Q1：朱老师，我想计算掺杂对本征点缺陷的影响，我可以直接对比掺杂晶胞含点缺陷体系和完美晶胞含缺陷体系的能带、形成能等性质吗？
A：可以的
Q2：朱老师，如果考虑带电缺陷的话，依旧是通过NELECT来改变缺陷的带电情况？人为认为电荷集中在缺陷旁边吗，最后再修正？这个可信吗？会不会被质疑呀？
A：带电的电荷分布是不受控制的，没办法设置到缺陷旁边
Q3：朱老师好，请问在计算Bi原子为主的二维材料体系时候，在结构优化过程中需要考虑SOC吗。如果结构优化过程中不需要考虑的话，我在计算该材料形成能过程中是不是应该使用加SOC后的自洽计算能量作为形成能计算的能量。
A：不需要soc，这种计算很少被用到，除非哪些做物理电子器件，准备发大刊的，做材料化学的用不着
Q4：朱老师您好，请问一下在探究第一个锂最稳定吸附位点时，发现有两个H位点和一个B位点是能稳定吸附的，其中H位点吸附能都比B位点低；在探究第二个Li最稳定的吸附位点时，能不能只考虑所有不对称的H类位点，是否有必要考虑B位点和T位点。
A：可以先占满H位点，再考虑其他位点
Q5：朱老师，如果在考虑Graphene同素异构体材料掺杂B元素时，如何选择B元素浓度，或者说掺杂B元素能不能实现这个材料的电子性质提升？
A：可以尝试不同浓度看计算结果
Q6：朱老师您好，有个问题想跟您请教一下，这是我最近算的一个迁移能垒的图，一个是极值到第三个点了，还有一条线是第三个点的能量低于初态末态，这种情况的结果可以用吗？
A：0.5549和0.4944那个可以，其他两个中间有负值不行
Q7：朱老师，有什么办法可以求S吗？例如构型熵，振动熵，电子熵等呢？
A：算不了
Q8：朱老师，请问下我联系那个过渡态的算例，跑完2000步之后，还是没出现收敛标准，请问是什么原因呢？
A：调整一下路径试试，改变插值点坐标
Q9：朱老师，我计算了Cu-MXene吸附超氧根阴离子的电荷差分密度，请问有没有什么简便方法可以快速读取转移电子数？
A：bader电荷计算
Q10：朱老师，请问有使用cp vasp进行恒电势AIMD计算的老师吗？计算过程电子步很难收敛，请问这是什么原因呢？电子步设置为200，很难收敛，计算速度很慢
INCAR created by Atomic Simulation Environment
SMASS = 1.000000
POTIM = 1.000000
ENCUT = 450.000000
TEEND = 300.000000
AGGAC = 0.000000
TEBEG = 300.000000
PARAM2 = 1.000000
PARAM1 = 0.123400
SIGMA = 0.050000
EDIFF = 1.00e-04
PREC = Low
GGA = MK
ALGO = Very fast
ISMEAR = 0
NELM = 200
IBRION = 0
ISYM = 0
ISIF = 0
NSW = 4000
MAXMIX = 87
NWRITE = 0
MDALGO = 2
NSIM = 4
LSCALU = .T.
LPLANE = .TRUE.
LUSE_VDW = .TRUE.
LWAVE = .T.
LREAL = Auto
NCORE=32
# VASPsol++ Solvent Model – This corresponds to water
LSOL = .TRUE.
EB_K = 80
LAMBDA_D_K = 3.0
RANDOM_SEED = 672386005 0 0
# CP-VASP Parameters
LCEP = .TRUE.
NESCHEME = 2
CAP_MAX = 2.0
NEADJUST = 5
TARGETMU = -3.57
FERMICONVERGE = 0.01
###########这是我的INCAR
A：恒电势确实不容易收敛，调节下amix