VASP计算体系

引言 同一张二维薄层，只增加真空高度，VASP 输出的弹性常数却下降了。原子键和面内晶格没有改变，这种变化通常源于程序按整个周期超胞体积归一化。对单层、双层和吸附后的二维基底，二维…

引言 两个氧空位靠近之后，总能降低，是否就能认定空位之间存在吸引？答案取决于拿什么状态作参照。相邻构型与远离构型的能差、两个孤立空位的结合能，以及不同电荷态的形成能，分别对应不同的…

引言 同一种元素的 X 射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS）峰向高结合能移动，常被解释为失电子或价态升高。但密度泛函理论（d…

引言 显式水 AIMD 的主要作用，是记录界面水、吸附物和表面位点在有限温度下的共同演化。将轨迹中的构型用于静态吸附计算前，需要确认水层分布已进入可取样区间，目标中间体在该时间段内…

引言 吸附能给出整个体系的总能变化，但它不能直接说明某一根吸附键在能量空间里由哪些轨道贡献支撑。COHP（Crystal Orbital Hamilton Population）把…

说明：本文华算科技主要介绍 Bader 原子盆电子数产生小数的原因、它与整数电子计数和氧化态的关系，以及分区电荷的数值收敛与比较条件。 Bader电荷中的电子数怎样定义？ 一份标为…

说明：本文华算科技主要介绍 Bader 电荷分析的密度分区与电子数积分、配位基团的电荷统计、带电界面的参照态，以及密度表示和网格对结果的影响。 Bader分析的基本定义是什么？ 分…

slab 计算常把底层原子固定在体相位置，以模拟半无限固体。但固定层并不是无关设置；它会改变表面弛豫、吸附诱导形变和过渡态附近的应变释放。吸附能和能垒都是能量差，只有相关结构采用同…

引言 吸附物先迁移到邻位，再发生断键或成键，常被简化为两条能垒的比较。但迁移终态可能只是短暂停留的中间态，吸附物也可能返回原位，或在其他方向继续扩散。两条 NEB 曲线若各自归零，…

引言 同一块表面依次放入两个、三个或更多吸附物时，一个平均值无法直接回答“新加入的这一个是否还能稳定吸附”。本文讨论平均吸附能、逐步吸附能和差分吸附能的定义，说明怎样从 VASP …

说明：本文华算科技主要介绍 Born 有效电荷与 Bader 电荷的定义、数值差异及其在极化、振动和电荷转移分析中的用途。 同一个 Mo 原子，Bader 净电荷可以为正，面内 B…

引言 过渡金属氧化物、硫化物、氮化物和稀土氧化物常会遇到同一个问题：不加 U 时 d/f 电子过度离域，能带、磁矩和吸附能看起来都偏顺滑；加上 U 后，电子局域化增强，金属-氧键、…

引言 VASP 结构性质结果中，C₁₁、C₁₂、C₄₄、B、G、E、ν 经常并列列出，因此容易被误解为同一层级的力学量。二者对应的物理层级不同：Cᵢⱼ 描述材料对不同方向、不同剪切…

引言 很多 VASP 初学者第一次看到收敛参数时，会把 EDIFF 和 EDIFFG 看成同一类开关：一个数小一点，结果就更可靠一点。这个理解只对了一半。二者都和收敛有关，但所在位…

引言 Bader 分析看起来像一个后处理命令，实际最关键的部分发生在命令之前。它要在三维电荷密度网格上寻找零通量面，再把每个原子区域内的电子数积分出来。CHGCAR 如果太粗、没有…

引言 功函数变化很容易被写成催化活性提升的原因：功函数降低，电子更容易给出去；功函数升高，表面更容易吸引电子。这个说法有物理直觉，但不能直接替代吸附自由能。功函数看的是表面电子逸出…

引言 在 MoS₂、CoS₂、NiSₓ 和多金属硫化物中，S 空位常被写成提升析氢反应（hydrogen evolution reaction, HER）活性的关键因素。真正进入计…

引言 吸附能很负，并不等于吸附物与表面的直接相互作用同样强。把吸附能分成形变能与相互作用能，才能区分“成键获得多少能量”和“为了形成该构型付出多少结构代价”。分子弯曲、键长改变、表…

引言 吸附体系弛豫结束后，OUTCAR 里已经有能量，为什么还要做静态单点？核心原因是弛豫计算服务于找结构，静态单点服务于在统一设置下重新评价能量和电子结构。弛豫能量可以判断结构是…

引言 吸附能越负，说明吸附态越稳定，但催化反应不只是把中间体牢牢按在表面上。吸附太弱，中间体站不住；吸附太强，位点被占住，下一步加氢、断键或产物脱附都可能变慢。好的催化位点通常不是…