功能纳米​

说明：本文华算科技主要介绍固相烧结中颗粒并合、晶粒长大、烧结颈生长和孔隙收缩的物理原因，并说明这些过程为何有时同步、有时彼此脱开。 颗粒与孔隙演变的本质 粉末颗粒是烧结前可辨认的几…

说明：本文华算科技主要介绍氧空位表征中的测量对象、原子尺度定量校准、空间分布重建与工作态氧交换判读。 氧空位表征的基本测量对象 氧空位指参照晶体中应由氧占据、在待测状态下却为空的晶…

引言 MoS₂ 做 HER 时，常见说法是边缘位和缺陷位更活跃。但 1T/2H-MoS₂ 的相边界问题更细：一侧是半导体 2H 相，一侧是金属性 1T 相，中间还有原子滑移形成的边…

说明：本文华算科技主要介绍周期性第一性原理计算中，如何把掺杂对象转成可比较的原子模型，以及构型枚举、形成能和弛豫验收各自约束哪些判断。 掺杂模型包含哪些计算对象？ 一个可比较的掺杂…

说明：本文主要介绍掺杂元素的存在、晶格占位、空间分布、局域配位及第一性原理计算如何共同限定掺杂成功的判断。 掺杂成功的定义包含哪些原子状态？ 掺杂后的固体通常含有一组并存状态：外来…

引言 氧空位不是简单少了一个 O 原子。去掉 O 以后，原来参与 M-O 键的电子、邻近金属的配位数、局域磁矩和吸附物进入方式都会改变。氧空位改变催化活性，核心不是“多了一个洞”，…

说明：本文主要介绍掺杂电荷在局域缺陷态、宿主能带和补偿缺陷之间的分配机制，以及缺陷形成能、局部重构、化学环境与电子结构结果各自限定的判断范围。 掺杂电荷指向哪三类状态？ 一个掺杂模…

说明：本文华算科技主要介绍氧空位引起的占位、配位与电子态变化，以及同步辐射衍射、X射线吸收谱和谱学显微成像各自读取的物理量。 氧空位究竟对应哪些可测量？ 氧空位对应晶体中某个氧晶格…

引言 负载型金属颗粒的吸附计算里，初始构型常被命名为金属边缘位、载体缺陷位或界面桥位。但优化结束后，吸附物可能跨到金属和载体之间，也可能把氧空位附近的原子拉出原位置，甚至让金属颗粒…

引言   MXene 和 MBene 表面很少只带一种理想终止基。HF、LiF/HCl、电化学处理或碱洗之后，表面常见 O、OH、F 共存，比例还会随 pH、刻蚀条件和后处理变化。…

引言 掺杂位点不能只算一个，因为“掺进去了”并不等于“掺在同一个物理环境里”。表层掺杂直接改变吸附位，次表层掺杂主要通过应变和电子效应调节表层，体相掺杂则更像整体结构或载流子背景的…

说明：本文华算科技主要介绍掺杂原子的候选占位、缺陷形成能、平衡浓度、自补偿和局域成键，并讨论第一性原理计算对晶格占位的判断范围。 晶格占位在计算模型中怎样定义？ 晶体的空间群和 W…

说明：本文华算科技主要介绍掺杂前后 HOMO、LUMO 的计算对象，原子势、电子数、几何弛豫与库仑环境对前线能级的作用，以及轨道重排和计算参照的核验方法。 掺杂前后比较的HOMO和…

说明：本文华算科技主要介绍掺杂的晶格身份、电子计数、电荷补偿、杂质能级和第一性原理判断范围。 掺杂的基本概念怎样限定原子身份？ 掺杂描述少量异质原子进入宿主材料后形成可辨认的占位，…

引言 掺杂模型里，一个原子替位常被当成“低浓度掺杂”。但在周期性边界下，它其实代表一个无限重复的有序掺杂阵列。超胞越小，掺杂原子之间的周期性距离越近；超胞越大，才更接近稀释掺杂。掺…

多孔材料中，微孔提供高比表面积和活性位点，介孔与大孔则用于降低传质阻力、缩短扩散路径。单一孔径往往难以同时兼顾吸附容量与传输效率！ 本次华算科技整理了【250+多孔材料结构图】，涵…

说明：本文华算科技主要介绍掺杂对XRD图谱峰位、峰宽、相对强度和物相组成的影响，以及第一性原理结构模型与衍射结果的对应范围。 XRD衍射峰的基本构成由哪些晶体量决定 粉末 XRD …

说明：本文华算科技主要介绍掺杂原子进入晶格的物理含义，以及平均晶体占位、局域配位、原子尺度空间分布与计算模型各自能够回答的问题。 怎样才算掺杂原子进入晶格？ 实验配方写入某种元素，…

金属单原子、双原子和小团簇经常被放在同一张图里比较，但 M1、M2、M4并不是“金属数量逐渐增加”的简单序列。单原子位点通常没有金属—金属键，双原子开始出现邻位协同，小团簇则可能表…

说明：本文华算科技主要介绍孪晶与孪晶界在EBSD取向数据里的取向差特征，以及面心立方退火孪晶和密排六方形变孪晶各自的识别方法。 孪晶和孪晶界在取向上有什么特征？ 孪晶是同一颗晶体内…