DFT计算
-
拆解三大核心化学键:离子键、共价键、金属键的本质、模拟与科研案例
说明:本文华算科技将深入剖析化学世界的三大核心作用力——离子键、共价键、金属键,不仅厘清其基本概念,更将探讨其现代计算模拟方法、实际应用场景,并结合顶级科研期刊的最新案例,为您展现…
-
HOMO不显示?偏移很远?99%是因为这个原因!| MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio计算HOMO LUMO时可能出现HOMO不显示,或者偏移很远的问题。本次针对 HOMO 相关的常…
-
ELF二维切面调整技巧!快准狠!| 华算科技 MS杨站长 materials studio 电子局域函数
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:ELF 是用于描述电子在空间中局域化程度的重要物理量,二维切面分析能帮助研究者直观了解材料中电子的分布特征。本视频聚焦于电子局域…
-
【VESTA教程】VESTA绘制漂亮的差分电荷图 DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技-朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:如何使用VESTA软件绘制差分电荷图。首先进行相关的DFT计算,包括整体电荷密度和分解成两部分的电荷密度。然后使用VEST…
-
第一性原理计算中的差分电荷密度分析:方法、技巧与应用综述
说明:本文华算科技将系统性地阐述差分电荷密度的基本概念与物理意义,详细介绍其基于第一性原理(尤其是密度泛函理论)的计算流程与常用软件,深入探讨差分电荷密度图的分析方法与技巧,并列举…
-
理论计算揭示孔道限域催化机制:从电子结构到反应路径
说明:孔道限域效应是近年来在催化与材料科学中广受关注的研究热点。通过在分子筛、金属有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)或二维层状材料等孔道空间内调控反应物、活性位点与过渡态的…
-
【origin教程】如何快速简单绘制能带结构图 DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:核心围绕 “DFT计算后如何快速简单绘制能带结构图” 展开,适合有VASP使用需求或需处理能带图数据的科研人员…
-
【VASP神器】VaspView优化结果:结构优化进度实时监控、一卦算出优化收敛时间 DFT计算 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASPView工具包实时监控结构优化进程,分析优化步数、能量差值及原子受力情况,帮助判断计算收敛状态,适…
-
VASP计算HER台阶图高级技巧
VASP(Vienna Ab Initio Simulation Package)是一种广泛应用于材料科学和化学领域的第一性原理计算软件,尤其在电子结构计算、催化反应、材料性能预测…
-
原胞与惯用胞:DFT计算中的晶胞选择与影响
说明:原胞与惯用胞是描述晶体结构的两种基本晶胞概念,对DFT计算具有重要影响。本文首先阐述原胞和惯用胞的定义及基本理论;接着分析晶胞选择在DFT计算中对计算效率、收敛性与准确性…
-
氧空位调控:金属氧化物催化剂的电子、化学与催化性能优化
说明:氧空位是金属氧化物催化剂中常见而关键的结构缺陷,其形成可显著改变材料的电子、化学和催化性能。 过去研究表明,晶格中缺失一个氧原子常伴随留下两个电子,形成高活性的电子富集位…
-
HER反应路径
HER(氢气析出反应)是电化学和光催化领域中一个核心反应,广泛应用于绿色能源的制备,如电解水制氢。HER的反应路径、机制、催化剂设计以及性能优化是当前研究的重点。 华算科技朱老师将…
-
MS异质结构模型构建02 | LaCoO3 MoSe2 钴酸镧 二硒化钼 | Materials Studio建模系列特训营 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:使用Materials Studio构建LaCoO3 MoSe2异质结构模型,通过调整晶格角度、优化超胞参数(2x5x1)及表面…
-
MS异质结构模型构建01 | Materials Studio建模系列特训营 | MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:使用Materials Studio构建MS异质结构模型,重点介绍二硫化锰/石墨烯异质结构设计,通过调整晶格匹配(5%内)超胞扩…
-
【VASP处理工具】VaspView态密度:TDOS+PDOS一网打尽 态密度作图随心定制 态密度数据处理与分析 DFT计算 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:VASPView工具处理态密度(TDOS+PDOS)的方法,涵盖输入DOS文件、总态密度平滑处理、分轨道等,并…
-
【VASP处理工具】CIF导出POSCAR,晶体模型光速建立,VaspView!!! DFT计算 华算科技
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP处理工具导入CIF文件生成POSCAR结构,支持CIF、POSCAR等格式,展示硅晶体周期性结构参…
-
解密偏析能:从基础定义到高通量计算与复杂晶界设计
说明:本文华算科技围绕偏析能的定义、符号与物理解读展开,强调其表征溶质从基体迁移至晶界/表面的热力学驱动力;在方法上以DFT超胞与界面模型定量计算不同位点偏析趋势,并讨论自旋、价态…
-
DFT计算选MS还是VASP?DFT计算 华算科技-朱老师讲VASP
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:DFT计算中MS和VASP的选择问题。朱老师从模型构建、DFT计算和数据处理三个方面进行了对比。MS具有完整的…
-
什么是氧空位?定义、对催化性能的影响机理及在 CO₂还原、析氧反应中的核心作用
催化剂中的氧空位是催化反应中的一个重要活性位点,尤其在析氧反应(OER)和还原反应(ORR)中发挥关键作用。 氧空位是由于氧原子从催化剂表面脱离而形成的缺陷,通常出现在金属氧化物、…
-
铁磁、顺磁与反铁磁:磁性材料分类及其在电催化(OER/ORR)中的自旋调控应用
说明:磁性材料分为铁磁性、顺磁性、反铁磁性等。铁磁性材料如Fe、Co等,常温有自发磁化;顺磁性材料如Au、Cu,外场下弱磁化;反铁磁性材料如NiO,低温有序。 在电催化中,磁性材料…