半导体材料
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TiO2能做什么计算？
说明：TiO₂的理论计算聚焦电子结构调控、表面反应路径模拟及活性位点设计。 电子结构调控通过非金属掺杂（如N）和氧空位调节带隙，拓展光响应范围；表面反应模拟揭示CO₂吸附、水分解等…
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C₃N₄单原子负载的机制？
C3N4（石墨相氮化碳）作为一种具有优异半导体特性的材料，近年来在光催化、电催化和环境治理等领域得到了广泛关注。将单原子金属负载到C3N4上，可以显著提升其催化性能，尤其是在可见光…
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态密度在半导体领域应用
态密度（Density of States, DOS）是固体物理和半导体物理中的一个核心概念，它描述了在单位能量范围内，固体中可被电子占据的量子态数量。态密度不仅反映了材料的电子结…
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态密度与能带结构的应用
硫化铜（CuS）作为一种重要的半导体材料，其电子结构特性，包括态密度（DOS）和能带结构，对于理解其物理化学行为及其在光催化、光电转换等领域的应用至关重要。以下将从CuS的态密度、…
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如何调控电子结构、态密度、能带结构、掺杂与缺陷？
本文将从Bi₂WO₆的电子结构、态密度、能带结构、掺杂与缺陷调控、光催化性能等方面进行详细分析，并结合相关文献进行说明。 Bi₂WO₆（钨酸铋）是一种具有广泛应用前景的多功能材料，…
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如何分析Bi₂WO₆钨酸铋能带？
Bi₂WO₆（钨酸铋）是一种具有层状结构的半导体材料，因其优异的光催化性能和可见光响应特性，在环境净化、能源转换等领域展现出广泛的应用前景。 本文将详细探讨Bi₂WO₆的能带结构，…
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从污染物降解到能源转化：Bi₂WO₆钨酸铋光催化界面优化驱动多场景应用创新
Bi₂WO₆（钨酸铋）是一种具有独特结构和优异光催化性能的半导体材料，近年来在环境治理、能源转换和化学反应等领域得到了广泛关注。 本文将从Bi₂WO₆的合成方法、结构特性、光催化性…
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氮化铝（AlN）半导体性质
氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种典型的宽禁带半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在光电子器件、功率器件、深紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。 本文将…
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碳化硅（SiC）光学性质：折射率、介电函数与吸收系数的深入分析
碳化硅（SiC）是一种具有优异光学和电学性能的宽禁带半导体材料，广泛应用于光电子、激光器、传感器以及高温器件等领域。其光学性质，包括折射率、介电函数、吸收系数等，是其在这些应用中发…
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MgO半导体性质、能带结构、态密度、缺陷性质、p-n结！
氧化镁（MgO）是一种具有广泛研究价值的多功能金属氧化物半导体材料，其在半导体、超导薄膜、光电子器件等领域具有重要应用。 本文将从MgO的半导体性质、能带结构、态密度、缺陷性质、p…
