材料计算基础理论与交叉学科

说明：本文华算科技主要介绍各向异性的准确定义、晶体结构与加工组织怎样建立方向差别，以及单晶、多晶和旋转测量中的方向坐标应怎样对应。 什么是各向异性？ 各向异性是指材料处在相同温度、…

引言 钙钛矿表面小分子吸附容易被写成普通表面吸附问题：切一个 slab，放上 H2O、O2、CO2 或 NH3，优化后比较吸附能。这个流程本身没有错，但对卤化物钙钛矿和有机-无机杂…

XRD精修到底在精修什么？怎么分析？有什么用？ 👇150节XRD精修视频教程打包拿走！包含 FullProf Suite、GSAS、JANA、Match!、Maud、X&#8217…

说明：本文华算科技主要介绍二维材料层数的结构定义，光学对比度和原子力显微镜给出的几何证据，Raman 与光致发光信号的层数响应，以及第一性原理声子计算和多种信号互校时的判断范围。 …

说明：本文华算科技主要介绍真空层厚度对中性薄层能量、带电缺陷、二维介电响应及 GW/BSE 收敛行为的影响。 真空层厚度改变的是哪个计算盒子？ 薄膜与二维材料仍在三维周期条件下求解…

说明：本文华算科技主要介绍XRD峰宽的测量对象，晶粒尺寸、微观应变与缺陷各自的展宽规律，以及在同一张谱图上区分三类展宽来源的可行做法。 XRD峰宽测的是什么？   同一种材料测两次…

💥 成核是“从无到有”，生长是“继续长大”，团聚是“颗粒靠近堆在一起”，熟化是“小颗粒消失、大颗粒变大”，烧结是“颗粒连接并致密化”。 为了帮大家彻底理清材料结构演化的底层逻辑，这…

说明：本文华算科技主要介绍材料各向异性的结构来源、张量表达、常见计算图谱和结果报告条件。 材料各向异性的基本含义 保持成分、温度、应变状态和测试方法不变，只改变测量方向，若所得物理…

引言   MXene 和 MBene 表面很少只带一种理想终止基。HF、LiF/HCl、电化学处理或碱洗之后，表面常见 O、OH、F 共存，比例还会随 pH、刻蚀条件和后处理变化。…

说明：本文华算科技主要介绍氢键网络的分子定义、图论表示、拓扑统计、动态重连，以及它与水结构、扩散和质子输运之间的联系。 氢键网络怎样由分子和氢键定义？ 氢键网络是由氢键相连的分子集…

说明：本文华算科技主要介绍金属空位的晶格含义、局域补偿、第一性原理描述量及其对反应与输运的影响。 材料化学式里少了金属，并不自动等于晶体中出现了金属空位。成分偏离、第二相、表面终止…

蚀刻并非简单去除材料，而是通过化学反应、离子轰击或二者协同作用，利用材料不同区域的反应差异，实现选择性刻蚀，从而调节表面形貌和功能特性。 实验中出现的孔洞、粗化、坍塌以及晶面暴露等…

PXRD峰变弱、配体流失、金属价态改变——MOF看起来“失活”了，但它究竟是坍塌、相变，还是正在生成真正的工作态活性相？ 本文华算科技从可逆响应、失效边界、工作态转化与可控修复切入…

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引言 M-N4/石墨烯是单原子催化里最常见的模型之一。看起来只是把石墨烯挖一个孔、换几个 N、放一个金属原子，但真正容易出错的地方很多：孔洞大小、N 的位置、金属初始高度、超胞尺寸…

一张清晰的缺陷示意图，不用大量时间查资料、建模、绘制，因为这里有小妙招！ 《180+晶体缺陷可视化示意图》： ✅ 基础概念与经典结构： 空位、间隙原子、掺杂等基础点缺陷，以及位错、…

说明：本文华算科技主要介绍晶体缺陷按空间延展范围划分的点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，以及各类缺陷在第一性原理与原子模拟中的结构对象、能量标尺和模型范围。 晶体缺陷的定义和分类依据…

说明：本文主要介绍熵的微观状态定义、吉布斯自由能 G = H − TS 的物理含义、ΔH 与 TΔS 随温度的此消彼长，以及从量热实验、平衡测量和统计计算获取这两个热力学量的方法。…

说明：本文华算科技主要介绍 XRD基线的物理来源、异常形态、判别方法和适用条件。 基础概念：XRD 基线究竟代表什么？ 粉末XRD 横坐标通常是衍射角 2θ，纵坐标是探测器在该 2…

❓分子如何接近表面、优先占据什么位点、是竞争吸附还是解离反应？ 无论做催化、储能还是分离，表界面的吸脱附过程直接决定了材料的最终性能！ 这次华算科技整理了【100+吸附、脱附与表面…