VASP计算

本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第4篇，全系列约60篇，将在近期陆续更新。 随后朱老师将推出《VASP入门手册》，约200篇，旨在帮助完全没有基础的同学，从最简单的内容开始…

本文为由华算科技撰写的《VASP实用教程》第2篇，全系列约60篇，将在近期陆续更新。 随后朱老师将推出《VASP入门手册》，约200篇，旨在帮助完全没有基础的同学，从最简单的内容开…

本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第1篇，全系列约60篇，将在近期陆续更新。本教程主要是为了帮助各位刚刚接触VASP并且还没有入门的朋友快速入门，少走弯路。 随后朱老师将推出…

本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第3篇，全系列约60篇，将在近期陆续更新。 随后朱老师将推出《VASP入门手册》，约200篇，旨在帮助完全没有基础的同学，从最简单的内容开始…

VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和凝聚态物理领域的第一性原理计算软件，其核心功能之一是进行结构优化。结构优…

在计算催化自由能的过程中，VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种广泛使用的密度泛函理论（DFT）计算工具，它能够提供高精度的电子结…

在使用VASP进行差分电荷密度计算时，需要注意以下几个关键点，以确保计算结果的准确性和可靠性。这些注意事项涵盖了从结构优化、自洽计算到差分电荷密度的生成与可视化等多个方面。 1. …

在使用VASP进行电子态密度（DOS）计算时，需要注意多个关键参数和步骤，以确保计算结果的准确性与可靠性。以下将从理论基础、参数设置、计算流程、注意事项等方面详细阐述VASP计算态…

在第一性原理计算中，态密度（DOS, Density of States）是描述材料电子结构的重要物理量，它反映了材料在不同能量区间内的电子态密度。VASP（Vienna Ab i…

在使用VASP进行态密度（DOS）计算时，用户常常会遇到各种错误和问题。以下将详细列出常见的错误及其解决方案，并结合我搜索到的资料进行分析。 1. 错误：Segmentation …

一、基础理论与计算准备 1. 差分电荷密度的物理意义 差分电荷密度（Differential Charge Density, DCD）反映体系形成过程中的电荷重新分布 2. 计算环…

VASP（Vienna Ab-initio Simulation Package）是一种广泛应用于材料科学和凝聚态物理领域的第一性原理计算软件，能够通过密度泛函理论（DFT）模拟材…

差分电荷密度（Differential Charge Density, DCD）是电子结构计算中一种非常重要的分析工具，它能够直观地反映电子在不同体系或结构之间的重新分布情况。通过…

在材料科学和计算化学中，结构优化是通过调整原子坐标或晶格参数，使体系能量达到极小值的过程。这一过程对于确定材料的稳定状态至关重要，随后可以进一步分析电子结构和材料特性。VASP（V…

电子局域化函数（Electron Localization Function, ELF）是描述电子在空间中局域化程度的重要工具，广泛应用于材料科学、化学和凝聚态物理等领域。通过VA…

使用VASP软件计算材料的能带结构是第一性原理计算中的一项重要任务，广泛应用于材料科学、凝聚态物理和电子器件设计等领域。能带结构描述了材料中电子在不同k点（波矢量）下的能量分布，是…

在第一性原理计算中，差分电荷密度（Charge Density Difference, CDD）是一种重要的分析工具，用于揭示成键过程中电荷的重新分布情况。通过计算差分电荷密度，可…

说明：本文阐述 DFT 中VASP计算的自旋极化效应，非磁性计算（ISPIN=1）假设自旋简并，DOS 单一；磁性计算（ISPIN=2）打破简并，DOS 分裂。 对比磁性与非磁性材…

差分电荷密度（Charge density difference）是研究电子结构的重要手段之一，它可以通过直观地展示两个片段相互作用后的电子流向，以及原子在形成分子过程中电子密度的…

在材料科学研究的微观世界里，深入理解原子间电荷的分布与转移情况，对于揭示材料的诸多性质和化学反应机制至关重要。今天，就为大家带来一篇干货满满的教程，详细介绍如何使用 VASP 计算…