掺杂

掺杂对材料的态密度（Density of States, DOS）具有显著影响，这种影响不仅体现在材料的电子结构上，还直接关系到其电学、光学和热学等物理性质。以下将从多个角度详细探…

掺杂对半导体能带结构的影响是一个复杂而重要的研究领域，涉及材料科学、凝聚态物理和电子工程等多个学科。掺杂是指通过向半导体材料中引入特定的杂质原子，以改变其电子结构和导电性能。这种改…

钴磷化物（CoP）作为一种重要的过渡金属磷化物，近年来在催化领域中展现出卓越的性能，尤其是在水分解、氮气还原、氨硼烷水解等反应中表现出优异的催化活性和稳定性。 CoP的催化性能不仅…

  总结：本文系统总结了氮（N）掺杂作为材料改性手段的原理、方法、优势及其在催化领域的具体应用。 N掺杂因其资源丰富、电子结构调控能力强以及适用材料广泛而被广泛应用，常采用高温氨气…

RuO₂（二氧化钌）作为一种重要的过渡金属氧化物，因其优异的催化性能而被广泛研究和应用。RuO₂在多种催化反应中表现出良好的活性和稳定性，包括氢气氧化反应（HOR）、析氧反应（OE…

本文将从Bi₂WO₆的电子结构、态密度、能带结构、掺杂与缺陷调控、光催化性能等方面进行详细分析，并结合相关文献进行说明。 Bi₂WO₆（钨酸铋）是一种具有广泛应用前景的多功能材料，…

晶体缺陷是指晶体内部原子排列的局部不规则现象，这类缺陷会显著影响材料的物理化学性质，尤其是在催化领域具有重要作用。以下是具体分类及其对催化的影响：     晶体缺陷的分类   点缺…

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种典型的宽禁带半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在光电子器件、功率器件、深紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。 本文将…

在理论计算领域，元素掺杂作为调控材料性能的重要手段，其形式多样，根据掺杂位置的不同，主要可分为替位掺杂、间隙掺杂、表面吸附掺杂、空位辅助掺杂和复合掺杂等类型。 深入研究这些不同的掺…