迁移能垒
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吸附位点有哪几种？从顶位/桥位/缺陷位分类到DFT评估与实验验证的全流程解析
说明：本文华算科技介绍了常见的吸附位点类型（顶位、桥位、空心位、阶边与缺陷位等），并从计算化学角度说明如何通过DFT几何优化、吸附能、电子结构与能量势垒来评估位点优先级。 文中还给…
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什么是迁移能垒？AIMD 结合扩散系数的计算方法与应用解析
说明：本文华算科技介绍了通过从头算分子动力学（AIMD）结合扩散系数计算迁移能垒的科学方法。 读者可系统学习到如何利用AIMD模拟原子动态演化、计算扩散系数并通过Arrhenius…
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CeO₂能做什么计算？DFT+U、AIMD 等方法揭示的四大关键研究维度
说明：本文华算科技系统介绍了氧化铈（CeO₂）在计算化学中的关键研究方向：通过DFT+U/混合泛函解析氧空位与Ce 4f电子的本质，计算吸附与反应能垒揭示催化机理，利用AIMD/迁…
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迁移能垒：物理内涵、计算方法与多领域应用
说明：本文华算科技系统阐述迁移能垒的物理内涵、计算方法、多领域应用及经典案例，为材料设计与性能优化提供理论基石。 迁移能垒是原子/离子在材料中扩散时需克服的最小能量障碍，决定材料动…
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朱老师答疑 | 理论计算常见问题解答-3
Q1：朱老师，我想计算掺杂对本征点缺陷的影响，我可以直接对比掺杂晶胞含点缺陷体系和完美晶胞含缺陷体系的能带、形成能等性质吗？ A：可以的 Q2：朱老师，如果考虑带电缺陷的话，依旧是…
