Q1：朱老师，我用PBE做静态自洽很快就收敛了，换用hse06后能量一直在0次振荡不收敛，rms也不降，这需要加个什么参数吗？
A：
先把 ALGO=All 改成 ALGO=Damped，并把 TIME 降到 0.05–0.2；
别再用 ISPIN=1，应试 ISPIN=2 + 合理 MAGMOM 初猜;
把 EDIFF 收紧到 1E-6，PREC 可试 Accurate，PRECFOCK=Normal 可以保留，而较密 FFT 网格也常能缓解 ALGO=All 这类算法的噪声和不稳。
Q2：朱老师，我想计算钙钛矿表面失去一个碘所需要的能量，这个可以按照脱附能来计算吗？
E(脱附碘离子)+E(脱附后表面)-E(脱附前表面)？如果可以的话，请问是不是要考虑电荷，碘离子里加一个电荷，脱附后的表面减一个电荷后去做自洽计算？
A：
不建议直接按I⁻脱附能那样算，通常应先按表面碘空位形成能来做；
不要简单做“孤立 I⁻ + 带正电表面”，带电 slab 和孤立阴离子都会引入背景电荷、偶极和尺寸误差，结果往往不可靠；
如果研究的是真空中脱附，更像是去除中性碘或者1/2 I2;
如果研究的是溶液或离子迁移，那才涉及 I⁻，但这时要引入溶剂、对离子和电子化学势，不能直接裸算。
A：结构优化真正的收敛判据不是看有没有 ZBRENT，而是看 EDIFFG：若 EDIFFG0，则看相邻离子步能量差；
截图里前面的 100 很像已经跑到第 100 个离子步；而 NSW 只是最大离子步数，到上限不等于已经收敛。若是因为 NSW 用完才停，就该继续算或调参；
查看OUTCAR文件中是否出现收敛标志：reached required accuracy – stopping structural energy minimisation
Q4：朱老师，0价结构优化里的电子数和完整晶胞结构优化的电子数grep NELECT出来的值不一样，我该怎么选择呢？因为是周期性结构，删掉的这个原子会重复出现好几次，所以两者之间会有差别吗？
VASP 默认会按 POSCAR 原子数 + POTCAR 的 ZVAL 自动给出中性体系电子数，删了一个原子，NELECT 变小是正常的；
做 0价缺陷优化 时，应使用“删原子后的中性超胞”对应的电子数，而不是完整晶胞那个 NELECT，只有想做带电缺陷时，才手动改 NELECT；
“周期性重复”不表示要多减几个电子，在 VASP 里算的是一个超胞，只是这个超胞周期性复制，所以对应的是每个超胞一个缺陷的缺陷浓度；
中性缺陷别改NELECT，若做 +1 缺陷，就在中性缺陷电子数基础上再减 1。
Q5：朱老师，请问算缺陷改nelect以后，形成正一价缺陷新旧电荷密度的差是一吗？
A：
对“+1带电缺陷”，全胞积分差应接近−1e，不是+1e；
若是在同一个缺陷结构上，只把中性缺陷改成 +1 价缺陷，本质上是少了 1 个电子；
带电缺陷计算里，VASP 会自动加均匀补偿背景电荷，部积分通常也不会正好等于1。
