Q1：朱老师，LDH材料OER计算，很多文献只给了DFT+U的U值和最后一步的POSCAR，但是Ni-Fe的mag数值没有明确给出，我想做OER计算是不是INCAR当中我只写ISPIN=2 把+U开启，可以不用给初始的mag数值后续也可以自动优化到合理的磁矩？
A：能确定最好，不行就用默认；
建议一律写 ISPIN=2，并显式给一个合理的初始 MAGMOM;
严格来讲，对每个关键态（slab、*OH、*O、*OOH），至少做两套不同初始磁矩检查；
总结就是：显式给 Fe/Ni 合理初始 MAGMOM，并对关键态用不同初始自旋做对照。
Q2：朱老师，表面模型的OER计算需要考虑Z方向的偶极校正吗？
A：一般不需要；
要看表面模型是不是会在 z轴真空方向产生净偶极矩；
如果打开偶极矫正，那么建议统一开启 z 向偶极校正，并且所有体系保持一致设置。
Q3：朱老师，做DFT+U，LASPH这个关键词通常需要打开吗？
A：通常建议打开，尤其是做DFT+U 且体系里有过渡金属/稀土（d/f 电子）的时候；
但是如果体系几乎都是 s/p 元素，没有 d/f 局域电子，影响往往很小；
一般没有开了反而更差的风险，多数情况下是更稳、更接近全非球形处理。
Q4：朱老师，DOSCAR费米能级上方能量是0下方不是0，这怎么看带隙呢？
A：半导体/绝缘体：带隙 = CBM 能量 − VBM 能量；
也有可能是导带没被算出来，占据带算够了，但未占据带的带数不够，于是费米上方 DOS 全是 0；
带隙最好用能带或本征值直接读，DOS 受展宽、k 点、NBANDS 影响很大，容易看起来像没有导带。
Q5：朱老师，怎么画导带底和价带顶的电荷密度三维图呢？
A：画 VBM（价带顶）/CBM（导带底）三维电荷密度图，本质上是画对应带的 部分电荷密度；
先做一次正常自洽（SCF），把波函数存下来；
确认 VBM/CBM 在哪个 k 点、对应的带号；
用 VASP 输出“某一条带”的部分电荷密度（PARCHG）。
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