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引言 普通 VASP 计算里，很多人会默认不开 SOC。对轻元素、非磁性、能级分裂不敏感的体系，这通常可以作为合理近似。但一旦材料含有 Pt、Ir、Au、W、Bi、Pb、Te 等重…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：【文献解读】突破传统机器学习势局限！ec-MLP实现复杂电化学界面的原子级模拟！ | 华算科技 MS杨站长 Materials …

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【DFT小白必看】磁性计算：自旋密度计算！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算 朱…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：【文献解读】K⁺如何调控电化学氮还原？原子级揭示界面微环境与NRR/HER竞争机制！ | 华算科技 MS杨站长 Material…

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引言 吸附能和反应自由能里常有一个被忽略的参照：孤立气相分子。O₂、H₂O、CO₂ 和 NH₃ 看起来只是小分子，真正进入 VASP 时却会牵涉盒子尺寸、K 点、自旋态、偶极相互作…

引言 VASP 输出里同时出现 free energy TOTEN、energy without entropy E0 和 entropy T*S，吸附能结果常在这些量之间发生混用…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：【文献解读】双原子催化剂为何更强？自旋工程如何调控电催化活性与反应路径！ | 华算科技 MS杨站长 Materials Stud…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【DFT小白必看】磁性计算：从原子轨道与磁矩到磁性体系电子结构计算！| 华算科技-朱老师…

引言 COHP 很适合回答“这个键为什么强”这类问题，但它也很容易被简化成一句话：-ICOHP 越大，键越强，催化越好。前半句在很多同类键比较里可以成立，后半句就危险了。催化需要的…

引言 分子吸附的 Eads 同时受几何高度、表面极化、分子取向和色散相互作用影响。vdW 修正改变的不只是吸附能大小，还可能改变吸附高度、位点排序和后续反应端点。对芳香分子、卤代分…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了VASP教程：【DFT小白必看】磁性计算：亚铁磁构型能量计算！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：紧急避险！DeepSeek读文献千万别手滑联网！解锁隐藏的赛博炼丹术！| 华算科技 MS杨站长 MS杨站长，曾就职于德国马克思普…

引言 反应路径图最容易画得很漂亮，也最容易画错。很多图把中间体自由能、过渡态能垒、电位修正、pH 修正和气相参照都放在同一条线上，却没有说明每一段到底是什么量。结果看起来像完整机理…

引言 MoS₂ 做 HER 时，常见说法是边缘位和缺陷位更活跃。但 1T/2H-MoS₂ 的相边界问题更细：一侧是半导体 2H 相，一侧是金属性 1T 相，中间还有原子滑移形成的边…

本视频由华算科技–MS杨站长团队制作，本期内容包括：科研狗千万别作死！这些DeepSeek科研提示词拿去直接用！| 华算科技 MS杨站长 MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP答疑汇总，内容涉及晶胞、氢键、态密度、费米能级、电荷密度、波函数、过渡态等！| 华算科技-朱老师讲VASP DFT…

引言 应变效应听起来很直观：把晶格拉长或压短，再算吸附能变化。但真正做起来，问题会马上出现：到底固定面内晶格还是让原子完全弛豫？吸附前后是否用同一个应变基准？应变改变的是电子结构，…

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本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：【VASP答疑】VASP计算答疑汇总版，内容涉及异质结建模、结构优化、过渡态、Bader电荷、催化、吸附等！| 华算科技-…