VASP朱老师-华算科技
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NRR 算到 NH₃ 就结束了吗?
引言 氮还原反应(Nitrogen Reduction Reaction, NRR)的自由能图如果停在 *NH₃,描述的是表面形成了吸附态氨。它能否进入溶液、第二个氮原子是否也已释…
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NO₃RR 中 NH₃ 和 N₂ 选择性怎样比较?
引言 硝酸根还原反应(nitrate reduction reaction, NO₃RR)的 NH₃ 路径已经算出,怎样判断 N₂ 是否更有竞争力?在台阶图末端加上 N₂,并不能建…
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VASP教程 | DFT计算在电池领域的应用
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:VASP教程 | DFT计算在电池领域的应用 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大…
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【DFT小白必看】OER中间体吸附与差分电荷:OH/O/OOH构型搭建 → 吸附能计算 → VESTA差分电荷图!| 华算科技 DFT计算 催化 OER计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:【DFT小白必看】OER中间体吸附与差分电荷:OH/O/OOH构型搭建 → 吸附能计算 …
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DFT 怎样辅助解释 XPS 化学位移?
引言 同一种元素的 X 射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)峰向高结合能移动,常被解释为失电子或价态升高。但密度泛函理论(d…
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NO₃RR 中 NH₃ 生成以后,怎样计算脱附步骤?
引言 硝酸根还原反应(Nitrate Reduction Reaction, NO₃RR)的自由能图如果止于 *NH₃,只能说明吸附态氨已经形成。氨进入气相还是溶液、是否进一步变成…
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【DFT小白必看】终于有人说清楚“单原子催化剂建模!”| 华算科技 DFT计算 VASP Materials Studio OER计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:【DFT小白必看】终于有人说清楚“单原子催化剂建模!”| 华算科技 DFT计算 VASP…
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ORR中*O₂和*OOH的自旋态怎么处理?
引言 ORR 计算里,O₂ 和 *OOH 都带有明显的开壳层特征。气相 O₂ 是三重态,吸附后的 *O₂ 可能转为超氧或过氧特征,*OOH 又会同时牵动 O-O 键、H 位点和金属…
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VASP教程 | DFT计算在催化领域的应用
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:VASP教程 | DFT计算在催化领域的应用 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大…
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VASP教程 | DFT计算在半导体领域的应用
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:VASP教程 | DFT计算在半导体领域的应用 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济…
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贝里曲率热点怎样从 VASP 和 Wannier 后处理中找到?
引言 贝里曲率(Berry curvature)常被画成红蓝相间的 k 空间图,但真正要处理的是一套后处理判断:热点是不是来自目标能带,Wannier 插值有没有偏离 VASP 能…
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AIMD怎样判断界面水结构是否适合继续做静态吸附计算?
引言 显式水 AIMD 的主要作用,是记录界面水、吸附物和表面位点在有限温度下的共同演化。将轨迹中的构型用于静态吸附计算前,需要确认水层分布已进入可取样区间,目标中间体在该时间段内…
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COHP 和 ICOHP 怎样解释吸附键强弱?
引言 吸附能给出整个体系的总能变化,但它不能直接说明某一根吸附键在能量空间里由哪些轨道贡献支撑。COHP(Crystal Orbital Hamilton Population)把…
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VASP教程 | DFT计算地位的变化
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:VASP教程 | DFT计算地位的变化 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科…
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带电吸附态在 slab 模型里能不能直接算?
带电吸附态常出现在电催化模型里,例如 CO₂⁻、NO₃⁻、OH⁻、O₂⁻ 或带额外电子的极性中间体。直接把吸附物放到 slab 上,再用 NELECT 增减电子,VASP 可以给出…
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掺杂超胞能带太密,怎样识别杂质态?
引言 掺杂超胞的能带常常出现大量交叉线,即使加上原子投影,也难以判断新增的态来自杂质,还是母体能带的折叠。带隙里的一条平带、带边附近的弱信号和费米能级附近的展宽,可能对应不同物理来…
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DFT计算在半导体、催化、电池领域的应用 | 科研话题系列视频第一期 【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了VASP教程:DFT计算在半导体、催化、电池领域的应用 | 科研话题系列视频第一期 【朱老师讲VASP…
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固定底层会怎样影响吸附能和反应能垒?
slab 计算常把底层原子固定在体相位置,以模拟半无限固体。但固定层并不是无关设置;它会改变表面弛豫、吸附诱导形变和过渡态附近的应变释放。吸附能和能垒都是能量差,只有相关结构采用同…
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VASP答疑汇总,内容涉及异质结、功函数、费米能级、晶胞、结构优化、吸附等!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:VASP答疑汇总,内容涉及异质结、功函数、费米能级、晶胞、结构优化、吸附等!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算 朱…
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表面扩散和反应谁更快?
引言 吸附物先迁移到邻位,再发生断键或成键,常被简化为两条能垒的比较。但迁移终态可能只是短暂停留的中间态,吸附物也可能返回原位,或在其他方向继续扩散。两条 NEB 曲线若各自归零,…