晶格应变
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晶格应变综述：外源与内源产生机制及多尺度表征（XRD、EBSD、HRTEM、拉曼）
说明：本文华算科技介绍了晶格应变的概念、产生机制、引入方法、表征手段。晶格应变可通过机械加载、热处理、化学扩散等外源性方式，以及相变、缺陷诱导等内源性方式引入。表征方法包括X射线衍…
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晶格畸变与应变在调控材料性能中的关键作用与表征
说明：本文华算科技介绍了晶格畸变和晶格应变的概念、产生机制、引入方式、表征方法。文中详细阐述了掺杂、辐照、异质结构失配等引入方式，以及HR-TEM、XRD、拉曼光谱、XAFS等表征…
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XRD图怎么看？核心原理、参数解析与多表征联动应用
X射线衍射（XRD） 是揭示物质晶体结构最核心、最不可或缺的表征技术。它不仅能进行物相鉴定，还能通过谱图精修获取晶粒尺寸、晶格应变、结晶度等关键结构参数。 更重要的是，XRD可以与…
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催化材料中的晶格畸变与晶格应变：核心概念、调控机制及应用
在材料科学尤其是催化领域，晶格畸变与晶格应变是调控晶体结构、优化材料性能的核心手段，但二者常被混淆。本文华算科技将从定义、原理、区别与联系出发，结合分析手段与应用场景，系统梳理这两…
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晶格畸变 VS 晶格应变
说明：本文聚焦晶格畸变与晶格应变的核心差异与关联，系统解析二者定义、量化方法及表征技术，区分不同类型的晶格畸变与晶格应变的特征。 一、晶格畸变是什么？ 晶格畸变指多种不同尺寸、…
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什么是“晶格应变”? 类型、数学描述与中子衍射 / 拉曼光谱等表征手段
说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的基本概念、量化方法与多种先进表征技术，内容涵盖从宏观到微观的应变类型，详细介绍了应变张量的数学描述，并深入探讨了X射线衍射、中子衍射、电子衍射…
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XRD峰偏移、展宽或尖锐化说明发生了什么？
一、XRD峰偏移 峰的位置变化（向左/右偏移）主要与晶面间距（d值）变化有关，遵循布拉格方程（nλ=2dsinθ）： 晶格应变效应 晶格应变被定义为纳米材料晶格中原子间平衡间距的偏…
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位点间距效应（ISDE）：活性位点空间排布对催化性能的影响与调控策略
说明：本文华算科技介绍了位点间距效应（ISDE）的定义、作用及其调控策略。ISDE指活性位点间距对性能的影响，包括单金属原子位点、异核原子位点及纳米/亚纳米尺度下的效应。通过调控合…
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什么是晶格应变？定义、成因及催化活性突破的全面解读
说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的定义、形成机制及其应用。同时解释了晶格应变源于原子间距偏离理想晶格，由核壳失配、载体作用、缺陷、合金化及纳米形变五大因素引发。同时结合催化反应…
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晶格畸变与晶格应变：概念辨析、表征技术及在光/电催化中的作用机制
说明：华算科技通过本文系统阐释了晶格畸变与晶格应变的核心概念、差异及其在光/电催化中的关键作用。您将清晰理解：畸变源于局域缺陷/掺杂导致的无序结构变化，而应变是宏观应力引发的晶格连…
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晶格应变如何调控催化活性？
一、晶格应变的定义与量化 晶格应变指材料在外力或化学作用下晶格常数发生形变的现象，通常以百分比形式量化。根据应变方向可分为单轴应变（沿特定晶向）和多轴应变。其计算公式为： (ε) …
