《VASP实用教程》第二十六弹:解读VASP手册(八)

本文为华算科技撰写的《VASP实用教程》第26篇,全系列约60篇,将在近期陆续更新。

随后朱老师将推出《VASP入门手册》,约200篇,旨在帮助完全没有基础的同学,从最简单的内容开始,快速入门VASP计算,少走弯路。

VASP视频学习资料,可以关注朱老师B站:https://space.bilibili.com/1690382481

本章教程将为大家解读VASP手册关于k点的部分教程。前面的教程已经讲过如何设置k点以及准备KPOINTS文件,今天这篇教程和大家讲解一下k点设置的一些注意事项。

  • Number of k-points, and method for smearing

计算所需的k点数主要取决于所需的精度以及系统是具有金属性。

k点网格和“smearing”是紧密相关的

  • 对于半导体或绝缘体,始终使用四面体方法(ISMEAR = -5),如果单胞太大而无法使用四面体方法,则使用ISMEAR = 0。

  • 对于金属体系的弛豫,请始终使用ISMEAR = 1和适当的SIGMA值(以便每个原子的熵项小于1 meV)。注意:避免将ISMEAR> 0用于半导体和绝缘体,可能会出现问题。

  • 对于DOS和非常精确的总能量计算(金属不弛豫)使用四面体法(ISMEAR = -5)。

如果可能的话,推荐使用Blöchl修正的四面体方法(ISMEAR = -5),这个方法简单安全,不需要经验参数。尤其是对于大体积材料,通过这种方法能得到高精度的结果。

《VASP实用教程》第二十六弹:解读VASP手册(八)

  • Blöchl修正的四面体方法需要较大数量的k点。K点的数量在不可约部分的布里渊区(IRBZ)可能会很少。在IRBZ,包含1331个k点的fcc/bcc和sc 的11×11×11结构可以减少到56个k点。

《VASP实用教程》第二十六弹:解读VASP手册(八)

  • 但是并不是所有的情况都可以用四面体方法,如果k点数目小于3或者对力的精度要求很高,则需要使用Methfessel-Paxton方法,计算金属时取N=1,计算半导体时取N=0,同时SIGMA取值要尽量大,但是自由能和总能(OUTCAR里面的entropy T*S)的差必须小(小于1-2meV/per atom)。这里需要注意的是,检查是否是熵导致的问题的一个好方法是比较不同情况下的熵。

  • K点取样的建议

  • k网格过Γ点,则采用偶数个的k点。

  • Methfessel-Paxton方法,采用奇数个的k点。

  • 若体系没有对称性,则使用何种k-mesh与奇偶无关。一般考虑包括Γ点的k-mesh,即G-mesh。

  • 一般情况下,对于体系较大的系统(a、b、c均大于10Å),k点设置取Γ点即可。

以上是本章教程的全部内容,大家在进行计算任务的时候遇到k点取样的相关问题可以查找本教程。

参考资料:

https://www.vasp.at/wiki/index.php/The_VASP_Manual

点击获取更多vasp教程👉:《VASP实用教程》全60篇教程汇总!

声明:如需转载请注明出处(华算科技旗下资讯学习网站-学术资讯),并附有原文链接,谢谢!
(0)
上一篇 1天前
下一篇 1天前

相关推荐