半导体

本文华算科技旨在系统性地阐述“掺杂”这一关键技术。文章将首先定义掺杂及其核心机制，随后探讨其在电子、能源和生物医学等前沿领域的广泛应用，最后深入分析掺杂为何是现代科技不可或缺的基石…

说明：本文华算科技探讨了内建电场在不同材料体系中的形成机理及其对电荷行为和能量转换过程的影响，揭示了内建电场在电子、光电子、催化和能量转换等领域的关键作用。 什么是内建电场 内建电…

说明：文章华算科技系统阐述了PN、Z型和S型三类异质结的能带结构、电荷转移机制及其在光电催化中的调控原理。阅读将掌握不同类型异质结的内建电场形成机制与界面工程设计策略，学会根据能带…

说明：本文华算科技从理论计算的角度，系统介绍掺杂（Doping）的基本概念、核心意义及其在材料科学中的研究进展。内容涵盖掺杂的定义、机制、计算方法（如密度泛函理论、分子动力学和机器…

说明：本文华算科技系统介绍了电荷密度的基本概念、分类及其在材料科学中的核心地位，重点阐述了从宏观分布到微观量子描述的物理内涵。 并结合密度泛函理论（DFT）和差分电荷密度等计算方法…

说明：本文华算科技将从定义、计算公式、物理意义以及计算方法等角度，对掺杂形成能进行系统性、深度的阐述。   什么是掺杂形成能？   掺杂形成能，通常也被称为缺陷形成能或杂质形成能，…

说明：本文华算科技阐述了晶体掺杂的核心概念、机制与广泛应用，如何通过引入异质原子精准调控材料的电学、光学等性能。 阐述了n型与p型掺杂的原理、能带工程对半导体性能的影响，以及掺杂在…

说明：本文华算科技全面探讨了晶格失配与应变效应的定义、对比、调控机制及应用。通过深入分析晶格失配引发的应变效应在结构、电子结构、力学和界面物理中的多尺度响应，揭示了其在材料性能调控…

本文华算科技介绍了晶体缺陷的基本概念、分类及其在材料科学中的重要性，重点阐述了点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷的形成机制、特征及对材料性能的影响，并结合密度泛函理论（DFT）和分子动…

说明：本文华算科技将系统阐述功函数的基本概念、关键意义、计算方法及其在催化领域的具体应用，为读者提供对这一重要物理量的全面认识。 什么是功函数 1. 基本定义与物理内涵 功函数，又…

说明：本文华算科技将从费米能级的基本定义、与能带结构的关系，以及在现代材料科学中的应用三个层面，对其进行系统性阐述。 什么是费米能级 从根本上说，费米能级是一个热力学概念，它被精确…

说明：文章中华算科技系统阐述了PN结的形成原理、能带结构特征及其在整流与光电转换中的核心作用。通过阅读，您将掌握PN结的载流子扩散与内建电场形成机制，学会分析能带弯曲与偏压响应的关…

说明：电化学阻抗谱（EIS）是一种通过小幅正弦波电信号激励并测量系统响应，以研究材料界面特性与反应动力学的先进分析技术。本文华算科技将系统介绍EIS的基本原理、多种测试模式及其应用…

说明：本文华算科技介绍了吸附键强度、电子结构与几何结构、金属分散度等是如何影响催化性能的。阅读此文，您将掌握如何通过成分与结构设计优化催化剂，从而为开发高性能、低成本的电化学系统提…

说明：本文华算科技深入探讨了电化学催化原理与催化剂设计，涵盖电荷转换、电子转移、表面结构及导电性调控等核心内容。详细介绍了电极反应场所、电极电势对反应速率和方向的调控机制，以及不同…

总结：本文详细介绍了原位透射电镜技术在半导体研究中的核心应用，围绕半导体异质结构中应变与位错的动态观察展开，阐述了原位TEM的基本原理、技术实现、样品制备方法，重点呈现了其在半导体…

总结：本文详细介绍了电子衍射技术在半导体异质结构应变缺陷表征中的核心应用，系统阐述了四种关键电子衍射技术——选区电子衍射SAED、会聚束电子衍射CBED、纳米束电子衍射NBD、旋进…

总结：本文围绕半导体异质结构中位错等应变诱导缺陷的电镜观察展开，详细介绍了半导体异质结构中应变诱导缺陷的产生机制，系统阐述了透射电子显微镜TEM的多种成像技术——双束条件TBC成像…

总结：本文介绍了透射电子显微镜（TEM）在半导体行业的核心应用价值、关键成像技术，以及元素分析技术（EDS、EELS、EFTEM），还阐述了电子断层摄影术、电子全息术等先进技术在半…

本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：态密度(DOS)分析的关键信息，通过总态密度与原子分态密度曲线展示材料电子结构，横坐标为能量(E-EF)并标注费米能级，分…