交叉学科

说明：本文华算科技主要介绍 XRD基线的物理来源、异常形态、判别方法和适用条件。 基础概念：XRD 基线究竟代表什么？ 粉末XRD 横坐标通常是衍射角 2θ，纵坐标是探测器在该 2…

❓分子如何接近表面、优先占据什么位点、是竞争吸附还是解离反应？ 无论做催化、储能还是分离，表界面的吸脱附过程直接决定了材料的最终性能！ 这次华算科技整理了【100+吸附、脱附与表面…

说明：本文华算科技主要介绍限域空间怎样改写催化自由能、局部覆盖度、过渡态、产物选择与周转条件，以及材料计算怎样辨认其中的几何、电子与传质贡献。 限域效应与限域催化的基本概念怎样进入…

说明：本文主要介绍吸附强弱与表面覆盖度、停留时间、位点再生和多物种竞争之间的关系。 吸附强弱对应哪些热力学与动力学量 表面反应中的吸附步骤可写成 X(g) + * ⇌ X*，星号代…

吸附是材料表面反应的第一步，直接影响对活性位点、反应路径和性能变化的判断！吸附机制一旦理解偏差，后面所有分析都要重新来！ 这次华算科技整理了【100+吸附、脱附与表面反应机制图】，…

做电催化时，阳离子、pH、电解液一变，HER、NO₃RR 等反应路径就可能跟着变化，但界面氢键网络到底怎样影响反应，很多人始终讲不清！ 一、5节真实顶刊案例视频，选自Nature …

说明：本文华算科技主要介绍表面吸附与晶格掺杂在结构位置上的差别，以及XRD、XAFS、元素分布和采样深度等信号怎样区分外来元素占据体相格点还是停留在表面。 表面吸附和晶格掺杂在哪里…

说明：本文华算科技主要介绍孔道限域效应的几何定义、自由能来源、择形与扩散信号，以及材料计算中区分几何约束和孔壁化学的方法。 孔道限域效应的基本概念由哪些几何量定义 当客体分子的平移…

说明：本文华算科技主要介绍内建电场的电荷与电势来源、吸附态和过渡态对电场的响应，以及内建电场在二氧化碳还原、氨合成和单原子电催化中的作用。 内建电场的基本概念对应哪些计算量 内建电…

在环境治理（水处理、VOCs净化）、化工分离、医药提纯等领域，“吸附”是最核心的工艺之一。而选择合适的吸附剂，直接决定了工艺的效率与成本。 最近，华算科技整理了一份包含100种吸附…

说明：本文华算科技主要介绍物理吸附与化学吸附所对应的表面状态、势能特征和结构响应，以及温度、压力和覆盖量对吸附数量的作用。 两类吸附对应怎样的表面状态？   吸附态是吸附质与固体表…

吸附是材料表面反应的第一步，直接影响对活性位点、反应路径和性能变化的判断！吸附机制一旦理解偏差，后面所有分析都要重新来！ 这次整理了【100+吸附、脱附与表面反应机制图】，将复杂的…

说明：本文华算科技主要介绍XRD、拉曼、红外、XPS、EDS、紫外—可见、发光和循环伏安这8种谱图里“峰”的位置和强度分别对应哪些材料信息。 峰的位置和强度分别在讲什么？谱图里的峰…

做电催化时，阳离子、pH、电解液一变，HER、NO₃RR 等反应路径就可能跟着变化，但界面氢键网络到底怎样影响反应，很多人始终讲不清！ 一、5节真实顶刊案例视频，把双电层、界面水、…

说明：本文主要介绍五个 d 轨道各自的形状与朝向——三个量子数怎样确定 d 轨道有五个、每个带两个角节面；dxy、dyz、dxz 和 dx²−y² 这四个花瓣形轨道花瓣朝向的差别；…

说明：本文华算科技主要介绍怎样从XRD谱图算出晶粒尺寸、晶格畸变和位错密度，包括峰宽提取与仪器校正、Scherrer公式的参数取值、Williamson-Hall图的斜率与截距读法…

说明：本文华算科技主要介绍DFT中氧空位的结构性质、形成能、电子结构、迁移能垒和吸附能。 氧空位模型是什么？ 氧空位在计算模型里不是一个抽象符号，而是晶格中某个 O 原子被移除后的…

说明：本文华算科技主要介绍第一性原理吸附计算中常见吸附位点的几何含义、典型材料场景、弛豫后可能发生的位点转化，以及用吸附位点解释结构和能量结果时应限定的判断范围。 吸附位点的基础定…

说明：本文华算科技主要介绍吸附能在催化与电催化反应中的作用，围绕Sabatier原理和火山图解释吸附能存在最优值，剖析吸附过强带来的脱附困难、覆盖度饱和与位点中毒，并给出 d 带中…

很多人听说过奥斯瓦尔德熟化，却始终讲不清“小颗粒为什么消失、大颗粒为什么长大”，更容易把熟化、团聚、聚并和烧结混为一谈！本次华算科技整理了120张奥斯瓦尔德熟化机制图，涵盖：熟化机…