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说明：本文华算科技主要介绍交换关联泛函的定义、常见近似采用的电子信息，以及这些近似对电子密度、吸附能和晶型自由能的影响。 交换关联泛函的输入和输出是什么？ 电子密度 n(r) 给出…

引言 NEB（nudged elastic band）在 VASP 中用一串中间图像连接反应初态 IS 和终态 FS，通过弹簧约束和垂直于路径方向的真实力优化，近似寻找最低能路径及…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【VASP答疑】1分钟搞定10个问题？内容涉及到二维材料、结构优化、自洽计算、静电势等，…

每次组会汇报，导师都嫌你的“传质过程”解释得太干瘪？ 别慌！《100张孔道传质与分子限域图库》来啦！无论你是做 MOF/COF、沸石分子筛，还是膜分离、电化学储能，这绝对是你写 S…

说明：本文华算科技主要介绍 FT-IR 谱图的信号来源、峰位与峰形归属、差谱和原位谱的变量判断，以及 DFT 振动频率对实验归属的校准作用。 FT-IR 谱图记录的物理量是什么 F…

引言 LOCPOT 不是只用来画一条漂亮的电势曲线。它能帮助判断真空能级、功函数、界面电势降和偶极修正是否可靠。真正要盯的是三件事：平面平均后有没有稳定平台，平台读取是否避开原子层…

说明：本文华算科技主要介绍 XAFS/EXAFS 中相位移动的来源，R 空间峰位与真实键长之间的差别，以及相位校正、FEFF 路径和 ΔE0 在键长拟合中的作用。 EXAFS的R空…

说明：本文华算科技主要介绍氧空位表征中不同实验信号和 DFT计算结果各自对应的物理对象，包括缺失氧位点、表面化学态、未成对电子中心、局域结构弛豫、缺陷态和氧迁移路径。 氧空位表征的…

引言 很多 VASP 初学者第一次遇到 NBANDS，是因为程序提示带数不够，或者光学性质算出来只有一段很短的谱。NBANDS 表面上只是“算多少条能带”，实际影响的是未占据态数量…

说明：本文主要介绍同步辐射XAFS 中 k 加权的物理含义，k1χ(k)、k2χ(k)、k3χ(k) 对低 k / 高 k 振荡、傅里叶峰、散射路径和拟合参数的影响。 χ(k)振荡…

说明：本文主要介绍分子间弱相互作用在材料计算中的含义、能量来源、常见计算图谱、材料场景和判断条件。 分子间弱相互作用在计算里指什么？ 分子间弱相互作用指两个分子、离子或分子片段靠近…

说明：本文华算科技主要介绍自旋极化在第一性原理计算中如何把电子密度拆成上、下自旋分量，以及自旋密度、磁矩、能带和模型条件之间的相互指向。 自旋极化在DFT中改变的计算对象是啥 在自…

引言 本文华算科技主要介绍Sabatier原理与火山图的关系，并说明如何用 VASP计算出的几个吸附中间体能量构建催化活性趋势图。 Sabatier原理 Sabatier原理指出，…

说明：本文华算科技主要介绍 XAFS 拟合中 R 因子、χ² 和约化χ²的数值来源，以及它们与谱线残差、噪声权重、自由度和拟合参数数量之间的关系。 XAFS拟合残差来自哪些谱线差值…

引言 看电子结构图时，最容易犯的错就是把颜色当结论。活性位旁边电子云更密，并不等于它一定更活泼；有时那只是结构压缩、参考体系选择或吸附后极化带来的视觉变化。本文把电荷密度、自旋密度…

说明：本文华算科技主要介绍纳米片、纳米线、纳米棒和纳米花这四种形貌的生长差异从哪里来、纳米片的厚度和纳米线/纳米棒的长径比怎样改变传输距离、纳米花的枝干–花瓣结构怎样影…

说明：本文华算科技主要介绍吸附构型的基本含义，以及吸附位点、分子取向、覆盖度和表面重构为什么会改变吸附能。 吸附能不是脱离结构单独存在的数值。一个分子贴在表面上，究竟靠近哪个原子、…

说明：本文华算科技主要介绍纳米颗粒沉降的力学来源、胶体稳定机制、粒径和表面电荷影响。重点说明纳米颗粒不一定永远悬浮，团聚后的有效尺寸才是沉降快慢的关键。 纳米颗粒沉降的本质 单个纳…

吸附与催化是当前热门研究领域，常见的计算结果包括催化剂结构，磁性，电子性质等，这些性质对催化剂有着决定性作用。本章华算科技朱老师将正式介绍催化领域的表面与低维结构模型构建，磁性体系…

说明：本文华算科技介绍了 XRD 图谱中的峰位、峰强和半峰宽分别对应什么结构信息？三者如何反映晶面间距、相组成、结晶度、择优取向、晶粒尺寸和微应变？以及为什么不能孤立解读某一个参数…