VASP吸附与催化计算专题培训

引言 尖晶石铁氧体常写成 AB₂O₄，但真正进入 ORR 计算后，A 位和 B 位并不是两个普通标签。四面体位、八面体位、表面终止和阳离子反位会同时改变 可吸附位点和反应中间体 的…

引言 Co-N4 分子催化剂用于 NO3RR 时，若只统计 Co 位点本身而忽略 N4 配体的电子参与，会漏掉金属-配体协同作用。配体会改变 Co 的电子占据、轴向配位能力、硝酸根…

引言 很多反应能垒算不顺，不是 NEB 插点不够，也不是收敛标准太松，而是路径两端的自旋态本来就不在同一条电子态曲线上。尤其遇到 O2、*OOH、过渡金属单原子或氧化物表面时，如果…

引言 Bader电荷、差分电荷和 Mulliken 电荷经常被放在同一段里，但它们解决的不是同一个问题。Bader 把电子密度按空间分区积分，差分电荷看吸附或成键前后的电子重排，M…

引言 同一个晶体结构，为什么用不同 MAGMOM 起算会得到不同能量、不同总磁矩，甚至不同 PDOS？原因在于 VASP 求的是电子自洽解，而磁性体系的自旋分布可能有多个局域极小点…

引言 金属/氧化物界面常被写成“协同作用”，但这个词太宽了。金属颗粒和氧化物接触以后，界面结合会改变结构稳定性，电子转移会改变功函数和局域价态，晶格失配会引入应变，氧空位还可能把金…

引言 高熵氧化物做催化模型时，难点不只是“元素多”。同一个表面上，金属种类、近邻配位、氧空位位置和局域畸变会同时变化；一个 *OH 或 *OOH 看到的并不是平均组成，而是几埃范围…

引言 M-N4单原子位点常被当成一个平面四配位中心。加入轴向配体 L 后，金属不再只是被四个 N 固定在平面里，而是变成 M-N4-L 这类五配位或准五配位环境。这个改变会影响金属…

引言 OER计算里，干净表面只是起点。真实反应电位下，表面往往已经被 *OH、*O 或水层占据。若还把后续 *OH、*O、*OOH 全部放在干净位点上，得到的自由能路径可能对应一个…

引言 OER 机理常被写成 AEM 或 LOM，但这两个缩写不是两种叫法而已。AEM 主要让 *OH、*O、*OOH 这些吸附态在金属位点上逐步演化；LOM 则让晶格氧真正参与 O…

引言 尖晶石氧化物做 OER 时，很多判断不能只停在“哪个元素更活泼”。尖晶石本身有四面体位和八面体位，常见晶面又会暴露不同配位环境；进入 OER 电位后，表面还可能变成羟基化层、…

引言 算 HER 时，很多人已经知道 ΔGH* 要接近 0 eV，但真正整理数据时，常常只把 DFT 总能差拿来用。问题在于，H* 不是一个静止的小球，它在表面有振动；H2 气体还…

引言 MXene不是一张简单的裸金属碳化物表面。实际 Ti3C2Tx、Ti2CTx 常带 O、OH、F 等端基，端基种类和覆盖度会同时改变表面电势、吸附位点、层间距和电子结构。如果…

引言 高熵合金表面最难的地方，不是元素多，而是同一个晶面上几乎每个位点的邻居都不一样。一个 *OH 或 *CO 放在顶位、桥位、三重空位时，中心金属、第一近邻、第二近邻都可能改变吸…

引言 声子谱看起来像一张曲线图，背后其实是一个很敏感的力常数问题。超胞太小，原子位移只感受到近邻相互作用；位移太大，会混入非线性响应；位移太小，又容易被数值噪声淹没。声子谱计算的核…

引言 把 DFT 总能换成电催化自由能时，最容易混乱的不是公式本身，而是参照。酸性条件下常写 H+ + e–，碱性条件下常出现 H2O 和 OH–，实验图又…

引言 同一种材料换一个晶面，ΔGH* 可能就会从接近 0 eV 变成偏正或偏负。原因不只是表面原子排得不一样，而是表面配位数、台阶密度、应变、电子态和吸附位点一起变了。晶面差异改变…

引言 合金表面偏析最容易被忽略的点，是初始掺杂位置并不等于最终工作表面。你可以把 Pd 放在 Cu 表层，也可以把 Co 放在 PtCo 颗粒核心；但结构优化、气氛、吸附物和反应电…

引言 做氧化物、合金或高熵合金表面时，*OH 覆盖度很容易被当成一个“随手放几个”的设置。其实，一个羟基、半覆盖和满覆盖代表的是不同表面化学环境：孤立 *OH 更像单个位点吸附，半…

引言   吸附与催化是当前热门研究领域，常见的反应有氢析出反应、氧析出与还原反应、氮气还原反应、二氧化碳还原反应。本章华算科技朱老师将正式介绍这些反应所涉及的中间体结构、自由能、过…