VASP | 理论计算常见问题解答（92）：结构散架、结合能、COHP、简并半导体、电荷密度问题全解

A：①初始结构不合理，检查原子距离；

②计算参数设置有问题，优化移动步子太大，减小POTIM；

③调整使用其他优化算法进行尝试。

Q2：朱老师，vasp能计算两个有机分子的结合能吗？是不是也和计算钙钛矿与有机分子的结合能步骤一样？

A：一、可以的，VASP 完全能算两个有机分子之间的结合能/相互作用能；

二、分别优化单体 A、单体 B；

三、构建多个二聚体初猜构型并优化；

四、对优化后的 A、B、AB 都做一次更严格的静态单点能量。

Q3：朱老师，-COHP作图时，我看文章里，有的是以-COHP数值为x轴，有的是以E-Ef （eV）。请问老师，您建议以哪个为x轴？

Q4：朱老师，请问像这种高掺杂si的氧化镓能带，费米能级到导带上这种还是半导体吗有人说这种是金属？

A：n型掺杂就会这样，材料本质上还是半导体;

按物理机制角度：这种情况一般叫“简并掺杂半导体”，

它仍然是“半导体基体”，只是简并掺杂；

按电子结构判据：费米能级进入导带 → metallic，有费米面；

两种说法都有人用，但是用简并掺杂半导体进行描述更准确。

Q5：朱老师，我想问一下我作业提交之后每一步都提示电荷密度不一样是为什么？

A：初始构型可能有问题，也可以试试修改ibrion或者amix

这个提示是 VASP 很经典的 BRMIX 警告，这说明charge sloshing混合不稳定

增加展宽、提高计算精度、清理续算文件。