VASP计算干货
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晶界模型如何用于催化?
晶界不是普通台阶位的另一个名字。台阶位通常出现在同一晶面上的高度突变,而晶界来自两个晶粒取向拼接后的边界区域。边界附近会出现低配位原子、拉伸或压缩应变、空位富集、杂原子偏聚和局域电…
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硫空位怎么建模?
引言 硫空位常见于 MoS2、WS2、CoSx 和金属硫化物表面。很多模型看起来只是少了一个 S,但它们回答的问题并不一样:面内空位看基面如何被激活,边缘空位看低配位边界如何成键,…
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如何处理缺陷电荷态?
引言 缺陷电荷态是 VASP 里很容易混淆的一类问题。很多人看到 q = +1 或 q = −1,就以为是在给某个原子手动指定价态;实际不是。带电缺陷计算改变的是整个超胞的电子数,…
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VASP收敛参数辨析:EDIFF 与 EDIFFG 物理对象、收敛条件及阈值适配规则
说明:本文华算科技主要介绍 VASP中 EDIFF 与 EDIFFG 的计算对象、停止条件、正负号含义,以及它们在静态计算、结构优化和声子计算中的阈值匹配。 VASP 两类收敛标准…
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VASP结构优化:究竟在优化什么?揭秘材料基态结构与能量最小化的第一性原理计算
VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种广泛应用于材料科学和凝聚态物理领域的第一性原理计算软件,其核心功能之一是进行结构优化。结构优…