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MoS₂的分类与特性：晶体结构、形貌与电学性质的系统性分析
说明：本文华算科技旨在基于现有研究，从晶体结构与相态、形貌与维度、电学性质三个核心维度，对MoS₂进行系统性的分类和深入阐述，以期为相关领域的科研与应用提供清晰的参考框架。 按…
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晶体掺杂：原理、机制与半导体性能调控
说明：本文华算科技阐述了晶体掺杂的核心概念、机制与广泛应用，如何通过引入异质原子精准调控材料的电学、光学等性能。 阐述了n型与p型掺杂的原理、能带工程对半导体性能的影响，以及掺杂在…
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从 TDOS 到 LDOS：总态密度、投影态密度、局域态密度的系统性阐释
说明：本文华算科技将从总态密度（Total Density of States, TDOS）、投影态密度（Projected Density of States, PDOS）和局域…
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什么是光谱？从TDDFT到振动指纹，一文吃透计算原理与跨学科实战
说明：本文华算科技系统介绍了光谱计算的核心概念、计算方法与实际应用，重点阐述了基于波函数和电子密度的两类主流方法，以及TDDFT等在电子光谱、振动光谱等领域的关键作用。 结合前沿案…
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能带计算为什么要加U？
说明：本文华算科技将系统阐述标准DFT的理论局限性，深入剖析其背后的物理根源——自相互作用误差，并详细介绍DFT+U方法的理论框架、Hubbard U的物理意义、具体应用以及当前面…
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分子偶极矩：定义、结构与计算方法全解析
说明：本文华算科技将从定义与物理意义、分子结构与电荷分布、理论计算方法三个方面，对分子偶极矩进行系统而深入的阐述。 什么是分子偶极矩 分子偶极矩的定义 分子偶极矩，符号为μ…
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福井函数：分子反应活性的量化与实际应用
说明：本文华算科技系统介绍了福井函数的基本定义、计算方法与实际应用，重点阐述了其作为概念密度泛函理论核心描述符，通过电子密度对电子数的偏导数来量化分子反应活性的原理，以及三种函数形…
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MXene：表面终端工程与性能优化
说明：本文华算科技旨在说明MXene表面终端（如-F、-O、-OH等）是其性能调控的关键。通过终端工程可主动设计其电化学、催化及物理性质，实现性能优化，是当前MXene研究的核心方…
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分子激发态：从理论基础到实际应用的全面解读
说明：本文华算科技介绍了分子激发态的理论基础、核心计算方法（如TD-DFT、CASSCF和耦合簇理论）及其在光化学反应、OLED材料设计和生物成像等领域的关键应用，如何通过计算模拟…
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偶极矩工程：理论计算、功能调控与跨尺度应用
说明：本文华算科技系统阐述偶极矩的物理本质、计算方法及其在化学与材料科学中的核心作用，结合经典模型与前沿案例，解析理论精度瓶颈与跨尺度应用策略。 什么是偶极矩 偶极矩是描述分子中电…
