DFT计算
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[Materials Studio] 硝酸根离子NO3-建模 | 分子动力学 | MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:MS 软件中硝酸根离子(NO;)的建模流程,结合分子动力学应用场景,拆解关键操作细节,适合理论计算入门者、材料/化学相关研究者学…
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吸附机理入门:什么是物理/化学吸附?用DFT和分子动力学看吸附细节的初学者指南
说明:本文华算科技介绍了吸附机理的基本概念,区分物理吸附与化学吸附,并从计算化学角度说明如何用DFT、能垒搜索与分子动力学等方法揭示吸附的热力学与动力学细节。文章还给出建模与验证的…
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什么是d带中心?光催化/电催化中通过界面工程调控d带提升催化剂性能的关键
说明:本文华算科技介绍了d带中心的基本概念、理论计算方法及其在催化中的应用,重点阐述了d带中心作为过渡金属电子结构关键参数如何影响吸附键稳定性,并结合密度泛函理论(DFT)等计算方…
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什么是电荷密度计算?催化/半导体设计中揭示材料性质的计算方法与实验验证
说明:本文华算科技系统介绍了电荷密度的基本概念、分类及其在材料科学中的核心地位,重点阐述了从宏观分布到微观量子描述的物理内涵。 并结合密度泛函理论(DFT)和差分电荷密度等计算方法…
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什么是掺杂形成能?从定义、计算公式到物理意义的系统性解析
说明:本文华算科技将从定义、计算公式、物理意义以及计算方法等角度,对掺杂形成能进行系统性、深度的阐述。 什么是掺杂形成能? 掺杂形成能,通常也被称为缺陷形成能或杂质形成能,…
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什么时候用DFT计算,什么时候用MD计算?详解密度泛函理论与分子动力学的原理、范围及在催化、材料与生物体系中的应用
说明:本文华算科技从理论计算的角度,系统介绍密度泛函理论(DFT)和分子动力学(MD)计算的基本概念、适用场景及其在化学和物理研究中的应用进展。 内容涵盖DFT和MD的定义、计算原…
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CO₂RR:反应机制、催化剂与技术前沿
说明:本文华算科技从CO2RR的基本概念、复杂的反应机制以及核心的催化剂技术三个维度,对其进行系统性、深度的阐述和分析。 什么是CO2RR? 二氧化碳电还原反应(CO2RR)本…
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析氢反应(HER):原理、描述符与计算方法
说明:本文华算科技系统介绍了析氢反应(HER)的基本原理、反应路径及其在电解水制氢中的核心作用,重点阐述了氢吸附自由能等关键描述符对催化活性的影响,并结合密度泛函理论(DFT)…
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MoS₂的分类与特性:晶体结构、形貌与电学性质的系统性分析
说明:本文华算科技旨在基于现有研究,从晶体结构与相态、形貌与维度、电学性质三个核心维度,对MoS₂进行系统性的分类和深入阐述,以期为相关领域的科研与应用提供清晰的参考框架。 按…
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晶体掺杂:原理、机制与半导体性能调控
说明:本文华算科技阐述了晶体掺杂的核心概念、机制与广泛应用,如何通过引入异质原子精准调控材料的电学、光学等性能。 阐述了n型与p型掺杂的原理、能带工程对半导体性能的影响,以及掺杂在…
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【VASP教程】VASP原子振动频率计算!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师实操教学VASP原子振动频率计算,把结构优化的输出文件和输入文件复制成振动频率的输入文件等。 朱老师讲VAS…
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【VASP教程】VASP弹性常数计算!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师手把手教学VASP弹性常数计算,逐步实操,要把结构优化后的输入文件复制到弹性常数的计算文件夹中等! 朱老师讲…
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【VASP教程】VASP介电函数计算实操!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:使用VASP计算氧化镁介电函数实部与虚部的过程,通过修改INCAR参数扩大能带数,利用Origin绘制介电函数图,实部反映…
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【VASP教程】手把手教学Pt001结构优化!| 华算科技-朱老师讲VASP DFT计算
本视频由华算科技–朱老师讲VASP团队制作,主要内容包括:华算科技朱老师手把手教学Pt001结构优化,目的是为了后续的催化做准备! 朱老师讲VASP,华算科技资深技术,同济大学本科…
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[Materials Studio] Li+锂离子建模 | MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:Materials Studio软件中构建锂离子模型的步骤。首先,通过新建文档并选择锂原子进行构建。然后,通过Foresight…
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[Materials Studio] 1分钟学完Cl-氯离子建模 | MS杨站长
本视频由华算科技-MS杨站长团队制作,本期内容包括:如何在Materials Studio中构建氯离子模型。首先,创建一个新的3D文档,然后选择锂离子作为原子。接下来,选择紧凑的三…
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半导体能带结构的第一性原理计算与分析
引言 半导体技术是现代信息社会的基石,从微处理器、存储器到光伏电池和发光二极管,其核心物理性质都源于其独特的电子能带结构。能带结构清晰地描绘了电子在晶体动量空间中的能量分布,决定了…
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什么是石墨炔?基于 DFT/GCMC 等方法的缺陷、吸附机制研究,兼论计算建模与理论落地实践
说明:本文华算科技介绍了石墨炔(GDY)在计算化学中的研究方向与应用前景。通过DFT、GW/TDDFT、NEB、MD/AIMD与GCMC等方法,可探讨其电子结构、缺陷与掺杂效应、吸…
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什么是掺杂?从半导体掺杂原理、n/p 型机制到前沿应用与计算解析
说明:本文华算科技系统阐述了半导体掺杂技术的基本原理、分类及其内在联系,重点剖析了n型与p型掺杂的机制差异与协同价值。 通过引入量子力学能带理论,深入解读掺杂对载流子浓度与导电性能…
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什么是限域效应?电子 / 动力学 / 反应行为影响、计算方法(DFT/MD 等)解析与设计指南
说明:本文华算科技介绍了限域效应的概念及其在纳米与分子尺度上对电子、动力学与反应行为的影响。从计算化学角度说明了常用方法(DFT、TDDFT、MD、AIMD、增强采样与QM/MM)…