材料性质理论

说明：本文华算科技主要介绍分子到达固体表面后的吸附态、表面迁移与解离，以及覆盖度如何改变这些过程。 吸附机理的基本含义是什么？ 气体或液体中的分子靠近固体表面后，可能完整停留、沿表…

说明：本文华算科技主要介绍价带顶、导带底与能带、态密度之间的计算联系，以及带边位置、态密度形状和轨道投影各自支持的判断。 同一组电子态怎样绘成两种图？ 晶体中的电子态由能带序号 n…

说明：本文华算科技主要介绍能带对齐的物理含义、界面形成后带边归属的变化、第一性原理计算中层与动量分辨的判读方法，以及它对光学和输运分析的适用范围。 能带对齐：同一能量轴态如何归属？…

费米能级为什么随温度和掺杂变化？p型、n型材料接触后为何出现能带弯曲？这份182页能带与费米能级PPT将半导体能带知识集中讲透！ ✅ 理论打底： 涵盖原子轨道、能带形成、布洛赫态、…

引言 很多论文会把 DFT 自由能图和实验 Tafel 斜率放在一起：自由能台阶低，Tafel 斜率小，于是说明动力学更快。这个方向可以讨论，但不能直接画等号。DFT 台阶通常是热…

说明：本文华算科技主要介绍氧空位表征中的测量对象、原子尺度定量校准、空间分布重建与工作态氧交换判读。 氧空位表征的基本测量对象 氧空位指参照晶体中应由氧占据、在待测状态下却为空的晶…

说明：本文华算科技主要介绍能带对光吸收、发光、光电化学转换和热电输运的影响，以及带隙、电子态对称性、曲率和能谷位置改变后的性能差异。 能带是什么，计算中的曲线从何而来？ 晶体中电子…

说明：本文华算科技主要介绍介电函数的定义、DFT 光学响应的计算来源，以及吸收、折射和偏振性能的分析方法与适用条件。 介电函数的定义为什么包含频率和复数 频率为 ω 的弱电场作用于…

说明：本文华算科技主要介绍 sp、sp2、sp3、sp3d、sp3d2 的轨道构造、理想局域几何、典型成键方式，以及第一性原理计算对这些标记的核验范围。 杂化轨道的含义与局域几何 …

不管是做DFT计算，还是研究材料的表面特性，最后总绕不开“能带。这【100页PPT详解能带理论】直接带你降维打击，从源头搞懂固体物理的底层逻辑！ 扫码发送“193”领取！ ✅透彻解…

说明：本文华算科技主要介绍周期性第一性原理计算中，如何把掺杂对象转成可比较的原子模型，以及构型枚举、形成能和弛豫验收各自约束哪些判断。 掺杂模型包含哪些计算对象？ 一个可比较的掺杂…

说明：本文主要介绍掺杂元素的存在、晶格占位、空间分布、局域配位及第一性原理计算如何共同限定掺杂成功的判断。 掺杂成功的定义包含哪些原子状态？ 掺杂后的固体通常含有一组并存状态：外来…

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说明：本文华算科技主要介绍异质结按界面原子连接、空间组合、物相来源和电子结构命名时的类型，以及各类名称对应的计算对象。 异质结的基本对象由什么量划分？ 两个区域在化学组成、晶体相或…

引言 PDOS 图里金属 d 峰和吸附物 p 峰挨得近，很容易被写成“轨道杂化增强”。但峰靠近只是可能发生相互作用的线索，真正的成键还要看峰形变化、占据区间、反键态、键长和吸附能。…

说明：本文华算科技主要介绍吸附能的能量参照、正负号约定、参考物选择、覆盖度定义，以及电子能与吸附自由能之间的区别。 吸附能的定义及正负号由何反应定？ 设清洁表面为 S，孤立吸附物为…

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说明：本文主要介绍掺杂电荷在局域缺陷态、宿主能带和补偿缺陷之间的分配机制，以及缺陷形成能、局部重构、化学环境与电子结构结果各自限定的判断范围。 掺杂电荷指向哪三类状态？ 一个掺杂模…

说明：本文华算科技主要介绍物理吸附和化学吸附在 DFT 中的状态定义、候选构型搜索、实空间函数、轨道响应、振动信号与反应坐标分析。 物理吸附和化学吸附的计算定义？ 吸附类型描述界面…

说明：本文华算科技主要介绍缺陷形成能的热力学定义、原子与电子参照、带电超胞修正，以及有限温度下由形成自由能推算缺陷浓度的方法。 缺陷形成能是什么？ 在完整晶体中拿走一个氧原子，计算…