引言 一维纳米线和二维 slab 的边界条件完全不同。slab 通常在一个方向留真空、两个方向保持周期；纳米线只沿轴向周期重复，横向两个方向都要隔开周期镜像。模型如果没有把这件事处…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：【华算科技VASP零基础特训营】专题七：电池计算案例分析 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济大学本科直接攻读博士学位…

引言 NEB 计算中最让人头疼的现象之一，是中间图像优化着优化着就靠回初态、终态，或者一起落到某个中间低能结构里。表面上看像是路径“塌回去”，本质上却不是一个单一错误。它可能来自端…

引言 高熵合金表面看起来像一个“元素随机铺开的晶面”，但计算时不能把随机两个字当成方法。PdPtFeCoNi、AgIrOsPtRuRh 这类多元表面上，同一个 top 位可能被不同…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：【华算科技VASP零基础特训营】专题六：二维材料计算专题案例分析 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济大学本科直接攻读…

引言 Bader 分析看起来像一个后处理命令，实际最关键的部分发生在命令之前。它要在三维电荷密度网格上寻找零通量面，再把每个原子区域内的电子数积分出来。CHGCAR 如果太粗、没有…

引言 非晶氧化物催化剂最难算的地方，不是把晶胞优化到收敛，而是没有一个唯一的晶面可以代表全部表面。RuO₂、IrOₓ、CoOₓ、NiFeOₓ 这类体系在电化学条件下常有无序层、羟基…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【华算科技VASP零基础特训营】专题五：晶体材料计算案例分析 朱老师讲VASP，华算科技…

引言 Cu 表面 CO₂RR 最绕人的地方之一，是 *CO 的身份会变。它可以是产 CO 路径的终点，也可以是生成 CH₄、CH₃OH 或 C₂ 产物的中间体；在覆盖度过高或后续加…

引言 功函数变化很容易被写成催化活性提升的原因：功函数降低，电子更容易给出去；功函数升高，表面更容易吸引电子。这个说法有物理直觉，但不能直接替代吸附自由能。功函数看的是表面电子逸出…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【华算科技VASP零基础特训营】专题四：开源软件LOBSTER与数据后处理和Gnuplo…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【华算科技VASP零基础特训营】专题四：开源软件LOBSTER与数据后处理和Gnuplo…

引言 半导体缺陷迁移计算以明确的路径对象为单位。空位、间隙位和反位缺陷在不同电荷态下会有不同局域弛豫；电荷态、端点身份和原子映射必须同时固定。后续端点优化、图像插值和能量读取都围绕…

引言 自由能路径里最隐蔽的错误，往往不是中间体结构，而是参照态。H2、H2O、N2、NO3−、CO2 各自有不同自旋、溶剂、电荷和热力学校正问题。参照态一旦不统一，后面的每一个台阶…

引言 在 MoS₂、CoS₂、NiSₓ 和多金属硫化物中，S 空位常被写成提升析氢反应（hydrogen evolution reaction, HER）活性的关键因素。真正进入计…

引言 d 带中心、p 带中心和 EF都能拿来描述电子结构，但三者并不是同一种量。d 带中心主要压缩金属 d 态的位置，p 带中心更常用来观察非金属 p 态或吸附物 p 态，EF则首…

引言 二维异质结常被说成能促进电荷分离，但这个结论不能只靠两层材料叠在一起。真正要判断的是：两侧能带是否形成驱动力，界面是否发生电荷转移，转移后是否建立能帮助电子和空穴分开的电势梯…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【华算科技VASP零基础特训营】专题三：VASP输入输出文件介绍与上机实操演示 朱老师讲…

引言 二维半导体上加外电场，最容易出现两个结果各说各话：能带图显示 VBM 或 CBM 移动，吸附自由能又给出另一个排序。真正要比较的是同一组场强、同一方向、同一真空参照下，带边、…

引言 吸附能很负，并不等于吸附物与表面的直接相互作用同样强。把吸附能分成形变能与相互作用能，才能区分“成键获得多少能量”和“为了形成该构型付出多少结构代价”。分子弯曲、键长改变、表…