材料性质理论

说明：本文华算科技主要介绍材料论文中(111)、(100)、(110)所指的晶面取向，比较面心立方金属三种表面在配位数、原子面密度、表面能和重构上的差别，并结合硅片刻蚀、二维材料外…

说明：本文华算科技主要介绍吸附构型的原子结构含义、配位方式、分子形变与质子转移，以及结构弛豫和显微图像中的构型识别。 吸附构型的基本含义是什么？ 吸附构型描述吸附物与表面原子的空间…

说明：本文华算科技主要介绍结合能与吸附能的定义、两者数值重合的条件，以及分子间作用、结构弛豫和参考状态对能量差的影响。 结合能与吸附能的定义为何会重合？ 结合能通常用于描述若干组分…

说明：本文华算科技主要介绍接触角的定义与座滴测量，接触角数值与亲水、疏水划分及固–液黏附功之间的换算，用多种探针液体的接触角求固体表面自由能的方法，以及前进角、后退角和滑动角在超疏…

说明：本文华算科技主要介绍能带和禁带的定义，原子轨道耦合与晶格周期势怎样在晶体中形成能带和禁带，以及禁带宽度与热激发、光吸收、缺陷能级和计算带隙之间的关系。 能带和禁带分别指什么？…

说明：本主华算科技要介绍吸附能与催化速率的区别，以及反应物共吸附、位点分工和产物选择性如何改变强吸附的作用。 吸附能的基本定义与催化速率有何不同？ 在表面模型中，吸附能通常写成 E…

说明：本文华算科技主要介绍表面能与界面能的定义、DFT 总能的参考状态，以及黏附功、共格应变和环境组成对两类能量比较的影响。 表面能和界面能的定义是什么？ 一块晶体暴露在真空中，外…

  说明：本文华算科技主要介绍载流子复合需要满足的量子条件、辐射与非辐射路径、第一性原理可计算的跃迁率，以及实验寿命与微观机制之间的换算条件。 载流子复合的基本过程是什么？ 半导体…

刚进组看能带像看天书？一碰到Bloch定理、布里渊区、能隙推导就头大？ 这次华算科技整理了70页【能带理论基础】PPT ！从单电子三大假设、Bloch定理到两大核心模型（近自由电子…

说明：本文华算科技主要介绍分子到达固体表面后的吸附态、表面迁移与解离，以及覆盖度如何改变这些过程。 吸附机理的基本含义是什么？ 气体或液体中的分子靠近固体表面后，可能完整停留、沿表…

说明：本文华算科技主要介绍价带顶、导带底与能带、态密度之间的计算联系，以及带边位置、态密度形状和轨道投影各自支持的判断。 同一组电子态怎样绘成两种图？ 晶体中的电子态由能带序号 n…

说明：本文华算科技主要介绍能带对齐的物理含义、界面形成后带边归属的变化、第一性原理计算中层与动量分辨的判读方法，以及它对光学和输运分析的适用范围。 能带对齐：同一能量轴态如何归属？…

费米能级为什么随温度和掺杂变化？p型、n型材料接触后为何出现能带弯曲？这份182页能带与费米能级PPT将半导体能带知识集中讲透！ ✅ 理论打底： 涵盖原子轨道、能带形成、布洛赫态、…

引言 很多论文会把 DFT 自由能图和实验 Tafel 斜率放在一起：自由能台阶低，Tafel 斜率小，于是说明动力学更快。这个方向可以讨论，但不能直接画等号。DFT 台阶通常是热…

说明：本文华算科技主要介绍氧空位表征中的测量对象、原子尺度定量校准、空间分布重建与工作态氧交换判读。 氧空位表征的基本测量对象 氧空位指参照晶体中应由氧占据、在待测状态下却为空的晶…

说明：本文华算科技主要介绍能带对光吸收、发光、光电化学转换和热电输运的影响，以及带隙、电子态对称性、曲率和能谷位置改变后的性能差异。 能带是什么，计算中的曲线从何而来？ 晶体中电子…

说明：本文华算科技主要介绍介电函数的定义、DFT 光学响应的计算来源，以及吸收、折射和偏振性能的分析方法与适用条件。 介电函数的定义为什么包含频率和复数 频率为 ω 的弱电场作用于…

说明：本文华算科技主要介绍 sp、sp2、sp3、sp3d、sp3d2 的轨道构造、理想局域几何、典型成键方式，以及第一性原理计算对这些标记的核验范围。 杂化轨道的含义与局域几何 …

不管是做DFT计算，还是研究材料的表面特性，最后总绕不开“能带。这【100页PPT详解能带理论】直接带你降维打击，从源头搞懂固体物理的底层逻辑！ 扫码发送“193”领取！ ✅透彻解…

说明：本文华算科技主要介绍周期性第一性原理计算中，如何把掺杂对象转成可比较的原子模型，以及构型枚举、形成能和弛豫验收各自约束哪些判断。 掺杂模型包含哪些计算对象？ 一个可比较的掺杂…