本文为华算科技朱老师技术团队撰写的《VASP入门手册》内容，本手册帮助大家从零开始学习VASP软件，共200余篇，涉及建模、VASP计算、脚本使用、数据分析、绘图等，本文为其中第一篇内容。
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往期文章：
VASP入门手册 | 第一章：CIF文件查找与下载，Materials Project数据库的使用！
POSCAR是VASP运算必须的输入文件之一，包含了计算模型的信息，它是一个文本文件，具体格式下。
这是一个Si的POSCAR文件，它的每一行都有指定的意义。
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行号 |
含义 |
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1 |
注释行，可以写与材料相关的信息 |
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2 |
缩放因子，一般建议将其设置为1.0 |
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3-5 |
元胞的三个基矢，单位是埃。基矢需要乘上第二行的缩放因子才是真正的晶胞大小 |
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6 |
原子类型，不同元素原子用空格分开 |
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7 |
对应原子类型中每种原子的个数，不同元素原子用空格分开 |
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8 |
原子坐标类型，分数坐标（Direct）和笛卡尔坐标（Cartesian） |
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9-12 |
对应的每一个原子坐标 |
下载晶体结构CIF文件后，需要将其转换为VASP所需的输入文件POSCAR。
现以Si.cif为例进行说明：
第一步：点击桌面图标VESTA
第二步：File-open打开Si.cif文件
第三步：File—Export Data
第四步：在保存文件的类型中，选择VSAP file，然后可以修改文件名称为SiPOSCAR
第五步：在弹出的Option对话框中选择坐标体系和晶胞类型，此处选择“Fractional coordinates”和“Output current unit cell”
坐标体系有两个：分数坐标(Fractional coordinates)和笛卡尔坐标(Cartesian coordinates)
晶胞类型：当前晶胞(current unit cell)和固体物理学原胞(primitive cell)
第六步：点击OK
