华算科技

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了超算平台并行计算效率优化策略，强调选择最小节点资源降低成本，评估并行扩展效率。 朱老师讲VASP，华算…

说明：本文华算科技全面介绍了XRD技术的原理、操作细节、数据分析方法及常见问题的解决策略。读者可深入了解XRD的原理，包括X射线的衍射机制和布拉格定律；学习使用Jade 6软件进行…

说明：穆斯堡尔谱学把57Fe等原子核变成“量子尺”：γ光子无反冲共振一次，就把样品的价态、自旋、配位、磁序、缺陷全部量化为IS、QS、Bhf三个可精确定量的参数，一张谱图即可区分F…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：Materials Studio中费米能级的定义，指出在半导体中费米能级位于能带隙中间，电子分布完全占据价带、未占据导带；金属中…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：如何通过能带结构图区分材料的半导体性和金属性，以二硫化物单层材料为例，分析零压力下存在1.58eV带隙的半导体特性，及施加20%…

说明：本文华算科技主要讲解晶面效应的定义、核心要点及本质，理清其在电催化中至关重要的原因，包含决定活性位点、调控电子结构、主导反应路径、影响表面重构四方面，可掌握晶面效应对催化性能…

说明：本文华算科技介绍了电子转移的概念、机制、作用。从量子化学角度，分析了电子转移的物理本质，并重点探讨了X射线光电子能谱（XPS）在分析电子转移中的优势，包括结合能位移、谱线变化…

1、VASP 能够进行哪些过程的计算？怎样设置？ 我们平时最常用的研究方法是做单点能计算，结构优化、从头计算的分子动力学和电子结构相关性质的计算。一般我们的研究可以按照这样的过程来…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师，首先介绍了DFT计算软件的基本类型，包括商业软件和免费软件。然后就详细比较了VASP、QE和CP2K等软件…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了计算结合能和差分电荷密度，分析了吸附稳定性和电子转移情况。展示了如何通过绘制电荷密度图来直观理解吸附过…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：聚焦二维材料研究中的核心技术难点 —— 能带与声子谱计算中的 k 点路径设置，是 Materials Studio 软件实操与理…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：周期性在材料科学中的重要性以及如何Materials Studio中去除周期性。解释了周期性镜像的概念，并展示了如何在显示模式中…

说明：本文华算科技介绍了晶体形貌的定义、形成机制及其调控方法。晶体形貌受晶体内部结构和外部生长环境的共同影响，形成过程涉及热力学和动力学控制。文中详细阐述了配位、表面吸附、pH值、…

异质结构静电势与功函数是材料科学和凝聚态物理中的核心概念，尤其在电子器件、光催化、能源转换等领域具有重要应用。它们不仅决定了材料的电子行为，还影响着界面处的电荷分布、能带对齐以及电…

说明：本文华算科技介绍了亲水性和疏水性的定义、本质及分类。文章还探讨了亲疏水性的核心区别，包括分子作用、宏观表现和表面结构，并介绍了接触角测试、水吸附量测试、微观结构表征等分析方法…

说明：本文华算科技介绍了配位环境的概念及其重要性，强调了配位环境对金属中心电子结构、催化活性、电化学性能等的调控作用。同时，详细阐述了多种表征配位环境的方法，包括X射线衍射、X射线…

说明：本文华算科技介绍了循环伏安法（CV）及其在分析氧空位中的应用。氧空位是晶体结构中氧离子缺失形成的缺陷，可显著影响材料的电学和催化性能。文中详细阐述了CV如何通过峰电位位移、峰…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师介绍了通过VASP非自治计算生成DOSCAR文件，设置参数进行态密度与原子轨道投影分析，解析电子能量分布及费…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：华算科技朱老师详细讲解了锂在石墨烯表面的吸附位置和吸附能的计算方法，也介绍了后续课程内容，包括VASP的前端和后端处理程序…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期视频围绕两大问题展开：一是系统讲解 “对称性” 的基础概念，包括晶体结构、分子体系中对称性的定义、分类及核心作用，帮助学习者理解对称性在建…