、Mg、Zn 等离子吸附、电位和容量计算，但不能把 Li 的公式不加修改地套到所有离子。多离子储能的核心差别来自化学势、转移电子数和质量归一化。…

引言 弹性张量输出里出现负值时，最容易发生两种极端判断：一种是直接认为材料力学不稳定，另一种是把负值全部当成计算错误。VASP 给出的 Cᵢⱼ 来自微小应变下的应力或能量响应，负值…

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引言 半导体表面吸附后，吸附物会改变表面电荷和局域偶极，费米能级、真空能级、价带顶和导带底不再像体相那样直观。带边弯曲不是单独看 DOS 峰位就能处理的问题，它需要把 LOCPOT…

引言 NRR 最容易低估的一步，不是后面六电子还原，而是第一步 *N2 吸附。N2 分子很稳定，N≡N 键短且惰性；如果初始吸附姿态选得太少，最后很可能只是在比较几个局部构型，而不…