催化活性

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：华算科技通过理论计算与量子化学研究，揭示M-N-C催化剂催化ORR活性的pH依赖性机制，分析不同配位结构下零电荷电位及氧中间体吸…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：2020年PRL研究通过前线轨道分析单原子催化剂活性，发现金单原子负载于缺陷碳氮载体时，其前线轨道（DXZ或DZ²）的空间取向与…

说明：本文华算科技介绍了吸附能的概念、分类及作用。吸附能分为物理吸附（弱相互作用）和化学吸附（强相互作用）。吸附能通过影响反应路径、中间体稳定性和表面覆盖度，调控催化反应的活性和选…

说明：本文华算科技介绍了材料中“界面”的定义、分类及作用。界面分为组分界面、结构界面和相界面。界面在材料中起着关键作用，包括作为电荷/能量的传输通道、应力的协调中心以及反应的活性位…

在催化研究中，电子结构分析是理解催化反应机制、优化催化剂设计和预测催化活性的关键手段。通过分析DOS（态密度）、d带中心、COHP（晶体轨道哈密顿布居）、ELF（电子局域函数）、静…

说明：本文华算科技系统阐述了配位数的定义、分类及重要性，重点分析了配位数变化的内因（如中心离子尺寸、静电作用）与外因（如配体性质、温度、压力）的影响机制。文章还探讨了配位数对材料物…

本文华算科技旨在系统梳理和探讨“吸收谱”与“氧空位”之间的关联，特别是在金属氧化物材料的研究领域。 摘要 氧空位作为一种关键的点缺陷，深刻影响着材料的电子结构和物理化学性质。吸收谱…

说明：本文华算科技详细介绍了晶格畸变的定义、来源、重要性及其在XRD图谱中的识别方法和定量分析手段。通过XRD图谱的峰位偏移、宽化和分裂等特征，可快速识别晶格畸变。此外，Willi…

本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作，主要内容包括：VASP计算氢在催化剂表面的结合能，通过吸附构型、氢原子及催化剂单独计算能量，表明强相互作用。结合能负值越大，吸附越稳定，…

说明：本文华算科技介绍了氧空位的形成机制、性质、表征方法，及其在催化、能源存储中的作用与对材料稳定性的影响。读者可系统学习到氧空位的核心知识与多领域应用逻辑，了解调控氧空位浓度和分…

说明：本文华算科技从理论计算的角度，系统介绍吸附位点（Adsorption Sites）的基本概念、分类及其在材料科学中的研究进展。内容涵盖吸附位点的定义、主要类型、计算方法（如密…

说明：本文华算科技从理论计算的角度，系统介绍材料的氧空位（Oxygen Vacancies）的基本概念、核心作用及其在材料科学中的研究进展。内容涵盖氧空位的定义、形成机制、计算方法…

说明：本文华算科技系统阐述了材料科学与催化学领域中的核心概念：d带中心。本文将从其基本定义、计算方法及其在催化活性预测等领域的广泛应用三个层面展开，旨在为读者提供一个全面且深入的理…

本视频由华算科技-MS杨站长团队制作，本期内容包括：通过计算模拟分析逆负载型铜-氧化锆催化剂在CO₂加氢制甲醇反应中，动态筛选85种活性构型，利用HOMO/LUMO描述符发现类型一…

说明：在电催化研究中，理解催化剂活性与选择性的决定因素是构建高效能量转化体系的关键。 催化剂性能往往由两类核心因素主导：其一是电子效应（electronic effect），即催化…

总结：表面能，这个听起来有些抽象的概念，其实主宰着材料世界的方方面面。它决定了晶体为何长成特定形貌，纳米颗粒为何在高温下容易团聚，也决定了水滴是铺展开还是滚落成珠。 正因为表面能的…

  总结：本文围绕Sabatier原则系统解析了吸附能对催化活性的决定性作用，即反应物或中间体在催化剂表面的吸附既不能过强，也不能过弱。吸附过弱会导致反应物难以停留和活化，吸附过强…

说明：本文华算科技系统阐述了晶格应变的定义、形成机制及其应用。同时解释了晶格应变源于原子间距偏离理想晶格，由核壳失配、载体作用、缺陷、合金化及纳米形变五大因素引发。同时结合催化反应…

说明：本文华算科技系统梳理了电催化入门必备的核心概念与五大反应，将Sabatier原理、线性标度及d带理论转化为易懂框架，结合HER、OER、ORR、CO₂RR和NRR的机理与实例…

  总结：过渡金属因其独特的d轨道结构和多变的氧化态，被誉为催化领域的“活性明星”，几乎主导了现代催化剂的设计和应用。 从d带中心理论出发，科学家们揭示了过渡金属催化活性的本质，并…