VASP | 理论计算常见问题解答-58

Q1:朱老师,如何解决表面模型,体相为反铁磁材料的初始磁矩的设置问题?

A:表面原子可以用对应位置体相的磁矩

Q2:朱老师,顶部这个情况影响正常的表面结构优化吗,需不需要调一下slab position

A:正常,不用调整

Q3:朱老师,我在算OO吸附时,初始距离是2A,结果算完以后变成3A左右了,需要调整INCAR参数吗?

A:可能是位点吸附能力较弱导致的

Q4:朱老师,吸附能是E(吸附反应物催化剂)-E(光面催化剂)- E(反应物) 这么算吗

A:是的

Q5:朱老师,就是计算火山图的时候,有一些横坐标是EOH*,有的是deltaGOH*,说都是表示吸附强度,是不是都是吸附能,只是符号不一样

A:应该都是一个

Q6:朱老师,请问在vasp计算中,怎么控制单金属催化剂的价态和他上面的电子呢

A:不能控制原子价态,也不合理

Q7:朱老师,能控制吸附物质所带电子嘛

A:不能

Q8:朱老师,计算表面模型的时候,只需要把最上层的金属原子的磁矩按顺序设置就可以了吗?

A:都要设置

Q9:朱老师,考虑溶剂效应计算NRR时,若用Vaspsol是不是就不用在POSCAR模型中加溶剂,直接用vasp算在构建模型时加溶剂是不是就可以?

A:是的

Q10:朱老师 单独的羟基自由基可以用vasp算能量吗 算的准吗

A:算不准,可以考虑用高斯算

本次答疑由拥有15年VASP实战经验的华算科技朱老师(同济大学本博、深圳海外高层次人才)提供。👉点击进入《VASP | 理论计算常见问题解答专题》,快速查找更多计算解决方案。

A:算不准,可以考虑用高斯算

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