缺陷
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什么是表面重构？定义、动态机制（结构 / 价态 / 配位改变）及对电催化活性的优化作用
说明：本文华算科技系统解析了表面重构的定义、机制、影响因素、表征方法及调控策略，阐明其如何通过动态改变材料表面结构、价态与配位环境来优化催化活性和选择性。阅读此文您将掌握利用外加电…
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什么是晶格应变？定义、成因及催化活性突破的全面解读
说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的定义、形成机制及其应用。同时解释了晶格应变源于原子间距偏离理想晶格，由核壳失配、载体作用、缺陷、合金化及纳米形变五大因素引发。同时结合催化反应…
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尺寸效应的多层次机制：表面效应、量子尺寸效应与电子-几何协同效应
说明：本文华算科技系统阐释了尺寸效应的核心内涵及其多层次作用机制。读者将深入理解三大主导机制：表面效应、量子尺寸效应以及电子–几何协同效应。为您设计高性能催化剂（精准优…
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晶体缺陷的定义、分类及其调控方法
说明：本文华算科技系统介绍了晶体缺陷的定义、分类及其调控方法。晶体缺陷是晶体结构中局部原子排列偏离周期性规律的现象，分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。文中详细阐述了通过固态-气态、固态-…
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动态表面重构的精准调控：电催化剂重构驱动机制与原位表征策略解析
说明：本文华算科技聚焦电催化剂的动态表面重构，解析了重构的驱动机制，强调了原位表征技术的关键性，并提出了通过前驱体设计与工况调控实现重构精准调控以优化催化性能的策略。 01 什么是…
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氧空位构筑与表征全解析：方法学探索、谱学技术与原子成像应用
说明：本文全面介绍了氧空位的定义、构筑方法及表征手段。文章详细阐述了高温氢化、掺杂、高能粒子轰击等构筑方法的原理及优缺点，并对比了X射线光电子能谱、拉曼光谱、正电子湮没谱等谱学表征…
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调控费米能级:电子结构工程优化催化活性的理论与计算策略
说明：本文围绕费米能级调控展开，阐述其在催化领域的应用。通过掺杂工程、缺陷调控、应变与电场调控等策略，结合DFT计算，可优化催化剂电子结构与表面反应活性。 以铜基催化为例，费米…
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晶体材料中四类典型缺陷及其工程应用
总结：本文系统总结了晶体材料中四类典型缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。 点缺陷如空位、间隙原子和置换原子对材料的电子结构和催化活性具有显著影响；线缺陷（位错）是材料塑性变形的…
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缺陷对态密度有哪些影响？
缺陷对材料的态密度（Density of States, DOS）具有显著影响，这种影响在多个领域中被广泛研究，包括半导体、钙钛矿太阳能电池、二维材料以及纳米结构等。态密度是描述材…
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如何调控电子结构、态密度、能带结构、掺杂与缺陷？
本文将从Bi₂WO₆的电子结构、态密度、能带结构、掺杂与缺陷调控、光催化性能等方面进行详细分析，并结合相关文献进行说明。 Bi₂WO₆（钨酸铋）是一种具有广泛应用前景的多功能材料，…
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什么是不对称氧空位？
总结：本文系统介绍了不对称氧空位的定义、优势及其在催化和能量转化领域的前沿应用，强调不对称氧空位通过独特的电子结构和多金属协同效应，显著提升了材料的活性中心多样性、反应选择性和电子…
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如何分析缺陷转变能级？
分析缺陷转变能级是材料科学和半导体物理中的一个核心问题，尤其在太阳能电池、半导体器件和光学材料等领域具有重要意义。缺陷转变能级（Transition Energy Level）是指…
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VASP如何计算缺陷转变能级？
VASP（Vienna Ab-initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和凝聚态物理领域的第一性原理计算软件，能够通过密度泛函理论（DFT）模拟材…
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如何分析差分电荷密度
差分电荷密度（Differential Charge Density, DCD）是电子结构计算中一种非常重要的分析工具，它能够直观地反映电子在不同体系或结构之间的重新分布情况。通过…
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氮化铝（AlN）半导体性质
氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种典型的宽禁带半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在光电子器件、功率器件、深紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。 本文将…
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什么是电催化火山图、d带中心、界面工程、缺陷与掺杂效应？
说明：密度泛函理论（DFT）通过吸附自由能火山图（如ΔG*H≈0 eV优化HER活性）、d带中心理论（ε_d偏移调控中间体吸附强度）及界面电荷工程（Bader电荷定量转移）指导电催…
