华算科技
-
Materials Studio教程 5-8模拟Pd(110)表面上CO分子体系的STM图 | 华算科技-MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:使用Materials Studio CASTER模块模拟Pd(110)表面CO分子STM图像,通过调整K点网格、轨道密度及切片…
-
电催化活性位点全解析:定义、表现形式(单原子/缺陷/界面等)、量化方法(ECSA/TOF)及催化作用
说明:本文华算科技介绍了电催化活性位点,包括其定义、表现形式、量化方法及作用。活性位点是催化剂中促进反应的关键区域,其形式多样,如单原子位点、纳米颗粒特定位点、缺陷和界面位点等。通…
-
内建电场是什么?如何通过功函数梯度/多孔结构调控?SEM/TEM/XPS表征全指南
说明:本文华算科技详细介绍了内建电场的形成机制、作用、关键公式,以及如何通过调控功函数梯度、构建多孔核壳结构等方法调控内建电场。同时,文章还探讨了如何使用SEM和TEM、XPS、U…
-
VASP | 理论计算常见问题解答-59
Q1:朱老师,构建了一种特殊的Pt团簇结构,通过分析在(111)面额fcc位点上O*(氧吸附能)与普通的无修饰Pt particle结构对比,是否可以通过O*氧吸附能更弱(大概少0…
-
带隙为什么能变大变小?量子限域/合金化/应变等调控方法与UV-Vis/PL/UPS表征全指南
说明:本文华算科技详细介绍了带隙的概念、分类、与材料导电性的关系,以及如何通过量子限域、合金化、应变工程、化学掺杂、电场调控和温度效应等方法调控带隙大小。同时,文章还探讨了使用UV…
-
XRD峰型异常(偏移/宽化)怎么办?峰位移的晶格参数定量(左/右移)与宽化的W-H/Scherrer方法速查
说明:本文华算科技主要讲解XRD峰型偏移和宽化的核心知识,理清峰左移、右移的成因及晶面间距、晶格常数的定量分析方法,包含峰宽化的常见原因与Scherrer方程、W-H方法的应用,帮…
-
气溶胶与纳米颗粒的同步辐射表征
说明:这篇文章由华算科技撰写,介绍了气溶胶与纳米颗粒的同步辐射多尺度表征体系。通过阅读,读者可了解SAXS/USAXS、XRD与XAS/RIXS在粒径、孔隙与价态/配位追踪中的互补…
-
内建电场的科学内涵:定义、关键公式(吉布斯/泊松等)与电子表征技术(KPFM/EIS等)及结构调控策略
说明:本文华算科技系统梳理了内建电场的定义、三大核心公式与XPS、UPS、KPFM、EIS、静电势、差分电荷等内建电场计算表征方法,并逐一展示金属-半导体、p-n、同型异质结、层级…
-
奥斯瓦尔德熟化:定义、吉布斯-汤姆逊方程与液/固/液/气四类体系的影响机制
说明:奥斯瓦尔德熟化是亚稳态分散体系(如过饱和溶液、乳液、固溶体等)中普遍存在的热力学驱动现象,本文华算科技梳理了奥斯瓦尔德熟化的定义、吉布斯-汤姆逊方程及液固-液液-气固三类体系…
-
物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD):原理、关键类型(电子束蒸发/PECVD/PE-ALD)、工艺流程与选型指南
说明:本文华算科技主要介绍PVD、CVD、ALD的基本原理、关键类型(如PVD的电子束蒸发、CVD的PECVD、ALD的PE-ALD)、工艺流程,包含各技术的优缺点与应用场景,可以…
-
如何分析XPS图谱?
拿到XPS测试数据以后,复杂的谱图和无数的峰感到无从下手?想知道表面究竟有哪些元素?化学态是否符合预期? 别急,本文华算科技不仅揭秘 XPS 背后的原理、谱图分析逻辑与数据拟合技巧…
-
TEM三种常用成像技术对比:明场像(BF)、暗场像(DF)、高角环形暗场像(HAADF)的核心参数与应用实例
说明:本文华算科技介绍了TEM中明场像(BF)、暗场像(DF)与高角环形暗场像(HAADF)的成像原理,明确三者在衬度来源、分辨率、图像特征上的核心差异,还能了解各自适用的样品类型…
-
【VASP教程】电荷密度计算实操步骤!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:朱老师通过VASP计算Pt001吸附氢的电荷密度,复制结构优化文件后等,并读取波函数与电荷密度,快速完成计算等! 朱老师讲…
-
Materials Studio教程 5-7Pd(110)表面上的CO分子的差分电荷密度 | 华算科技-MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:在Materials Studio软件中,通过差分电荷密度分析一氧化碳分子在Pd(110)表面的吸附情况。首先,定义了分子和表面…
-
氧空位核心知识点速查:从电子结构缺陷到催化应用的关键控制点
说明:本文华算科技详细介绍了氧空位的概念、形成机制、作用。对比总结了氧空位的表征方法,如XPS、EPR、TEM、HRTEM、STEM、化学滴定法、拉曼、同步辐射、PALS等,同时还…
-
【VASP教程】Bader电荷计算实操步骤!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算Bader电荷分析电子转移过程,通过修改INCAR参数并运行自治计算,生成电荷文件等,结合差分电荷分析验证…
-
细胞成像中的相衬同步辐射技术
说明:这篇文章由华算科技撰写,介绍了细胞与低Z样品中相衬同步辐射成像的原理与应用。通过阅读,读者可了解TXM/STXM与TXM-XANES在形貌—价态联合成像、断层三维重构与快速原…
-
生物大分子结构的高分辨成像
说明:这篇文章由华算科技撰写,介绍了面向生物大分子的高分辨成像范式与生物SAXS平台能力。通过阅读,读者可了解毫秒级时间分辨、在线纯化与在位环境控制的联动优势,掌握多技术整合构建“…
-
循环伏安曲线有几种?
说明:本文华算科技主要介绍了循环伏安曲线(CV曲线)的定义、分类、作用及其在电化学研究中的应用。文中详细分类了扩散控制型、吸附控制型、不可逆型和多电子转移型CV曲线,并阐述了其在判…
-
VASP | 理论计算常见问题解答-58
Q1:朱老师,如何解决表面模型,体相为反铁磁材料的初始磁矩的设置问题? A:表面原子可以用对应位置体相的磁矩 Q2:朱老师,顶部这个情况影响正常的表面结构优化吗,需不需要调一下sl…