氧空位
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XAFS 在氧空位表征中的应用
1 什么是氧空位? 氧空位是指在特定的外部环境条件下,晶格结构中的氧原子会因能量变化等因素而脱离原有位置,从而引发氧的缺失,进而在晶格中产生氧空位现象。在晶体结构中,氧空位是一…
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材料的内建电场和氧空位的相互影响
1.什么是材料的内建电场 材料的内建电场(Built-in Electric Field, BIEF)是半导体或绝缘体内部因电荷分布不均自发形成的静电场,无需外加电压驱动。其本…
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材料的表界面氧空位:结构本质与功能特性
材料表界面处的氧空位(Oxygen Vacancies, OVs)作为一种典型的晶体缺陷,其存在深刻影响着材料的物理化学行为。区别于体相空位,表界面氧空位因所处空间维度的特殊性,…
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电子顺磁共振技术(EPR):原理、测试与数据分析及避坑点
1.EPR的原理简介 EPR是一种能够检测和研究含有未成对电子顺磁性物质的波谱技术。 电子有两种基本运动方式:电子绕原子核轨道运动,还有自旋运动。 在运动过程中会产生轨道磁矩和自旋…
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氧空位(Ov)的构筑、表征与催化机制:从起源到性能提升的关键缺陷工程
说明:本文华算科技系统地阐述了氧空位(Ov)的起源、多种可控的构筑方法(如掺杂、还原、刻蚀等)、关键的表征技术(XPS、EPR等)及其提升催化性能的核心作用。 什么是氧空位? 一般…
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电催化中的尖端效应:定义、作用机制、影响因素与实践应用
说明:本文华算科技主要讲解电催化中的尖端效应,理清其定义(高曲率处电荷聚集形成强电场)及作用机制(促电荷转移、调控电子结构、富集反应物)、影响因素及应用案例,可以掌握尖端效应在电催…
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内建电场与氧空位的协同作用及其对材料催化性能的调控机制
说明:文章华算科技系统阐述了内建电场与氧空位的相互作用机制及其对材料电荷传输与催化性能的调控作用。阅读将掌握内建电场如何通过电荷补偿和缺陷分布调控氧空位行为,学会利用二者协同效应优…
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氧空位表征全解析:从常规技术(XPS/TEM/SEM)到原位/先进方法(原位Raman/XAFS/AC-HRTEM)的催化应用
说明:本文华算科技介绍了氧空位的作用及多种表征方法。氧空位可调控电子结构、增加活性位点、改变反应路径,提升催化性能。文中详细阐述了EPR、XPS、TEM、SEM、原位拉曼光谱、原位…
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基于理论计算的材料氧空位:形成机制、模拟方法与应用价值研究
说明:本文华算科技从理论计算的角度,系统介绍材料的氧空位(Oxygen Vacancies)的基本概念、核心作用及其在材料科学中的研究进展。内容涵盖氧空位的定义、形成机制、计算方法…
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电子顺磁/自旋共振波谱(EPR/ESR)全解析
电子顺磁/自旋共振波谱 (EPR/ESR) 原理、应用及样品准备 本文将对电子顺磁共振(EPR)或电子自旋共振(ESR)波谱进行详细介绍。这两个术语通常可以互换使用,在化学领域更常…
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CeO₂能做什么计算?DFT+U、AIMD 等方法揭示的四大关键研究维度
说明:本文华算科技系统介绍了氧化铈(CeO₂)在计算化学中的关键研究方向:通过DFT+U/混合泛函解析氧空位与Ce 4f电子的本质,计算吸附与反应能垒揭示催化机理,利用AIMD/迁…
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晶体缺陷:种类、引入方法与表征技术全解析
说明:本文华算科技主要介绍了晶体缺陷在材料中的重要作用,包括晶体缺陷的种类、引入缺陷的方法(如热还原法、等离子体技术、球磨法等),以及表征缺陷的技术(如透射电子显微镜、X射线光电子…
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电催化中的溢流效应:核心机制、性能强化与调控策略
本文华算科技深入解析电催化中溢流效应的核心机制及其对催化性能的强化作用,阐明溢流通过扩大反应界面、提升传质效率、优化吸附能(如调节∆GH)显著增强析氢反应(HER)活性与稳定性,并…
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氧空位:调控材料性能的关键密码
说明:本文华算科技介绍了氧空位,涵盖其定义、构建方法(如热处理法、氧化还原反应、电化学法等)、表征技术(像XPS、拉曼光谱等)及作用(提升催化性能、优化光学和电学特性等)。读者可系…
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氧空位:金属氧化物的“缺陷”逆袭之路
总结:从“坏缺陷”到“神助攻”,氧空位正改写金属氧化物的命运。一个氧原子的离去,重排局域键合与电荷,拉低带隙、放出自由电子,让绝缘体变半导体甚至近金属。 在表面,它化身未配位活性位…
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一文说清“氧空位”:定义、制备方法、四种精准表征技术
说明:本文由华算科技系统介绍了氧空位的定义、制备方法及EPR、Raman、XAFS、XPS四种精准表征技术,读者可借此迅速搭建氧空位知识框架,学会按需设计缺陷、精准检测并高效提升催…
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同步辐射XAFS技术:揭示氧空位形成机制与性能调控
说明:同步辐射XAFS技术通过分析吸收原子周围的局部配位环境(如键长、配位数变化),能够灵敏地探测材料中的氧空位等缺陷。本文华算科技结合多个前沿案例,阐述了该技术在揭示空位形成机制…
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氧空位调控:金属氧化物催化剂的电子、化学与催化性能优化
说明:氧空位是金属氧化物催化剂中常见而关键的结构缺陷,其形成可显著改变材料的电子、化学和催化性能。 过去研究表明,晶格中缺失一个氧原子常伴随留下两个电子,形成高活性的电子富集位…
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氢溢流调控新范式:PCET耦合机制、非还原载体/MOF体系及多尺度建模(DFT-AIMD-KMC)的应用闭环
说明:本文华算科技将氢溢流从“是否存在”的争辩推进到“如何调控”的工程框架:机理上由原子H简单扩散升级为与表面羟基/氧空位耦合的PCET过程,并给出“高温更强覆盖”的构型熵证据;材…
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氧空位的第一性原理计算:形成机制、电子结构调控与功能应用
在凝聚态物理与材料科学的研究中,晶体结构中的点缺陷长期以来被认为是影响材料物理与化学性能的关键因素。其中,氧空位作为氧化物与氧化物基复合结构中最常见且最重要的一类缺陷,受到广泛的关…