单原子与载体半导体的电子、空穴的关系

单原子与半导体的相互作用机制:电子重分布

1.电子转移驱动机制

当金属单原子(如Pt、Co、Fe等)锚定在半导体表面(如TiO₂、g-C₃N₄、ZnO)时,系统会重新分布电子,以降低总能量。电子转移的方向主要取决于以下因素:电负性差异:若单原子电负性高于半导体表面(如Pt vs TiO₂),电子倾向从半导体流向单原子。d轨道电子占据情况:未充满d轨道的过渡金属原子更倾向于接受电子(如Fe³⁺)。费米能级对比:当金属单原子的费米能级低于半导体的导带底(CBM),电子将由半导体转移到单原子。

2.电子重分布的影响

调控催化活性位点单原子在获得或失去电子后,其d轨道填充态改变,从而调节其吸附分子(如O₂, CO)的能力。形成电荷陷阱:界面区域的电子富集或耗尽可成为电子或空穴的局部捕获中心,影响光生载流子的寿命与分离效率。诱导局部电场效应:电子重排导致的偶极矩可在界面诱发局部电场,有助于定向迁移电子或空穴。

3.缺陷与氧空位的协同作用

缺陷作为锚定位点如TiO₂表面的氧空位(V_O)可稳定负价态单原子(如Pt⁰、Fe²⁺)。增强电子转移:氧空位局域态能接近导带底部,有助于电子向单原子转移。提升光催化性能:缺陷诱导的局部态不仅促进电子重分布,还有助于光吸收和载流子分离。

单原子与载体半导体的电子、空穴的关系

在光催化水分解反应中,单原子催化剂可以通过调控电子结构,降低反应能垒,提高催化效率。例如,单原子Mo修饰的ZnIn₂S₄纳米片基面可以诱导空间电荷重分配,优化吸附H*的吉布斯自由能,提升本征HER活性。

Single-atomic activation on ZnIn2S4 basal planes boosts photocatalytic hydrogen evolution. Nano Research,  2024, 17(7): 5949-5955. https://doi.org/10.1007/s12274-024-6617-2

在CO₂还原反应中,单原子催化剂可以通过调节电子结构,抑制竞争性反应,提高目标产物的选择性。例如,通过调整电子结构,沉积在惰性载体上的Pd双原子对可以有效抑制HER,生成CO的效率高达98.2%。

单原子与载体半导体的电子、空穴的关系

Co-catalytic metal–support interactions in single-atom electrocatalysts. Nat Rev Mater9, 173–189 (2024). https://doi.org/10.1038/s41578-023-00633-2

 

 

 

单原子促进电子-空穴对分离的机制

在光催化过程中,有效的电子-空穴对(e⁻/h⁺)分离对于提高反应效率至关重要。单原子催化剂(SACs)通过多重机制在半导体光催化体系中显著提升载流子分离与迁移效率:

1.电子捕获中心
当半导体受光照激发后,产生的光生电子可快速转移至单原子上,形成金属负价态(如 M⁰ 或 Mⁿ⁻)。单原子充当电子陷阱,延长电子寿命,抑制其与空穴的复合。单原子Pt或Co锚定在TiO₂或g-C₃N₄上可显著提高电子浓度并延缓复合。
2.空穴捕获中心
某些高价态金属单原子(如Fe³⁺、Mn³⁺)可作为空穴俘获中心。空穴捕获后可参与氧化反应(如水氧化、污染物降解),从而减少其与电子的复合概率。
3.界面桥接与中间态
单原子位于半导体与反应物之间的界面位置,可作为电子或空穴的“桥梁”,促进其向表面活性位点或吸附物迁移。有时,单原子引入的新能级(中间态)可作为电子的中继站,降低跃迁势垒,加速载流子迁移。增强界面反应性:通过桥接态增强半导体-反应物之间的耦合,促进光催化表面反应。
4.协同缺陷效应
与氧空位或结构缺陷协同,单原子可进一步诱导局部电场或形成梯度势垒,有助于定向驱动电子或空穴迁移。在有缺陷的TiO₂中锚定单原子,通常可构建更有效的载流子分离环境。
单原子与载体半导体的电子、空穴的关系

研究者们发现,钯(Pd1)单原子催化剂的活性与14种半导体氧化物载体的最低未占分子轨道(LUMO)位置呈线性比例关系。通过将载体颗粒尺寸减小至几纳米,可提升LUMO能级位置,从而在乙炔半氢化反应中实现创纪录的高活性和优异稳定性。研究表明,载体LUMO的升高缩小了其与Pd1原子最高占据分子轨道(HOMO)的能隙,促进Pd1-载体轨道杂化以增强稳定性,并进一步调控锚定Pd1原子的LUMO,从而强化Pd1-吸附物相互作用以提升活性。这些发现与前线分子轨道理论一致,为理性选择具有可预测活性的金属-载体对提供了普适性描述符。

Metal–support frontier orbital interactions in single-atom catalysis. Nature640, 668–675 (2025). https://doi.org/10.1038/s41586-025-08747-z

 

 

能带结构调节
单原子负载在半导体表面或晶格中,能够通过引入局域态、杂质能级或调控表面电子态,实现对半导体能带结构的有效调节。这种调控机制不仅影响半导体的光吸收范围,还显著优化了载流子的迁移行为与反应路径。
1.引入杂质能级
单原子(尤其是过渡金属)锚定于半导体表面或晶格间位点后,可在禁带中引入新的局域能级。这些能级可作为中间态,增强低能光子的吸收(如扩展可见光响应),从而提高光催化活性。
2.调控导带和价带位置
单原子通过调节局部电场或电荷密度,可上移或下移导带(CB)与价带(VB)位置,从而优化其还原/氧化能力。
这对以下方面尤为关键:
CB位于H⁺/H₂还原电位以上:利于析氢反应(HER);
VB位于H₂O/O₂氧化电位以下:利于产氧反应(OER)。
能带调节的结果:
改善氧化/还原反应的驱动力;
改变电子和空穴的迁移路径,优化界面电荷分离与转移。
3.调控表面态与态密度
单原子可显著改变半导体表面态密度(DOS),例如通过:改变表面吸附能或诱导晶格弯曲或电荷极化或增强电子或空穴与反应物分子的耦合强度,提升催化选择性与效率。
单原子与载体半导体的电子、空穴的关系
Single-atom catalysts for photocatalytic energy conversion. Joule https://doi.org/10.1016/j.joule.2021.12.011

 

 

本文源自微信公众号:材料er

原文标题:《单原子与载体半导体的电子、空穴的关系》

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