华算科技
-
51份精选干货合集:电化学阻抗谱(EIS)从入门到精通
本文整理了51份关于EIS的干货,扫码发送“547”领取: 目录 以下将分类介绍部分资料: 第一板块:零基础入门与理论夯实 内容: 涵盖EIS的基本定义、测量原理、波特图与奈奎…
-
VASP教程 | Si表面吸附H电荷计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附H电荷计算,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直接…
-
VASP教程 | Si表面吸附H电荷分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附H电荷分析,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直接…
-
离子诱导的界面疏水环境促进C-C耦合 DFT计算 催化机理 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:离子诱导的界面疏水环境促进C-C耦合! MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,并曾在芬兰阿尔托大学进行长…
-
Fe-N-C电化学NOx还原选择性的理论见解 DFT计算 掺杂石墨烯 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Fe-N-C电化学NOx还原选择性的理论见解! MS杨站长,曾就职于德国马克思普朗克研究所,日本WPI研究所,并曾在芬兰阿尔托大…
-
VASP教程 | Si表面吸附态密度计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附态密度计算,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直接…
-
VASP教程 | Si表面吸附H态密度分析 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附H态密度分析,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直…
-
循环伏安法(CV)与电化学阻抗谱(EIS)协同分析催化活性:从快速筛选到界面动力学的闭环解析
说明:循环伏安法、电化学阻抗谱能从原子尺度精准解析催化机理并提供定量评价标准。本文华算科技阐述CV通过峰电位、峰电流及可逆性参数快速筛选催化活性,EIS借助电荷转移阻抗、Warbu…
-
厘清表面能、表面张力与表面自由能:理论辨析与测试方法
说明:表面能揭示了材料表面的能量本质,是调控润湿性、粘附性和催化活性的核心物理量。本文华算科技介绍了表面能的定义与物理起源,理清了其与表面张力、表面自由能的区别,并重点解析了表面能…
-
XRD如何分析晶格应变?原理、应变类型与测试方法详解
说明:本文华算科技围绕XRD分析晶格应变展开,首先阐释应变的定义及产生机制,并分类介绍弹性、塑性、残余、热及界面五种常见类型。继而基于布拉格定律说明XRD通过衍射峰位移分析应变的原…
-
d带中心理论如何调控催化?
d带中心理论是催化科学中一个核心且具有广泛应用的理论框架,它通过描述过渡金属的电子结构(尤其是d轨道的能级分布)与催化性能之间的关系,为催化剂的设计与优化提供了重要的理论指导。 该…
-
VASP教程 | Si表面吸附OH模型构建 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附OH模型构建,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科直…
-
VASP教程 | Si表面吸附OH结构优化计算 | 纯小白入门DFT计算【朱老师讲VASP】
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师讲解了Si表面吸附OH结构优化计算 ,适合DFT计算入门学习! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学…
-
Fe-N-C催化ORR电势依赖的决速步变化! DFT计算 掺杂石墨烯 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:聚焦 Fe-N-C 催化剂在氧还原反应中的核心研究热点 —— 电势依赖的决速步变化。视频结合 DFT计算方法与掺杂石墨烯相关体系…
-
通过DFT计算解释CoPc催化剂上CO2RR到多电子产物的高选择性原因 | 华算科技 MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:,以 DFT 计算为核心手段,解析 CoPc 催化剂在 CO₂RR 中对多电子产物的高选择性成因。通过模拟反应路径、对比中间体能…
-
电催化中吸附等温线的核心作用:Langmuir模型框架下表面覆盖率与非理想性解析
说明:本文华算科技介绍了电催化中的吸附等温线,阐释其表面覆盖率核心、理想 Langmuir 模型框架,解析活性位点异质性等非理想性成因,结合 HER、OER 等反应实例,帮助读者掌…
-
VESTA软件构建石墨烯二维晶体结构建模教程
在材料科学与计算化学领域,VESTA 是一款广泛使用的晶体结构可视化与建模软件,尤其适用于构建二维材料如石墨烯的模型。 VESTA构建石墨烯模型的步骤 1. 导入或构建石墨烯单胞 …
-
静电势与功函数在材料领域的应用:物理意义、研究进展及实验数据分析
静电势与功函数是材料科学和凝聚态物理中的两个核心概念,它们在电子结构、表面性质、光催化反应、半导体器件以及分子相互作用等多个领域中具有广泛的应用。本文华算科技将从静电势的定义与计算…
-
基于ZView的EIS数据拟合实操指南:原理、等效电路构建与全流程分析
说明:本文华算科技介绍了电化学阻抗谱(EIS)的原理,以及ZView软件的安装和EIS数据拟合步骤,涵盖前处理、建立等效电路、即时拟合和全局拟合等内容。 首先,扫码回复“31”获取…
-
为什么要谨慎使用iR补偿?——三电极体系原理、风险及碱性OER系统误差分析
说明:本文华算科技阐述了在三电极电化学体系中iR补偿的定义、原理、常用方法及其潜在风险,重点分析了在碱性OER系统中因工作电极侧电阻动态变化而导致的补偿误差,并对比了不同补偿方法对…