掺杂

说明：本文华算科技介绍了氮掺杂石墨烯的掺杂机理、键合构型及其对电子结构和电化学性能的调控作用，如何通过精准掺杂设计能带隙和活性位点，从而高效开发高性能电催化剂、超级电容器和电池电极…

说明：本文华算科技介绍了电催化剂原位重构的定义、影响因素（反应时间、过电位等）及价态控制、活性物种保留、晶相演化工程、表面中毒抑制四大优化策略与具体实现方法。读者可系统学习到调控原…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：如何在Materials Studio中进行掺杂操作，以氧化铝为例，演示铝原子替换为铁并调整组分比例至50%的方法，强调周期性镜…

说明：本文华算科技主要介绍了电子自旋的定义、作用、调节方法及表征方法。调节电子自旋的方法包括缺陷诱导、掺杂诱导、价态调控、晶体结构调控和强金属 – 载体相互作用等。此外…

说明：本文华算科技深入探讨了界面调控的多种策略及其在不同领域的应用。通过介绍掺杂、构筑应变、构筑异质结、引入空位等方法，文章展示了如何通过改变界面的结构和性质来优化材料的功能特性。…

说明：本文华算科技深入探讨了晶体材料中阴离子空位和阳离子空位的形成机制、特性及其对材料性能的广泛影响。文中详细阐述了空位的电荷状态、能带调制效应、对扩散行为和晶体结构的影响，以及在…

说明：原子掺杂是重要的材料调控策略，通过引入杂质原子改变材料电子结构、能带和载流子浓度，从而提升其催化、电学和光学性能。 近年第一性原理计算发展迅速，DFT成为揭示掺杂机理和缺陷态…

在微观的电子世界里，材料的一切导电行为并非偶然，而是由价带、导带和费米能级——凝聚态物理与材料科学中最核心的概念所决定。 如何精准调控这其相对位置是实现材料性能的按需定制，成为了推…

  说明：氧空位是金属氧化物催化剂中常见而关键的结构缺陷，其形成可显著改变材料的电子、化学和催化性能。 过去研究表明，晶格中缺失一个氧原子常伴随留下两个电子，形成高活性的电子富集位…

说明：本文华算科技系统阐述了晶体缺陷的定义、分类及其关键作用与原理，并详细介绍了多种缺陷调控策略。阅读本文，您将全面了解如何通过精准设计缺陷来显著提升材料的离子扩散能力、电子导电性…