电子结构分析

费米能级为什么随温度和掺杂变化？p型、n型材料接触后为何出现能带弯曲？这份182页能带与费米能级PPT将半导体能带知识集中讲透！ ✅ 理论打底： 涵盖原子轨道、能带形成、布洛赫态、…

看不懂能带图？不会分析DOS、PDOS？不清楚电荷转移、轨道杂化和磁性该怎么解读？ 这套 《电子结构分析》PPT共计150页，不讲软件操作，重点帮你看懂结果、理解机制，重点梳理常见…

说明：本文华算科技主要介绍总态密度与原子投影态密度的数学关系，区分投影空间缺失、局域基组误差和绘图口径差异，并说明怎样根据差额随能量的分布判断一组 PDOS 是否适合支撑轨道成分分…

说明：本文华算科技主要介绍 Jahn–Teller 效应的电子态条件、振动模选择、绝热势能面，以及第一性原理计算中的归因依据。 Jahn–Teller 效应的定义与电子态条件 Ja…

引言 LOBSTER 能把 VASP 的平面波结果转成 COHP、ICOHP、Mulliken 电荷和局域投影 DOS，但可靠性取决于 WAVECAR/CHGCAR、结构端点和局域…

说明：本文华算科技主要介绍功函数、费米能级与真空能级的定义、能量零点的选择，以及半导体带边、表面偶极和光电子能谱中的能量关系。 三个量在同一条能量轴上怎样定义？ 费米能级 EF描述…

说明：本文华算科技主要介绍 d 带中心相对费米能级移动的含义、反键态占据与吸附强度的关系，以及合金和动态配位体系中的不同吸附响应。 d带中心与费米能级是什么？ 费米能级标定电子的化…

说明：本文华算科技主要介绍能带对光吸收、发光、光电化学转换和热电输运的影响，以及带隙、电子态对称性、曲率和能谷位置改变后的性能差异。 能带是什么，计算中的曲线从何而来？ 晶体中电子…

引言 Janus MoSSe 和普通 MoS₂ 最大的差别，不只是把一侧 S 换成 Se。上下两面元素不同后，面外非对称电荷分布会让真空能级、功函数和吸附构型随表面朝向改变。Jan…

说明：本文华算科技主要介绍结构优化的变量、能量与力的来源，以及约束条件、初始构型和势能面曲率怎样影响优化结果。 结构优化的变量和目标函数是什么？ 把一组原子坐标交给 DFT，程序可…

说明：本文华算科技主要介绍态密度峰的统计含义，以及峰高与电荷输运、热电响应和自旋极化之间的关系。 态密度的定义与峰形来源 在周期晶体中，电子态由能带编号 n、波矢 k 和自旋共同标…

说明：本文华算科技主要介绍局域态密度 LDOS 的定义、空间取样、图谱形式，以及缺陷电子态和扫描隧道谱中的物理含义。 局域态密度的定义是什么？ 同一条石墨烯纳米带，端部和中央具有相…

说明：本文华算科技主要介绍内置电场与 d 带中心的物理定义、耦合途径及第一性原理计算中的区分方法。 内置电场与 d 带中心的物理定义 内置电场写成 E(r)=−∇φ(r)，描述体系…

引言 d带中心是很好用的入门描述符，但它不是吸附强弱的万能按钮。很多体系里，εd 上移确实会增强吸附；可一旦遇到多元素位点、强配位重构、p 轨道参与、溶剂电场或自旋变化，单一 εd…

说明：本文华算科技主要介绍差分电荷密度的数学定义、参考密度选择、常见图形来源，以及它在成键、界面极化和缺陷分析中的使用条件。 差分电荷密度基础定义/计算来源 密度泛函计算给出基态电…

说明：本文华算科技主要介绍差分电荷密度的计算对象、空间形貌、界面偶极及其与轨道成键和实验物性的对应范围。 差分电荷密度是什么？ 差分电荷密度通常写成 Δρ(r) = ρAB(r) …

说明：本文华算科技主要介绍能带曲线的计算含义、交叉与简并的判别、轨道和空间来源，以及超胞体系的能带展开。 一幅能带图把不同波矢处的本征值压缩到若干条折线中。曲线是否穿过费米能级只回…

电子结构计算中，DOS 和 PDOS 常有相同的能量横轴，峰位也经常重合，两条曲线却在回答不同的问题。DOS 统计某一能量附近的全部电子态，PDOS 统计这些状态在指定原子、轨道或…

引言 PDOS 图里金属 d 峰和吸附物 p 峰挨得近，很容易被写成“轨道杂化增强”。但峰靠近只是可能发生相互作用的线索，真正的成键还要看峰形变化、占据区间、反键态、键长和吸附能。…

说明：本文华算科技主要介绍功函数数值、平面平均静电势、局域功函数映射、吸附前后变化量以及半导体界面能级图的读取方法。 功函数是什么，计算中怎样得到它？ 功函数 Φ 定义为电子由材料…