半导体
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半导体物理基础:能带、载流子与PN结
说明:本文华算科技系统介绍了半导体能带结构、载流子类型及杂质掺杂原理。读者可掌握PN型半导体形成机制、费米能级变化规律及载流子浓度计算方法,为理解半导体器件工作原理和材料设计奠定理…
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薄膜制备核心技术:PVD、CVD与ALD的流程差异及性能对比
说明:本文华算科技通过介绍物理气相沉积、化学气相沉积以及原子层沉积的定义、工艺流程、优缺点以及应用,系统性地介绍了这三种薄膜沉积技术的异同,带领读者更深入地探索薄膜沉积技术。 …
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表面重构全解析:定义、驱动力、典型实例与表征方法(实验 + 理论)
01 引言 在晶体材料的宏观世界中,我们通常将其内部原子排列视为无限延伸、完美有序的周期性结构。然而,任何晶体都必然存在终结之处——表面。 表面的形成,从根本上打破了晶体内部沿…
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肖特基势垒理论:基于Schottky-Mott模型的界面势垒高度解析
说明:本文华算科技系统介绍了肖特基势垒的物理本质、形成机制、理论模型及其在电子器件中的整流行为。读者可深入理解金属–半导体界面的能带调控原理,掌握势垒高度对电流输运的影…
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【基础篇】VASP零基础系统化教程:linux基础命令实操讲解!
Linux操作系统介绍 超算平台(超级计算平台)是面向大规模科学计算、人工智能训练、数据分析等高性能需求而构建的综合计算基础设施。超算平台是一类具备海量并行计算节点、快速互连网络和…
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半导体掺杂模型系统梳理:原理、物理特性影响及器件设计应用
半导体掺杂模型是现代半导体物理和器件设计中的核心内容之一,它通过引入杂质原子来改变半导体材料的电子结构和导电性能,从而实现对半导体材料特性的精确控制。掺杂不仅影响半导体的能带结构、…
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载流子基础理论与应用:类型、关键参数及调控表征方法
说明:本文华算科技介绍了载流子的定义、类型、关键参数、调控方法、表征技术及应用。载流子是电荷的载体,包括自由电子、空穴、离子和激子等。其浓度、迁移率和寿命是关键参数,可通过掺杂、外…
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DFT零基础特训营:从入门到顶刊,必看催化/电池/半导体三大热门领域!| 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师DFT零基础特训营,系统讲解催化、电池、半导体领域DFT计算应用,涵盖模型构建、参数设置、超算操作及实战案例…
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浙江大学“原子级材料制造实验室”诚聘博士后
浙江大学“原子级材料制造实验室”诚聘博士后。课题组主要研究方向包括原子级材料创制、原子分辨显微表征、原子级器件、原子级制造与装备等。 合作导师组 课题组负责人项荣为浙江大学机械工程…
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如何分析价态?2分钟锁定适配粉/膜/块体、区分表面/体相、追踪动态变化的表征技术
价态分析是判断材料性能的关键,但如何确保价态分析技术既能适配粉末、薄膜、块体等不同形态材料,又能区分表面/体相维度差异,还能追踪反应过程中的价态动态变化? 本文华算科技根据不同表征…
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异质结:类型、制备方法、表征技术及电荷转移机理
说明:本文华算科技详细介绍了异质结的定义、作用、分类,阐述了如何通过TEM/HRTEM、XRD、EDX、XPS、拉曼光谱、PL光谱、EIS、TPV/TAS、ROS检测表征异质结,以…
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金属 – 半导体界面接触:欧姆接触与肖特基接触的本质区别
说明:本文华算科技深入探讨了欧姆接触与肖特基接触的定义、内部机制、本质区别,以及在金属-半导体界面中的特性与应用。详细分析了它们的形成原理、能带结构变化、电流 – 电压…
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如何分析能带?基本理论、表征方法到调控策略!
说明:文章华算科技系统梳理了能带的形成、定义及三大核心公式,逐一展示紫外可见漫反射光谱、Mott-Schottky、XPS价带谱、PL与DFT、COHP等实验-计算手段,最后汇总了…
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材料与化学中的电荷转移:机理、表征方法与功能应用
说明:本文华算科技通过电荷转移的定义与基本原理、机制、应用、表征方法以及理论计算方法介绍了什么是电荷转移。读者可系统性地学习到电荷转移的基本概念与在各领域中的应用。 一、电荷转移的…
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什么是费米能级?定义、分布函数与核心价值全解析
说明:本文华算科技介绍了费米能级的定义、重要性及调控方法。包括其在绝对零度和有限温度下的定义、费米 – 狄拉克分布函数,以及其在材料分类、电学、光学、热电性能和电子器件…
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费米能级:从基本概念到DFT、XPS、Mott-Schottky等现代测定技术
说明:文章中华算科技系统梳理了费米能级的定义、公式与不同材料费米能级的差异,并列举了DFT、XPS-UPS、Mott-Schottky及低温比热等费米能级计算与测量方法。 什么…
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【VASP教程】保姆级电荷密度分析教程!以钙钛矿为例,一步一步教授,纯小白码住,建议收藏!华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:VASP计算钙钛矿的电荷密度分析,指出电荷分布呈现离子键特征,强调理解计算方法对结果分析的重要性,并推荐相关半导体缺陷与催…
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VASP教程 | VASP零点振动能和熵计算流程!
VASP原子振动频率计算原理 原子振动频率的计算通常基于对系统能量对原子坐标的二阶导数(Hessian 矩阵)的计算。Hessian 矩阵描述了系统在原子位置变化时的能量变化,其特…
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求半导体带隙的方法
截线法求半导体带隙 通过积分球我们一般先得到半导体的紫外可见漫反射图谱,如下: 之后其曲线的一阶微分并找出极值 找出极值后,极值横坐标为X,纵坐标为Y,过(X,X对应原数据图的纵坐…
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【VASP教程】单层bn结构优化计算!保姆级教程,0门槛上手!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:单层氮化硼结构优化计算步骤,包括构建模型、设置K点网格、优化晶格参数及收敛标准等,并提示后续分析结构信息,同时推荐相关半导…