掺杂

说明：本文华算科技介绍了掺杂的定义、原理及在不同领域的性能提升机制。掺杂通过引入杂质原子改变材料的电子能带结构，分为n型和p型掺杂，分别增加电子或空穴浓度。掺杂可构筑P-N结实现电…

说明：本文华算科技介绍了空位和掺杂这两种重要点缺陷。空位是晶格中原子缺失形成的本征缺陷，其形成与热力学相关，可影响材料电子结构和电学性质。掺杂是人为引入杂质原子改变材料性能的过程，…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了DFT计算在催化领域的应用，聚焦HER、OER等反应的自由能台阶图分析，通过掺杂、缺陷工程优化催化剂活…

说明：本文华算科技介绍了掺杂的定义、分类，以及XRD基本原理，重点阐述了掺杂对XRD图谱的影响，包括衍射峰位偏移、峰强度变化、峰宽化以及第二相或杂相的出现等，通过分析这些变化可了解…

说明：本文华算科技介绍了自旋态的定义、原理与核心公式，包括自旋角动量量子化、泡利不相容原理、洪德规则、晶体场理论等。重点探讨了自旋态转变的原因，分为内部因素，包括电子组态、轨道相互…

说明：本文华算科技通过介绍缺陷与掺杂的定义、影响、表征与构建方法以及应用领域，系统性的介绍了什么是缺陷、什么是掺杂，明确介绍了两者的差异。通过本文将好地理解材料修饰方法中缺陷与掺杂…

说明：本文系统阐述了如何利用XRD技术分析材料的掺杂行为，重点解析了布拉格方程、谢乐公式、威廉姆森–霍尔法、Rietveld精修和维格德定律等核心原理，进而详细说明了如…

说明：本篇华算科技系统阐述了内建电场（BIEF）的形成原理及作用，详细介绍了通过异质结、空位、掺杂和非晶化四大策略构建BIEF的方法。阅读本文，您将掌握如何通过设计材料内部电场来高…

说明：本文华算科技介绍了晶格畸变和晶格应变的概念、产生机制、引入方式、表征方法。文中详细阐述了掺杂、辐照、异质结构失配等引入方式，以及HR-TEM、XRD、拉曼光谱、XAFS等表征…

说明：这篇文章华算科技全面介绍了Jahn-Teller效应，包括其定义、理论起源、基础理论、对活性的影响以及实例分析。通过阅读，读者可以深入了解该效应在配位化合物中的作用机制，以及…

说明：本文华算科技系统介绍了掺杂：定义其通过异质原子引入调控电子结构、晶格与吸附；详述提升活性、导电性、稳定性的作用；介绍XPS、DFT、XAFS、TEM、XRD、AC-STEM、…

说明：这篇文章华算科技详细介绍了电子结构调控的策略、优势及其在材料科学中的应用。通过元素掺杂、缺陷工程、界面工程等手段，可以精准调控材料的电子结构。结合具体案例，展示了这些策略的实…

N掺杂石墨烯是一种通过引入氮原子来改变石墨烯原有电子结构和物理化学性质的先进材料。氮原子的引入不仅能够增强石墨烯的导电性、催化活性和储能性能，还为石墨烯在能源、电子器件、生物传感器…

半导体掺杂模型是现代半导体物理和器件设计中的核心内容之一，它通过引入杂质原子来改变半导体材料的电子结构和导电性能，从而实现对半导体材料特性的精确控制。掺杂不仅影响半导体的能带结构、…

说明：本文华算科技介绍了掺杂的定义、分类及其在晶体材料中的作用。重点阐述了XRD在掺杂分析中的应用，包括确认掺杂剂的固溶状态、评估相纯度、定量分析晶格参数变化和确定掺杂位点等。通过…

说明：本文聚焦空位与掺杂两大材料缺陷工程核心策略，系统解析二者定义、相关公式、构建方法及典型应用场景。深入剖析二者的核心关系，明确本质区别与应用边界，展现单独调控与协同作用的性能差…

说明：本文华算科技详细介绍了氧空位的概念、形成机制、作用。对比总结了氧空位的表征方法，如XPS、EPR、TEM、HRTEM、STEM、化学滴定法、拉曼、同步辐射、PALS等，同时还…

说明：文章中华算科技系统梳理了氧空位的定义、形成能公式及调控策略。此外本文以“工作原理+典型案例”的形式，详细介绍了XRD、XPS、EPR、Raman、XAFS、STEM、EELS…

说明：本文华算科技介绍了d带中心的概念、重要性及其调控方式，以及如何通过应变效应、电子效应、配位数效应、缺陷工程、化学掺杂、电场调控、相工程、金属 – 载体相互作用等精…

说明：文章华算科技系统梳理了能带的形成、定义及三大核心公式，逐一展示紫外可见漫反射光谱、Mott-Schottky、XPS价带谱、PL与DFT、COHP等实验-计算手段，最后汇总了…