华算科技
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反应机理的系统分析方法:条件影响规律与多手段验证策略
说明:本文华算科技系统阐述了反应机理的基本概念和分析方法,详细探讨了温度、溶剂、压力和催化剂等反应条件对反应路径的影响规律,并介绍了利用NMR、IR、MS等实验表征手段结合分子动力…
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电化学阻抗谱(EIS)中半圆消失的原因?
说明:本文华算科技介绍了电化学阻抗谱的基本原理、奈奎斯特图中半圆的物理意义及其消失的各种原因,包括速率控制步骤转变、时间常数重叠、电极界面非理想性以及极端参数值等因素对阻抗谱特征的…
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单原子、团簇与颗粒催化剂:结构差异与多尺度表征
说明:本文华算科技介绍了单原子、团簇和颗粒三类催化剂在定义、几何电子结构、催化性能及稳定性方面的差异,并详细介绍了球差校正扫描透射电子显微镜、X射线吸收光谱、扫描隧道显微镜、X射线…
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VASP教程 | 二维材料silicene结构优化计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene结构优化计算,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同…
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什么是自旋极化?原理、机制与应用全解析
说明:本文华算科技介绍了自旋极化的物理本质、产生机制及其在自旋电子学、磁性材料、量子计算和催化反应等领域的关键应用,并通过具体案例展示了自旋极化在提升电催化性能中的实际效果。 …
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VASP教程 | 二维材料silicene结构分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene结构分析,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大…
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空气动力学研究表明,减肥是有用的!| 分子漂流杯第三届,MS分子动力学制作的游戏—低级趣味,但上档次!| MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技–MS杨站长团队制作,本期内容包括:空气动力学研究表明,减肥是有用的!| 分子漂流杯第三届,MS分子动力学制作的游戏—低级趣味,但上档次!| MS杨站长…
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什么是电荷转移?定义、分类与表征方法全解析
说明:本文华算科技介绍了电荷转移的定义、分类、作用,重点说明了紫外可见吸收光谱、荧光光谱、红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、瞬态吸收光谱、时间分辨荧光光谱、循环伏安法、交流阻抗…
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配位数(CN)怎么算?配体数与配位数的区别与计算方法
说明:本文华算科技介绍了配体数与配位数(CN)的定义、区别及判断方法:配体数是配合物中与中心原子结合的配体分子总数,可直接数配体角标;配位数是中心原子结合的配位原子总数,需结合配体…
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炸裂!第二届分子漂流杯 | MS分子动力学制作的游戏—低级趣味,但上档次!| MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技–MS杨站长团队制作,本期内容包括:第二届分子漂流杯 | MS分子动力学制作的游戏—低级趣味,但上档次!| MS杨站长 华算科技 MS杨站长…
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【Materials Studio】DFT-D报错?稀土元素没参数?Grimme一个表格解决! I DFT计算 CASTEP DMol3 MS杨站长 华算科技
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:DFT-D报错?稀土元素没参数?Grimme一个表格解决! I DFT计算 CASTEP DMol3 MS杨站长,曾就职于德国马…
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VASP教程 | 二维材料silicene电荷计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene电荷计算,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大…
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VASP教程 | 二维材料silicene三维电荷图 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene三维电荷图,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济…
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稳定结构中的小虚频应该怎样消除?华算科技-MS杨站长 | Materials Studio
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:稳定结构中的小虚频应该怎样消除?华算科技-MS杨站长 | Materials Studio MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克…
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掺杂表征方法:XRD、XPS、Raman等十种技术详解
说明:本文华算科技介绍了掺杂是材料与催化核心改性技术,可调控电子结构、优化晶体结构、提升材料稳定性;并详解ICP‑OES、XRF、元素分析、XRD、TEM、XPS、DRS、Rama…
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EIS中为什么有多个半圆?多层界面、多步反应、传质耦合全解析!
说明:本文华算科技先介绍奈奎斯特图的定义、坐标规则,以及Randles等效电路对应的单半圆阻抗特征;再重点解析电化学阻抗谱出现多个半圆的核心原因,涵盖多层界面、多孔电极、多步反应、…
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d带中心上移、下移说明了什么?从Hammer-Nørskov模型看吸附调控
说明:本文华算科技介绍了d带中心的定义、计算方法及其物理意义,并通过结合Hammer-Nørskov模型和Sabatier原理,解释了d带中心位置如何调控吸附强度与反应活性。 …
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华算科技-MS杨站长 | Materials Studio-硬核—过渡态假虚频的消除办法!
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio-硬核—过渡态假虚频的消除办法! MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,…
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VASP教程 | 二维材料silicene二维电荷图 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了二维材料silicene二维电荷图,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济…
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如何区分表面控制与扩散控制?基于CV与EIS的动力学机制解析
说明:本文华算科技介绍了表面控制与扩散控制两种反应机制的本质区别,从速率决定步骤、温度敏感性、流体动力学依赖性等维度进行对比分析,并详细介绍了循环伏安法和电化学阻抗谱两种实验区分方…