通过前面的教程，我们已经对VASP计算的基础操作有了一个比较全面的认识了，前面的教程中包含了一些简单的计算例子，大家可以参照教程反复练习，对于更具体的算例将会在后面的教程中呈现给大家。同时前面的教程也介绍了一些常用的小程序，这个大家自己多加联系，我们在后面的教程里面会用到。
我们将通过今天得教程把前面的内容总结一下，同时将计算过程中需要注意的参数强调一下。
VASP计算任务都是通过INCAR文件里面的参数来控制的，因此我们在准备INCAR文件时一定要保证参数设置正确，才能顺利的开始计算任务，得到正确的计算结果。
下面来说一下计算时需要注意的一些参数设置。
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结构优化
① 只进行离子弛豫
IBRION = 2
ISIF = 2
② 块体晶格参数优化
IBRION = 2
ISIF = 3
③ 二维材料晶格参数优化
a．IBRION = 2；ISIF = 3，OPTCELL 写入 110，高精度计算
b．IBRION = 2；ISIF =４，高精度计算
c．IBRION = 2；ISIF = 3，高精度计算，加超大真空层
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态密度和能带
① 态密度计算：
ISTART=1；ICHARG=11；ISMEAR= -5；LORBIT=11
需要将自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下
② 能带计算:
ISTART= 1；ICHARG = 11
NBANDS # 一般可以用默认，可以根据情况适当增加
ISMARE # 半导体或绝缘体用0，金属用1
③ 杂化泛函计算能带：
杂化泛函计算能带的INCAR文件可以通过VASPKIT生成，这里只给出部分参数，面计算实例的教程会给出完整INCAR。
GGA=PS # 选用的赝势文件为PBBEsol，=PE为PBE的方法)
LHFCALC = .True.
PRECFOCK = Normal
TIME = 0.4
HFSCREEN = 0.2
AEXX = 0.25 # 25% HF exact exchange, adjusted this value to reproduce experimental band gap
NPAR=16 #使用核数为4,16,64此种)
ALGO=ALL
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VASP难收敛的问题
于一些磁性体系、镧系和锕系元素及相关化合物的静态计算（电子迭代），经常会遇到“难收敛”的问题。
1、LMAXMIX
默认值为 2，含d电子的元素设置为4，含f电子的元素设置为6，这个参数对于含d电子和f电子的体系是非常重要的，很大一部分体系的收敛问题可以通过设置合适的LMAXMIX值来解决。
2、ALGO, IALGO, LDIAG
如果自洽计算在40步内未收敛，那么可能这个体系就不会收敛，说明书建议调整ALGO, IALGO, LDIAG混合参数来解决这个问题。
一般情况下，或使用IALGO=48时遇到收敛问题的话，可以考虑设IALGO为38，或设置ALGO=Normal or Fast (in VAS P.4.5 and later versions)。
3、NELMDL
NELMDL在开始时会给出非自洽计算的步数，在某些情况下（例如分子动力学或离子弛豫），可以将NELMIN设置为更大的值（4到8）。
4、mixing-parameters
VASP说明书中给出了调节AMIX和BMIX的一些较为明确的建议，但是实际去调节的时候，还是挺难的，但原则上说，是可以通过调节这两个Flag来使得收敛问题得以解决的，只是得有耐心。
5、kmesh, SIGMA
收敛问题还跟kmesh及SIGMA(当使用ISMEAR不等于-5 和-4时)的设置有关。要达到同样的精度，较小的SIGMA则需要较大的kmesh；而且，当SIGMA较小时，若KPOINTS不够多，也会出现难收敛的情况。
以上便是VASP计算过程中的一些注意事项的总结，在这里给大家一一列出，当然实际的问题还要大家根据实际情况进行具体分析，还是那句话，一切以手册为主，出现了计算错误一定要先分析错误原因，根据错误原因找解决方法。
参考资料：