华算科技
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VASP教程 | 二维材料silicene态密度计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene态密度计算，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…
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VASP教程 | 二维材料silicene态密度分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene态密度分析，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济…
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VASP | 理论计算常见问题解答（90）：DFT计算与催化相关实操疑问汇总及解答（介电函数、COHP分析、H吸附等）
Q1：朱老师，这是我计算的MXene的介电函数，发现其虚部曲线在靠近0 eV处出现了负值，请问这是不是不正常呀？ A：①没有不正常，ε1本来就可以为负值，尤其是金属或者半金属； ②…
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能垒变化的物理本质及其对反应与扩散过程的调控机制
说明：本文华算科技介绍了能垒降低与升高的定义及对反应、扩散等过程速率的影响，阐述能垒变化的本质是体系内部化学键、分子间作用力等相互作用的改变，说明如何通过能垒判断优势反应路径、反应…
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全面解析12大电化学表征技术：原理、功能与在催化研究中的应用
说明：本文华算科技介绍了电化学表征的定义与核心价值，阐述了其在材料性能评估、反应机理揭示及结构优化中的重要作用，并详解了LSV、CV、CA、CP、Tafel、EIS、SWV、RRD…
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局部微环境的构成、特征及其对催化反应的关键影响
说明：本文华算科技介绍了催化体系中局部微环境的定义，阐述其空间受限性、动态演化性两大核心特征，区分其与体相环境的差异，详解其由化学组分、物理结构、电荷分布构成的核心要素，以及其在调…
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华算科技-MS杨站长 | Materials Studio-怎样解决MS按键盘时崩溃的问题？
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio-怎样解决MS按键盘时崩溃的问题？ MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日本WPI研究所…
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Properties性质计算报错 | Materials Studio CASTEP | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio CASTEP Properties性质计算报错 MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日…
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红外-极化-拉曼CASTEP properties报错 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：红外-极化-拉曼CASTEP properties报错 | 华算科技 MS杨站长 MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日…
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半导体表面、pn 结、金属接触：为什么都会出现能带弯曲？
在半导体物理中，能带弯曲通常发生在半导体的表面、异质结界面（如 p-n 结）、或是金属与半导体的接触面上。 能带之所以会弯曲，根本原因可以归结为一句话：为了达到热力学平衡，载流子（…
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一文读懂：d 带中心与催化活性的关系
说明：本文华算科技介绍了d带及d带中心的基本概念与物理意义，揭示了其在过渡金属表面吸附与催化反应中的核心作用，详细介绍了通过合金化、应变调控、配体修饰及尺寸效应等策略调节d带中心以…
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如何拟合EIS？电化学阻抗谱原理、表达与核心拟合方法详解！
说明：本文华算科技系统介绍了电化学阻抗谱（EIS）的测量原理、数据表达方式以及两种核心拟合方法：等效电路模型（ECM）与弛豫时间分布（DRT）分析，并强调了数据质量验证的重要性。 …
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常见亲水、疏水官能团总结：分子亲疏水性的核心决定因素
在化学和生物化学中，分子的亲水性（Hydrophilic）和疏水性（Hydrophobic）主要取决于其携带的官能团。 简单来说：亲水官能团通常带有极性或电荷，能够与水分子形成氢键…
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VASP教程 | 二维材料silicene超胞模型 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料silicene超胞模型，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，同济大…
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VASP教程 | 二维材料B掺杂silicene模型构建 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师讲解了二维材料B掺杂silicene模型构建，适合DFT计算入门学习！ 朱老师讲VASP，华算科技资深技术，…
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质子耦合电子转移（PCET）：电催化反应中的核心机制与应用
说明：本文华算科技阐述了质子耦合电子转移（PCET）的定义、核心概念及其在电催化反应中的关键作用。详细介绍了PCET的两种基本路径（协同路径与分步路径），并深入分析了其在典型电催化…
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Materials Studio-怎样减少CASTEP与DMol3计算中内存的使用？| 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio-怎样减少CASTEP与DMol3计算中内存的使用？ MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所…
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MS通讯失败 comminication falure | Materials Studio报错 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：MS通讯失败 comminication falure MS杨站长，曾就职于德国马克思普朗克研究所，日本WPI研究所，并曾在芬兰…
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如何分析拟合XPS数据？
说明：本文华算科技介绍了XPS数据分析与拟合流程，涵盖数据获取、荷电校准、背景扣除、分峰拟合及定量分析等关键步骤，并结合具体案例和图表说明了各环节的操作要点与常见问题。 XPS…
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吸附能基础：定义、计算及其在表面化学中的核心作用
说明：本文华算科技围绕吸附能的定义、计算公式、物理与化学吸附分类及热力学关联，阐述了其在吸附过程自发性、反应速率、表面活性和材料稳定性等方面的核心作用。 什么是吸附能？ 吸…
