吸附

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：朱老师通过VESTA构建石墨烯吸附Li原子模型，重点介绍顶位吸附位点选择，详细说明初始构型设置方法，包括Li原子在碳原子顶…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：如何构建石墨烯中硼取代碳的模型，强调掺杂需考虑原子半径、化学性质及缺陷形成能，替换后需调整键长并分析电荷分布，硼原子形成缺…

VASP自洽计算原理 VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一款基于密度泛函理论（DFT）的量子力学模拟软件，广泛应用于材料科学、化学…

说明：这篇文章华算科技深入探讨了氢键网络的定义、构建方法、作用机制及其应用实例。通过详细阐述氢键网络如何通过调节反应物吸附、活化以及影响材料结构性能来优化反应路径和速率，读者可以系…

VASP原子振动频率计算原理 原子振动频率的计算通常基于对系统能量对原子坐标的二阶导数（Hessian 矩阵）的计算。Hessian 矩阵描述了系统在原子位置变化时的能量变化，其特…

说明：本文华算科技介绍了内置电场的定义、形成机制，以及其对电催化的七大核心作用（如提高催化剂导电性、优化中间体吸脱附等），读者可系统学习到内置电场调控催化性能的原理与具体机制，了解…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：Pd表面态密度分析与D带中心计算方法，使用VASP结合自研工具VASPView导入DOS数据，展示总/分态密度分布，重点分…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VESTA构建Pd(001)表面吸附H模型的过程，通过放大超胞、手动添加氢原子至表面并调整坐标避免周期性镜像，最终生成吸附…

说明：本文华算科技阐述了阴/阳离子对双电层结构、界面电场及反应路径的调控机制。通过阅读，将掌握不同离子通过静电吸附、配位键合等方式调控电极界面微环境的原理，学会通过选择电解质和添加…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：Pd(001)表面吸附H的结构优化分析，通过VASP计算确定吸附位点及配位数，比较不同位点能量以确定最优吸附位置，并计划后…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：通过VASP计算Pd表面吸附H的结合能，步骤包括构建顶位吸附模型、分析结合能强度并与其他金属表面对比，强调负值表示强相互作…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：华算科技团队通过晶界工程设计碳铝晶界催化剂，结合DFT与慢振荡模型分析晶界结构对CO₂/N₂共吸附及活化的影响，发现571晶界显…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：通过VASP计算Pd表面吸附H的差分电荷密度，分析结合能与电荷分布关系，适用于材料计算学习与研究。 朱老师讲VASP，华算…

说明：本文华算科技主要讲解电催化中电极界面表面吸附的核心知识，理清优良电催化剂需平衡各类吸附、电极材料吸附观（Sabatier原理、d带理论）、溶剂对吸附的影响、电位与界面结构关系…

说明：这篇文章华算科技详细介绍了阴离子效应，包括其定义、原理、机制及应用。通过丰富的实例和科学分析，阐述了阴离子如何通过静电相互作用、氢键作用和溶剂化作用等影响化学反应的速率、方向…

说明：本文华算科技介绍了石墨炔（GDY）在计算化学中的研究方向与应用前景。通过DFT、GW/TDDFT、NEB、MD/AIMD与GCMC等方法，可探讨其电子结构、缺陷与掺杂效应、吸…

本文华算科技介绍了氢键的基本概念、形成机制、分类及其在化学、生物学和材料科学中的应用，重点阐述了密度泛函理论（DFT）、分子动力学（MD）和从头算分子动力学（AIMD）等计算方法在…

说明：文章华算科技系统阐述了表面界电场的形成机制、作用原理及其在不同界面体系中的分类特征。通过阅读，您将掌握界面电荷重排与能带弯曲的核心原理，学会利用内建、极化等多种电场类型调控载…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：使用VESTA构建石墨烯超胞模型的方法，通过调整晶格常数，便于后续吸附或掺杂计算，提升浓度可控性和结构稳定性，并指导保存与…

  研究背景   异相催化作为现代化学工业的核心技术，在能源转换、环境保护和化工合成等领域发挥着不可替代的作用。传统上，密度泛函理论（DFT）计算被广泛应用于催化机理研究和催化剂设…