Q1：朱老师，怎么算氢吸附自由能？
A：没有问题，这样可以直接拿去优化；
标准流程：基态结构→构建 H*→几何优化→能量处理→自由能修正→考虑电位与 pH;
研究“水解离/Volmer 机理”，单独构建 *OH 并保持电荷平衡。
Q2：朱老师，结构优化这个表面模型，接近表面的Na很容易散架？
A：算振动频率，没有虚频；
判断是不是局部极小值的标准只有一个：哈密顿量在该点的二阶导(赫塞矩阵)正定。
在计算里等价为无虚频。
Q3：朱老师，我想计算这个三元正极表面的O原子析出能垒，建立了这样一个表面模型，发现结构优化这个表面模型，接近表面的Na很容易散架，想麻烦朱老师看看，给点调整的建议。
A：这个可以选择让Na不暴露，让TM暴露；
这个 slab 顶层有 Na（或Li）暴露在真空一侧，而且是单面终止。
这会带来
（i）顶面强欠配位、
（ii）净偶极与人造电场、
（iii）局部过氧化/电荷不平衡。
结果就是表面 Na 首先散架/外逸/侧向迁移，优化发散或非常慢。这在层状正极表面是常见坑。
Q4：朱老师，表面模型现在优化失败了？
A：离开的远一些；
如果一直会优化回去，那就说这样更稳定，限制不合理；
体系在当前电荷/位点上，拆水后的 H + OH 不是稳定极小值，优化自然往 H2O 分子吸附态滑。
Q5：朱老师，计算甲烷分解过渡态，初态末态都是稳定的，没有虚频，但是计算出来的过渡态能垒很大，十几eV，应该怎么解决呀 ？
A：十几 eV 不是真的很难断 C–H，而是 NEB/TS 路径有问题，可能的原因如下：
原子映射错了，NEB 会把错的原子硬拽到目标位上，途中会出现不可思议的穿插距离，能量飙到十几 eV；
初始带不合理导致中间像重叠，插值把 H 从 C 的背面或穿过金属/氧原子移动；
初末态不是同一反应；
自旋/电子设置不对；
几何/边界条件导致假大能，真空太小、单面 slab 未开偶极修正、原子太近等。
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