氧空位

说明：本文华算科技介绍了晶格氧与氧空位的概念、晶格氧参与反应的机理（包括热催化氧化的MVK机理、电化学晶格氧介导机制以及高级氧化中晶格氧活化的机制）、晶格氧活性调控策略（非活性A位…

  说明：构建空位是电催化中关键的缺陷工程策略，通过电子结构调控（引入缺陷能级、调节d带中心）、几何结构优化（增加低配位活性中心、提升比表面积）及反应动力学促进（降低能垒、稳定中间…

调控氧空位是材料科学与化学工程领域中一个极具潜力的研究方向，尤其在金属氧化物材料中，氧空位的引入和调控可以显著提升材料的催化性能、电化学性能、光催化性能等。 本文华算科技将从氧空位…

调控氧空位是材料科学和催化化学中的一个重要研究方向，尤其在氧化铈（CeO₂）、过渡金属氧化物、半导体材料等领域具有广泛的应用前景。 氧空位的调控不仅能够显著改变材料的物理化学性质，…

  CeO₂的理论计算聚焦表面结构与缺陷、吸附及反应特性、电子调控等。通过DFT等方法解析氧空位形成能的晶面依赖性，量化吸附能与中间体稳定性，揭示电子结构调控机制；动力学模拟结合过…

氧空位（Oxygen Vacancy, OV）是金属氧化物材料中一种常见的点缺陷，其定义为在晶体结构中原本应有氧原子的位置缺失，形成空位。 这种缺陷通常由特定的外界环境（如高温、还…

氧化铈（CeO2）是一种具有广泛应用前景的稀土氧化物，其在催化、材料科学、能源转换和环境治理等领域中扮演着重要角色。氧化铈的活性位点是其催化性能的核心，这些活性位点不仅决定了其在不…

说明：本文全面介绍了氧空位的定义、构筑方法及表征手段。文章详细阐述了高温氢化、掺杂、高能粒子轰击等构筑方法的原理及优缺点，并对比了X射线光电子能谱、拉曼光谱、正电子湮没谱等谱学表征…

说明：这篇文章全面解析了氧空位（Ov，Oxygen vacancy）在电催化中的关键作用、制造策略与表征方法。其内容涵盖了氧空位如何提升材料电导率、改变电子结构、增强催化活性及调节…

说明：本文将从基础原理到前沿应用，剖析LOM的理论研究意义、机制原理、材料设计策略，为理解这一突破性机制提供全面视角。 析氧反应（OER）中传统的吸附演化机制（AEM）虽然被广泛研…